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振荡器（（15893）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 评分 尺寸 /尺寸 高度 -座位（最大） 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 输出 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -供应（最大） 基础谐振器 频率稳定性 （4月） 传播频谱带宽 （（（（（））
DSC1121BI2-010.0000 Microchip Technology DSC1121BI2-010.0000 -
RFQ
 ECAD 1342 0.00000000 微芯片技术 DSC1121 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 10 MHz CMOS 2.25V〜3.6V - rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1121BI2-010.0000 Ear99 8542.39.0001 72 启用/禁用 35mA mems ±25ppm - - 22ma
DSC1223NI1-135M0000 Microchip Technology DSC1223NI1-135M0000 -
RFQ
 ECAD 8658 0.00000000 微芯片技术 DSC12X3 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 135 MHz LVD 2.25V〜3.63V - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-DSC1223NI1-135M0000 Ear99 8542.39.0001 50 启用/禁用 32ma（类型） mems ±50ppm - - 23ma （典型）
DSC1003CI2-020.0000T Microchip Technology DSC1003CI2-020.0000T -
RFQ
 ECAD 2015 0.00000000 微芯片技术 DSC1003 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） 20 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-DSC1003CI2-020.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 6.5mA mems ±25ppm - - 15µA
DSC1001BE1-033.3333 Microchip Technology DSC1001BE1-033.3333 -
RFQ
 ECAD 4295 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-vdfn XO （标准） 33.3333 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 150-DSC1001BE1-033.3333 Ear99 8542.39.0001 72 （（（） 8mA mems ±50ppm - - 15µA
VC-801-EAC-KAAN-25M0000000_SNPB Microchip Technology VC-801-EAC-KAAN-25M0000000_SNPB -
RFQ
 ECAD 5964 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50
DSC6003MA3B-080.0000T Microchip Technology DSC6003MA3B-080.0000T -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 微芯片技术 DSC60XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C AEC-Q100 0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vflga XO （标准） 80 MHz CMOS 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC6003MA3B-080.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 1.3mA ty（类型） mems ±20ppm - - -
DSC1028DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1028DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 2074 0.00000000 微芯片技术 DSC1028 管子 过时的 -40°C〜85°C - 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） 19.2 MHz CMOS 2.8V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 140 （（（） （3ma （典型） mems ±25ppm - - 1µA
DSC6003JI2B-250K000 Microchip Technology DSC6003JI2B-250K000 -
RFQ
 ECAD 3560 0.00000000 微芯片技术 DSC60XXB 管子 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） DSC6003 250 kHz CMOS 1.71V〜3.63V - rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC6003JI2B-250K000 Ear99 8542.39.0001 140 启用/禁用 1.3mA ty（类型） mems ±25ppm - - -
DSC6001JE1A-052.0000 Microchip Technology DSC6001JE1A-052.0000 -
RFQ
 ECAD 7865 0.00000000 微芯片技术 DSC60XX 管子 过时的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） 52 MHz CMOS 1.71V〜3.63V - rohs3符合条件 150-DSC6001JE1A-052.0000 Ear99 8542.39.0001 140 启用/禁用 1.3mA ty（类型） mems ±50ppm - - -
DSC1001BL5-001.1388 Microchip Technology DSC1001BL5-001.1388 -
RFQ
 ECAD 5880 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1001 1.1388 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 （（（） 6.3mA mems ±10ppm - - -
CD-700-FZC Microchip Technology CD-700-FZC -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 过时的 - 到达不受影响 150-CD-700-FZC 过时的 1
DSC1121AM1-024.0000 Microchip Technology DSC1121AM1-024.0000 -
RFQ
 ECAD 3524 0.00000000 微芯片技术 DSC1121 管子 积极的 -55°C〜125°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 24 MHz CMOS 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1121AM1-024.0000 Ear99 8542.39.0001 50 启用/禁用 22ma mems ±50ppm - - 35mA
DSA6112MA1B-060.9250VAO Microchip Technology DSA6112MA1B-060.9250VAO -
RFQ
 ECAD 8403 0.00000000 微芯片技术 DSA61XX 包 积极的 -40°C〜125°C AEC-Q100 0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vflga XO （标准） 60.925 MHz CMOS 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA6112MA1B-060.9250VAO Ear99 8542.39.0001 100 （（（） - mems ±50ppm - - 1.5µA（）
DSA1003DL3-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1003DL3-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2614 0.00000000 微芯片技术 DSA1003 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-vdfn XO （标准） 25 MHz CMOS 1.7v〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA1003DL3-025.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 8mA mems ±20ppm - - 15µA
DSC1202NE1-52M50000T Microchip Technology DSC1202NE1-52M50000T -
RFQ
 ECAD 6488 0.00000000 微芯片技术 DSC1202 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜70°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 52.5 MHz lvpecl 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1202NE1-52M50000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 50mA （典型） mems ±50ppm - - 5µA
DSC1221BL2-25M00000T Microchip Technology DSC1221BL2-25M00000T -
