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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSA6001HI2B-025.0000TVAO	-	RFQ	9704	微芯片技术	DSA60XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6001HI2B-025.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA1121DA1-025.0000TVAO	-	RFQ	9585	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1121DA1-025.0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1001DL2-050.0000	-	RFQ	7499	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1121BA2-025.0000VAO	-	RFQ	4828	微芯片技术	DSA1121	大部分	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSA1121	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1	（（（）	35mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC6331JA2BB-004.0000	-	RFQ	2720	微芯片技术	DSC63XXB	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		4 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6331JA2BB-004.0000	Ear99	8542.39.0001	140	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±0.50％，中心扩展	-
DSC6011JI2B-250K000T	-	RFQ	7325	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6011	250 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	-	±25ppm	-	-
M911221CI3-25M00000	-	RFQ	2850	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载				150-M911221CI3-25M00000	Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
DSC6301MI2CB-008.0000T	-	RFQ	4139	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6301	8 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6301MI2CB-008.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	±1.00％，中心扩展	-
DSC6331JE1EB-012.0000T	-	RFQ	1132	微芯片技术	DSC63XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6331	12 MHz	lvcmos	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6331JE1EB-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±2.00％，中心扩展	-
DSC6001JI1A-016.6250	-	RFQ	7518	微芯片技术	DSC60XX	管子	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		16.625 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001AL2-029.4912T	-	RFQ	2502	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1001	29.4912 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC1122DI2-050.0000	-	RFQ	1336	微芯片技术	DSC1122	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1122	50 MHz	lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	58mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC1123CI2-020.0000	2.7000	RFQ	440	微芯片技术	DSC1123	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1123	20 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	32ma	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC1223NE2-100M0000	-	RFQ	6937	微芯片技术	DSC12X3	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1223NE2-100M0000	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
DSC1122CI2-100.0000	-	RFQ	4573	微芯片技术	DSC1122	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1122	100 MHz	lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	58mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC1001AL2-016.0000	1.4000	RFQ	1923年	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，无铅裸垫	XO （标准）	DSC1001	16 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	（（（）	6.5mA	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6001HI2B-032.0000T	-	RFQ	8178	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6001	32 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6001HI2B-032.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
MX573ABA212M500	-	RFQ	5302	微芯片技术	MX57	托盘	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX573ABA212M500	212.5 MHz	lvpecl	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	43	启用/禁用	120mA	水晶	±50ppm	-	-	-
VCC6-LCF-156M250000	-	RFQ	8829	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
MX554EBB120M000	-	RFQ	1772年	微芯片技术	MX55	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX554EBB120M000	120 MHz	LVD	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	60	启用/禁用	90mA	水晶	±50ppm	-	-	-
DSA6102JI1B-033.3333333TVAO	-	RFQ	7844	微芯片技术	DSA61XX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		33.3333 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6102JI1B-033.333333TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
090-02789-001	-	RFQ	9839	微芯片技术	SA.45S CSAC	托盘	积极的	-10°C〜70°C	-	1.600“ l x 1.390” W （40.64mm x 35.31mm）	0.460“（11.68mm）	通过洞	12浸模块，9条线索	原子		10 MHz	CMOS	3.3V	-			到达不受影响	150-090-02789-001	Ear99	8542.39.0001	1	-	-	水晶	±500ppt	-	-	-
DSC1001CL5-013.5800	-	RFQ	1426	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	13.58 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.3mA	mems	±10ppm	-	-	-
DSC1001DI3-025.0000	-	RFQ	5046	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		25 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1001DI3-025.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSC1001DC1-072.0000T	-	RFQ	5925	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	72 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8.7mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
MO-9000AE-4F-EE-40M0000000	-	RFQ	1457	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSC1001DE1-026.0000T	-	RFQ	6005	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	26 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.3mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
MX573LB148M500-Tr	-	RFQ	1919年	微芯片技术	MX57	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX573LB148M500	148.5 MHz	LVD	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	90mA	水晶	±50ppm	-	-	-
DSC1001CE1-100.0000T	-	RFQ	9004	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	100 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	10.5mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1001BI2-066.6660	-	RFQ	1471	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	66.666 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²