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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC1121AI2-012.2880T	-	RFQ	4306	微芯片技术	DSC1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1121	12.288 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	22ma	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1203CE2-167M7722T	-	RFQ	6278	微芯片技术	DSC1203	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		167.7722 MHz	LVD	2.5V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1203CE2-167M7722TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC1101DI5-026.0000T	2.0520	RFQ	5668	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	26 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	35mA	mems	±10ppm	-	-	95µA
MX554EBB80M0000	-	RFQ	1920年	微芯片技术	-	管子	积极的												下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-MX554EBB80M0000	Ear99	8542.39.0001	60
DSC1121AM1-029.4912	-	RFQ	1084	微芯片技术	DSC1121	管子	积极的	-55°C〜125°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn裸露的垫子	XO （标准）	DSC1121	29.4912 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1121AM1-029.4912	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	35mA	mems	±50ppm	-	-	22ma
DSA1001DL2-028.6364VAO	-	RFQ	6618	微芯片技术	DSA1001	大部分	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	28.6364 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	10.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1121DA2-020.0000VAO	-	RFQ	4005	微芯片技术	DSA1121	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1121	20 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1121DA2-020.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSA6141HL1B-018.4320VAO	-	RFQ	2587	微芯片技术	DSA61XX	包	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		18.432 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6141HL1B-018.4320VAO	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001CI1-007.5000	-	RFQ	1871年	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	7.5 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001CI1-007.5000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSA6311JA1AB-025.0000TVAO	-	RFQ	9866	微芯片技术	DSA63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSA6311	25 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6311JA1AB-025.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.25％，中心扩展	1.5µA（）
DSC1103CI5-114.0000T	-	RFQ	8038	微芯片技术	DSC1103	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1103	114 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma	mems	±10ppm	-	-	95µA
DSA1001DL1-010.2400VAO	-	RFQ	4110	微芯片技术	DSA1001	大部分	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	10.24 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC6001HI2B-011.0592T	-	RFQ	2264	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		11.0592 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			到达不受影响	150-DSC6001HI2B-011.0592TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1001DL5-054.0000	-	RFQ	3786	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	54 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	7.2mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC1033DC1-050.0000T	-	RFQ	1801年	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1033	50 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	1µA
DSC1103DI2-148.3500	-	RFQ	2322	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1103	148.35 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	32ma	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6013HI2A-026.0000	1.1600	RFQ	798	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		26 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1222NE1-100M0000	-	RFQ	8955	微芯片技术	DSC1222	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz	lvpecl	2.5V〜3.3V	下载			到达不受影响	150-DSC1222NE1-100M0000	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	50mA （典型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSC1004AI2-081.8180	-	RFQ	3534	微芯片技术	DSC1004	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1004	81.818 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	（（（）	10.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC1001DL5-037.1250	-	RFQ	3192	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	37.125 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	10.5mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
DSC6311JE1FB-025.0000T	-	RFQ	1919年	微芯片技术	DSC63XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		25 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JE1FB-025.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±2.50％，中心扩展	80µA（）
DSC6001JE2B-025.0000T	-	RFQ	7409	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	25 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001JE2B-025.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1001DI1-075.0000T	-	RFQ	8605	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	75 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8.7mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1018DI2-006.0000	-	RFQ	5932	微芯片技术	DSC1018	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1018	6 MHz	CMOS	1.8V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	1µA
MO-9250AE-D1F-EE312M500000	-	RFQ	7899	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSC1001CI5-080.0000T	-	RFQ	1692年	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	80 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8.7mA	mems	±10ppm	-	-	15µA
VCC1-B3G-2M04800000	-	RFQ	3765	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DE2-148.5000T	-	RFQ	5749	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	148.5 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8.7mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC1121CE1-025.0000T	0.9300	RFQ	7835	微芯片技术	DSC1121	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1121	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DSC1121CE1025.0000T	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	35mA	mems	±50ppm	-	-	22ma
DSC6331CI2CA-012.0000T	-	RFQ	9698	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		12 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）		150-DSC6331CI2CA-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±1.00％，中心扩展	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²