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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC6101JI2B-100.0000	-	RFQ	6641	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6101	100 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC6101JI2B-100.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6101MA2B-020.0000	-	RFQ	9085	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	20 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC6101MA2B-020.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6101MA3B-016.6666	-	RFQ	8626	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	16.6666 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC6101MA3B-016.6666	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSA1001DI3-012.0000TVAO	-	RFQ	3903	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	12 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DI3-012.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSA1001DI3-150.0000TVAO	-	RFQ	4903	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	150 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DI3-150.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSA1001DL2-024.5760TVAO	-	RFQ	4508	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	24.576 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DL2-024.5760TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1001DL2-033.0000TVAO	-	RFQ	9327	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	33 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DL2-033.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	10.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1001DL3-026.0000VAO	-	RFQ	5450	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	26 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DL3-026.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSA1001DL3-033.0000TVAO	-	RFQ	2350	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	33 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1001DL3-033.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	10.5mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSA1003DI1-050.0000TVAO	-	RFQ	6545	微芯片技术	DSA1003	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1003	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1003DI1-050.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	10.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSA1003DI1-050.0000VAO	-	RFQ	8933	微芯片技术	DSA1003	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1003	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1003DI1-050.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	10.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSA1101BA3-008.9120VAO	-	RFQ	9240	微芯片技术	DSA1101	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1101	8.912 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1101BA3-008.9120VAO	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	35mA	mems	±20ppm	-	-	95µA
DSA1101BL3-050.0000TVAO	-	RFQ	3053	微芯片技术	DSA1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1101	50 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1101BL3-050.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	35mA	mems	±20ppm	-	-	95µA
DSA1101CA2-010.0000TVAO	-	RFQ	4565	微芯片技术	DSA1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1101	10 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSA1101CA2-010.0000TVAO	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	35mA	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6102HI2A-012.0000	-	RFQ	2892	微芯片技术	DSC61XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC6111CE2A-032.7680	-	RFQ	9947	微芯片技术	DSC61XX	管子	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		32.768 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	80µA（）
DSC6311JI1AA-030.0000T	-	RFQ	2850	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		30 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	80µA（）
DSC6311JI1DA-030.0000	-	RFQ	9846	微芯片技术	DSC63XX	管子	过时的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		30 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.50％，中心扩散	80µA（）
DSC6311JL1AB-028.6364	-	RFQ	7593	微芯片技术	DSC63XXB	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6311	28.6364 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	1.5µA（）
DSC1121AL1-041.5000T	-	RFQ	1558年	微芯片技术	DSC1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1121	41.5 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1121AL1-041.5000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	35mA	mems	±50ppm	-	-	22ma
DSC6331MA1AB-027.0000T	-	RFQ	2886	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6331	27 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6331MA1AB-027.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC6331CI2AA-008.0040T	-	RFQ	2226	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		8.004 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）		150-DSC6331CI2AA-008.0040TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSA6311JL3AB-054.0000TVAO	-	RFQ	6388	微芯片技术	DSA63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSA6311	54 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6311JL3AB-054.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC6001ME1B-075.0000	-	RFQ	7917	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	75 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6001ME1B-075.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1101BI1-145.2000T	-	RFQ	6451	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	145.2 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1101BI1-145.2000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	35mA	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC6101JL2B-033.0000T	-	RFQ	5335	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6101	33 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6101JL2B-033.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6311ML1AB-027.0000T	-	RFQ	7264	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6311	27 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6311ML1AB-027.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSA6101MA2B-010.0000VAO	-	RFQ	7957	微芯片技术	DSA61XX	包	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSA6101	10 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-			到达不受影响	150-DSA6101MA2B-010.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6003MI2B-050.0000T	-	RFQ	5938	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6003	50 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6003MI2B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6101JI3B-100.0000T	-	RFQ	6926	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6101	100 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载			到达不受影响	150-DSC6101JI3B-100.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²