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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC6003JI2B-050.0000	-	RFQ	4479	微芯片技术	DSC60XX	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		50 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6003JI2B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1101DI1-033.3330	-	RFQ	9184	微芯片技术	DSC1101	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	33.333 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1101DI1-033.3330	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	35mA	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC1221NL1-125M0000T	-	RFQ	8731	微芯片技术	DSC12X1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	CMOS	2.5V〜3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1221NL1-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSA6001JL3B-024.5760VAO	-	RFQ	1099	微芯片技术	DSA60XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSA6001	24.576 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6001JL3B-024.5760VAO	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSA1105DA1-022.5792TVAO	-	RFQ	8348	微芯片技术	DSA1105	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1105	22.5792 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1105DA1-022.5792TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	35mA	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC6011MI3B-025.0000	-	RFQ	3898	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6011	25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6011MI3B-025.0000	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA
DSA63331HI2AB-012.0000TVAO	-	RFQ	6129	微芯片技术	DSA63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		12 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6331HI2AB-012.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-
DSC6331JI1DB-075.0000	-	RFQ	9582	微芯片技术	DSC63XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		75 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6331JI1DB-075.0000	Ear99	8542.39.0001	140	-	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.50％，中心扩散	-
DSC6311JI1DB-075.0000T	-	RFQ	3343	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		75 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JI1DB-075.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.50％，中心扩散	1.5µA（）
DSC6011JI2B-008.0000T	-	RFQ	8565	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		8 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6011JI2B-008.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA
DSC6311JE1BB-018.4320T	-	RFQ	9319	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		18.432 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JE1BB-018.4320TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±0.50％，中心扩展	1.5µA（）
DSA1123CL2-150.0000VAO	-	RFQ	9571	微芯片技术	DSA1123	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	（（（）		150 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1123CL2-150.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6102MI2B-027.0000	-	RFQ	5222	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		27 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6102MI2B-027.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA
DSA6001JA3B-016.0000VAO	-	RFQ	1583年	微芯片技术	DSA60XX	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		16 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6001JA3B-016.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSA1001DL3-006.0053TVAO	-	RFQ	1505	微芯片技术	DSA1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		6.0053 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1001DL3-006.0053TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSA6011JA2B-032K768TVAO	-	RFQ	1166	微芯片技术	DSA60XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		32.768 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6011JA2B-032K768TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSA1123CI2-156.2500TVAO	-	RFQ	7881	微芯片技术	DSA1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	（（（）		156.25 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1123CI2-156.2500TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6001JI2B-022.5792T	-	RFQ	5532	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		22.5792 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001JI2B-022.5792TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA1101BL2-040.0000VAO	-	RFQ	3866	微芯片技术	DSA1101	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1101	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1101BL2-040.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	35mA	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6331JI2EB-012.0000T	-	RFQ	4050	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		12 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6331JI2EB-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±2.00％，中心扩展	-
DSC1223NI1-156M2500T	-	RFQ	6133	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		156.25 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1223NI1-156M2500TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	23ma （典型）
DSC1103CL5-125.0000	-	RFQ	4861	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1103	125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1103CL5-125.0000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	32ma	mems	±10ppm	-	-	95µA
DSC1221CI2-25M00062	-	RFQ	6322	微芯片技术	DSC12X1	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		25.00062 MHz	CMOS	2.5V〜3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1221CI2-25M00062	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSC6311JI1DB-075.0000	-	RFQ	5260	微芯片技术	DSC63XX	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		75 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6311JI1DB-075.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.50％，中心扩散	1.5µA（）
DSA6011HI2B-002K730VAO	-	RFQ	8787	微芯片技术	DSA60XX	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		2.73 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6011HI2B-002K730VAO	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6003HI2B-048.0000T	-	RFQ	8965	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		48 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6003HI2B-048.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA6101JL2B-049.5000VAO	-	RFQ	7707	微芯片技术	DSA61XX	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		49.5 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6101JL2B-049.5000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA6102JL1B-008.0000TVAO	-	RFQ	5248	微芯片技术	DSA61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		8 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6102JL1B-008.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1201CI2-28M63636T	-	RFQ	9139	微芯片技术	DSC12X1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		28.63636 MHz	CMOS	2.5V〜3.3V	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1201CI2-28M63636TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSA63331HI2AB-012.0000VAO	-	RFQ	1868年	微芯片技术	DSA63XX	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		12 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6331HI2AB-012.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	100	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.25％，中心扩展	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²