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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC1101AM2-156.2500	-	RFQ	9765	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的	-55°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1101	156.25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1101AM2-156.2500	Ear99	8542.39.0001	50	（（（）	35mA	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC1123CI3-100.0000T	-	RFQ	4902	微芯片技术	DSC1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）		100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1123CI3-100.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±20ppm	-	-	22ma
DSC6041HI2B-027.0000	-	RFQ	1904年	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		27 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6041HI2B-027.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA6011JL3B-012.0000VAO	-	RFQ	9721	微芯片技术	DSA60XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSA6011	12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6011JL3B-012.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA（）
DSA6331JL2CB-024.0000VAO	-	RFQ	5604	微芯片技术	DSA63XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSA6331	24 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6331JL2CB-024.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±1.00％，中心扩展	-
DSC6001ME2B-009.0000T	-	RFQ	1971年	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	9 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001ME2B-009.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6001MI1B-080.0000	-	RFQ	9191	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	80 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001MI1B-080.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1121CI2-055.0000T	-	RFQ	7398	微芯片技术	DSC1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		55 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1121CI2-055.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSA1103CL1-075.0000VAO	-	RFQ	7492	微芯片技术	DSA1103	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1103	75 MHz	LVD	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1103CL1-075.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	32ma	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC1203CE2-75M00000T	-	RFQ	5751	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		75 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1203CE2-75M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC6001JE1B-020.0000	-	RFQ	8758	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	20 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001JE1B-020.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSA1123DA1-100.0000TVAO	-	RFQ	5760	微芯片技术	DSA1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	（（（）		100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1123DA1-100.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±50ppm	-	-	22ma
DSC6053HE1B-006.2500	-	RFQ	2735	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6053	6.25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6053HE1B-006.2500	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA
DSC6301JE2AB-050.0000T	-	RFQ	7995	微芯片技术	DSC63XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		50 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6301JE2AB-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC6311JI1AB-025.0000	-	RFQ	2258	微芯片技术	DSC63XX	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		25 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JI1AB-025.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	1.5µA（）
DSA6101ML2B-026.0000VAO	-	RFQ	2857	微芯片技术	DSA61XX	包	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		26 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101ML2B-026.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6111HE1B-050.0000T	-	RFQ	2642	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6111HE1B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA
DSA6102JL3B-087.0655TVAO	-	RFQ	8533	微芯片技术	DSA61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		87.0655 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6102JL3B-087.0655TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC1122DE5-254.6500	-	RFQ	3821	微芯片技术	DSC1122	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）		254.65 MHz	lvpecl	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1122DE5-254.6500	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	58mA	mems	±10ppm	-	-	22ma
DSC1222DE2-445M5000T	-	RFQ	3656	微芯片技术	DSC12X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		445.5 MHz	lvpecl	2.5V〜3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1222DE2-445M5000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	50mA （典型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSA6101ML3B-016.6666VAO	-	RFQ	8465	微芯片技术	DSA61XX	包	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		16.6666 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101ML3B-016.6666VAO	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC1123BI5-040.0000	-	RFQ	7429	微芯片技术	DSC1123	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	40 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1123BI5-040.0000	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用	32ma	mems	±10ppm	-	-	22ma
DSA6101JL3B-024.5760TVAO	-	RFQ	9439	微芯片技术	DSA61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		24.576 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101JL3B-024.5760TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSA6101HA1B-005.0000VAO	-	RFQ	5435	微芯片技术	DSA61XX	包	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		5 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101HA1B-005.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1123BI1-148.5000	-	RFQ	1782年	微芯片技术	DSC1123	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	148.5 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1123BI1-148.5000	Ear99	8542.39.0001	72	启用/禁用	32ma	mems	±50ppm	-	-	22ma
DSC6011MI2B-006K144T	-	RFQ	5103	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6011	6.144 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6011MI2B-006K144TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA
DSC1103BI5-148.5000	-	RFQ	7042	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		148.5 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1103BI5-148.5000	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	32ma	mems	±10ppm	-	-	95µA
DSC1001AI5-002.0480T	-	RFQ	7134	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		2.048 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001AI5-002.0480TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC6311JE1BB-018.4320	-	RFQ	2880	微芯片技术	DSC63XX	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		18.432 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JE1BB-018.4320	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.50％，中心扩展	1.5µA（）
DSC1203NI3-148M3500T	-	RFQ	1185	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		148.35 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1203NI3-148M3500TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²