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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
HTM6101JI3B-026.0000	-	RFQ	3147	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		26 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JI3B-026.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	-
M906101JI1B-002.0000T	-	RFQ	6660	微芯片技术	M9061xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		2 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-			150-M906101JI1B-002.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101JA2B-040.0000	-	RFQ	1449	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		40 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA2B-040.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-020.0000T	-	RFQ	2913	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		20 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA1B-020.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101MA2B-017.6000T	-	RFQ	4772	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		17.6 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101MA2B-017.6000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M911201CI2-125M0000T	-	RFQ	2522	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载			150-M911201CI2-125M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
HTM6101JA1B-100.0000	-	RFQ	7848	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo		100 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA1B-100.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
VC-714-EDG-SABN-200M0000000TR	-	RFQ	5546	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载			150-VC-714-EDG-SABN-200M0000000TR			1
DSC6112MI3B-060.0000	-	RFQ	1259	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6112	60 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6112MI3B-060.0000	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6083HI2A-051K200T	-	RFQ	5748	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		51.2 kHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		150-DSC6083HI2A-051K200TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	1.19ma ty（typ）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1101CL3-033.3300T	-	RFQ	7633	微芯片技术	DSC1101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1101	33.33 MHz	CMOS	2.25V〜3.6V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1101CL3-033.3300TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	35mA	mems	±20ppm	-	-	95µA
DSC6101MI1B-027.0000	-	RFQ	6585	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	27 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101MI1B-027.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6001MI3B-026.0000	-	RFQ	2969	微芯片技术	DSC60XX	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		26 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001MI3B-026.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA（）
DSA6011ML1B-025.0000TVAO	-	RFQ	9786	微芯片技术	DSA60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSA6011	25 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA6011ML1B-025.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSA1001CL3-133.3330VAO	-	RFQ	2371	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	133.333 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1001CL3-133.3330VAO	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	10.5mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSC1203BE3-148M5000	-	RFQ	2958	微芯片技术	DSC12X3	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		148.5 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1203BE3-148M5000	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
DSC1123CI3-125.0000	-	RFQ	3474	微芯片技术	DSC1123	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1123CI3-125.0000	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma	mems	±20ppm	-	-	22ma
DSC6001CI2A-029.4912	-	RFQ	9559	微芯片技术	DSC60XX	管子	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		29.4912 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		150-DSC6001CI2A-029.4912	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1203BE1-312M5000T	-	RFQ	6724	微芯片技术	DSC12X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1203	312.5 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1203BE1-312M5000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	32ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
DSC6001ME1B-052.4280	-	RFQ	6944	微芯片技术	DSC60XXB	包	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	52.428 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001ME1B-052.4280	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6011CI1A-004.0960T	-	RFQ	8651	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		4.096 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		150-DSC6011CI1A-004.0960TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	80µA（）
DSC6371HL3FB-024.0000	-	RFQ	1071	微芯片技术	DSC63XXB	包	积极的	-40°C〜105°C	-	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		24 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6371HL3FB-024.0000	Ear99	8542.39.0001	100	-	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	±2.50％，中心扩散	-
DSC1001CI1-003.5800	-	RFQ	7746	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		3.58 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001CI1-003.5800	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1103BI2-156.2500	-	RFQ	6665	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	156.25 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1103BI2-156.2500	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	32ma	mems	±25ppm	-	-	95µA
DSC6001JI1B-008.0000	-	RFQ	3301	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	8 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001JI1B-008.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6001JE2B-016.0000T	-	RFQ	7752	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6001	16 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6001JE2B-016.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA1223CI2-100M0000VAO	-	RFQ	9709	微芯片技术	DSA12X3	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSA1223CI2-100M0000VAO	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSC6011MI1B-050.0000	-	RFQ	1492	微芯片技术	DSC60XX	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6011	50 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6011MI1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	80µA（）
DSC1001CL1-002.0000	-	RFQ	9594	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	2 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001CL1-002.0000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1001DL2-012.5000T	-	RFQ	2826	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	12.5 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC1001DL2-012.5000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²