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 微芯片技术 DSC12X1 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 25 MHz CMOS 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1221BL2-25M00000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 27ma（类型） mems ±25ppm - - 23ma （典型）
DSC1204NI1-100M0000 Microchip Technology DSC1204NI1-100M0000 -
RFQ
 ECAD 9214 0.00000000 微芯片技术 DSC12X2 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 100 MHz HCSL 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1204NI1-100M0000 Ear99 8542.39.0001 50 （（（） 40mA （典型） mems ±50ppm - - 5µA
DSC1223NE2-100M0000T Microchip Technology DSC1223NE2-100M0000T -
RFQ
 ECAD 7592 0.00000000 微芯片技术 DSC12X2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜70°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 100 MHz LVD 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1223NE2-100M0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 32ma（类型） mems ±25ppm - - 23ma （典型）
DSA6112JL2B-024.0000TVAO Microchip Technology DSA6112JL2B-024.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 微芯片技术 DSA61XX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） 24 MHz CMOS 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA6112JL2B-024.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） - mems ±25ppm - - 1.5µA（）
DSC1001AE1-007.5000 Microchip Technology DSC1001AE1-007.5000 -
RFQ
 ECAD 7770 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-vdfn裸露的垫子 XO （标准） 7.5 MHz CMOS 1.7v〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1001AE1-007.5000 Ear99 8542.39.0001 50 （（（） 6.5mA mems ±50ppm - - 15µA
DSC1121CI1-033.3333T Microchip Technology DSC1121CI1-033.3333T -
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 微芯片技术 DSC1121 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 33.3333 MHz CMOS 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1121CI1-033.333333TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 22ma mems ±50ppm - - 35mA
DSA1003DL1-025.0000TVAO Microchip Technology DSA1003DL1-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 微芯片技术 DSA1003 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-vdfn XO （标准） 25 MHz CMOS 1.7v〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA1003DL1-025.0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 8mA mems ±50ppm - - 15µA
DSC6311MI2LB-037.1250T Microchip Technology DSC6311MI2LB-037.1250T -
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 微芯片技术 DSC63XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vflga XO （标准） 37.125 MHz lvcmos 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC6311MI2LB-037.1250TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） - mems ±25ppm - -3.00％，下降 1.5µA（）
DSC1121AI3-054.8352T Microchip Technology DSC1121AI3-054.8352T -
RFQ
 ECAD 7602 0.00000000 微芯片技术 DSC1121 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 54.8352 MHz CMOS 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1121AI3-054.8352TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 22ma mems ±20ppm - - 35mA
DSA6331JI2BB-027.0000VAO Microchip Technology DSA6331JI2BB-027.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 微芯片技术 DSA63XX 管子 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） 27 MHz lvcmos 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA6331JI2BB-027.0000VAO Ear99 8542.39.0001 140 - - mems ±25ppm - ±0.50％，中心扩展 -
M911221CI2-20M00000 Microchip Technology M911221CI2-20M00000 -
RFQ
 ECAD 6448 0.00000000 微芯片技术 M9112x1 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 20 MHz CMOS 2.25V〜3.63V 下载 150-M911221CI2-20M00000 Ear99 8542.39.0001 110 （（（） 27ma（类型） mems ±25ppm - - 5µA
HTM6101JA2B-040.0000T Microchip Technology HTM6101JA2B-040.0000T -
RFQ
 ECAD 8559 0.00000000 微芯片技术 htm61xx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C - 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 tcxo 40 MHz CMOS 1.8V〜3.3V - 150-HTM6101JA2B-040.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 4ma（类型） mems ±25ppm - - -
M921223CI1-20M00000 Microchip Technology M921223CI1-20M00000 -
RFQ
 ECAD 5712 0.00000000 微芯片技术 M9212x3 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 20 MHz LVD 2.5V，3.3V 下载 150-M921223CI1-20M00000 Ear99 8542.39.0001 110 启用/禁用 32ma（类型） mems ±50ppm - - 23ma （典型）
HTM6101JA1B-032.0000 Microchip Technology HTM6101JA1B-032.0000 -
RFQ
 ECAD 1716年 0.00000000 微芯片技术 htm61xx 管子 积极的 -40°C〜125°C - 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 tcxo 32 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 150-HTM6101JA1B-032.0000 Ear99 8542.39.0001 140 启用/禁用 4ma（类型） mems ±50ppm - - -
HTM6111JA3B-100.0000T Microchip Technology HTM6111JA3B-100.0000T -
RFQ
 ECAD 6486 0.00000000 微芯片技术 htm61xx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C - 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 tcxo 100 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 150-HTM6111JA3B-100.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 4ma（类型） mems ±20ppm - - 1.5µA（）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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