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振荡器（（15893）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 评分 尺寸 /尺寸 高度 -座位（最大） 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 输出 电压 -电源 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 功能 电流 -供应（最大） 基础谐振器 频率稳定性 （4月） 传播频谱带宽 （（（（（））
DSC6001JI1B-020.0000T Microchip Technology DSC6001JI1B-020.0000T -
RFQ
 ECAD 3050 0.00000000 微芯片技术 DSC60XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） DSC6001 20 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC6001JI1B-020.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 1.3mA ty（类型） mems ±50ppm - - -
DSC1103NI2-156.2500 Microchip Technology DSC1103NI2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 7481 0.00000000 微芯片技术 DSC1103 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） DSC1103 156.25 MHz LVD 2.25V〜3.63V 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 （（（） 32ma mems - ±25ppm - 95µA
DSC1101AE5-007.6800T Microchip Technology DSC1101AE5-007.6800T -
RFQ
 ECAD 9441 0.00000000 微芯片技术 DSC1101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜70°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-SMD，无铅裸垫 XO （标准） DSC1101 7.68 MHz CMOS 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 35mA mems ±10ppm - - 95µA
DSA1221BI3-125M0000TVAO Microchip Technology DSA1221BI3-125M0000TVAO -
RFQ
 ECAD 8600 0.00000000 微芯片技术 DSA12X1 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 125 MHz CMOS 2.5V〜3.3V 下载 到达不受影响 150-DSA1221BI3-125M0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 27ma（类型） mems ±20ppm - - 23ma （典型）
VCC1-B3C-16M0000000 Microchip Technology VCC1-B3C-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BE2-014.7450 Microchip Technology DSC1001BE2-014.7450 -
RFQ
 ECAD 6559 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1001 14.745 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 （（（） 6.3mA mems ±25ppm - - -
DSC1123NE2-156.2500 Microchip Technology DSC1123NE2-156.2500 -
RFQ
 ECAD 8383 0.00000000 微芯片技术 DSC1123 管子 积极的 -20°C〜70°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 启用/禁用 32ma mems ±25ppm - - 22ma
DSC1001CI5-037.0879 Microchip Technology DSC1001CI5-037.0879 -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1001 37.0879 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 110 （（（） 7.2mA mems ±10ppm - - 15µA
VC-708-EDE-FNXN-106M250000_SNPB Microchip Technology VC-708-EDE-FNXN-106M250000_SNPB -
RFQ
 ECAD 9643 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50
DSC1122NI1-078.1250T Microchip Technology DSC1122NI1-078.1250T -
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 微芯片技术 DSC1122 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1122 78.125 MHz lvpecl 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 58mA mems ±50ppm - - 22ma
DSC6083ME1A-032K768 Microchip Technology DSC6083ME1A-032K768 -
RFQ
 ECAD 3408 0.00000000 微芯片技术 DSC60XX 包 过时的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） 32.768 kHz CMOS 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 100 - 1.3mA ty（类型） mems ±50ppm - - -
VV-800-EAE-KAAN-77M76000000 Microchip Technology VV-800-EAE-KAAN-77M76000000 -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 500
DSC1121CI2-012.2880T Microchip Technology DSC1121CI2-012.2880T -
RFQ
 ECAD 6944 0.00000000 微芯片技术 DSC1121 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1121 12.288 MHz CMOS 2.25V〜3.6V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 35mA mems ±25ppm - - 22ma
DSC1001CI2-016.9344 Microchip Technology DSC1001CI2-016.9344 -
RFQ
 ECAD 5512 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1001 16.9344 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 110 （（（） 6.3mA mems ±25ppm - - 15µA
DSC6111ME2A-006.1679T Microchip Technology DSC6111ME2A-006.1679T 1.1200
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 微芯片技术 DSC61XX 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） 6.1679 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） （3ma （典型） mems ±25ppm - - 80µA（）
VC-714-HDE-FAAN-250M0000000TR Microchip Technology VC-714-HDE-FAAN-250M0000000TR -
RFQ
 ECAD 7172 0.00000000 微芯片技术 VC-714 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.071“（1.80mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） 250 MHz LVD 2.5V 下载 150-VC-714-HDE-FAAN-250M0000000TR 1 启用/禁用 70mA 水晶 ±20ppm - - 30µA
DSC1001DL2-025.0000 Microchip Technology DSC1001DL2-025.0000 1.0000
RFQ
 ECAD 4761 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1001 25 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 140 （（（） 6.3mA mems ±25ppm - - 15µA
VCC1-B1B-94M2080000 Microchip Technology VCC1-B1B-94M2080000 -
RFQ
 ECAD 4539 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000
DSC1123BI5-010.0000 Microchip Technology DSC1123BI5-010.0000 -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 微芯片技术 DSC1123 管子 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） DSC1123 10 MHz LVD 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 72 启用/禁用 32ma mems ±10ppm - - 22ma
DSA1224DL2-100M0000TVAO Microchip Technology DSA1224DL2-100M0000TVAO -
RFQ
 ECAD 1997 0.00000000 微芯片技术 DSA12X4 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 100 MHz HCSL 2.5V〜3.3V 下载 到达不受影响 150-DSA1224DL2-100M0000TVAOTR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 40mA （典型） mems ±25ppm - - 23ma （典型）
DSC6011HI2B-010.0000T Microchip Technology DSC6011HI2B-010.0000T -
RFQ
 ECAD 4869 0.00000000 微芯片技术 DSC60XXB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vflga XO （标准） 10 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC6011HI2B-010.0000TTR Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） 1.3mA ty（类型） mems ±25ppm - - 1.5µA（）
VT-702-EAE-2870-12M8000000 Microchip Technology VT-702-EAE-2870-12M8000000 -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 微芯片技术 * 胶带和卷轴（（tr） 上次购买 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000
VC-806-HDE-SABN-200M000000TR Microchip Technology VC-806-HDE-SABN-200M000000TR -
RFQ
 ECAD 7227 0.00000000 微芯片技术 VC-806 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C - 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.051“（1.30mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） 200 MHz LVD 2.5V - 到达不受影响 150-VC-806-HDE-SABN-200M000000TR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 60mA 水晶 ±100ppm - - -
DSC1202NE1-52M50000 Microchip Technology DSC1202NE1-52M50000 -
RFQ
 ECAD 4855 0.00000000 微芯片技术 DSC1202 管子 积极的 -20°C〜70°C - 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-vdfn XO （标准） 52.5 MHz lvpecl 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSC1202NE1-52M50000 Ear99 8542.39.0001 50 （（（） 50mA （典型） mems ±50ppm - - 5µA
MX553DBG166M666 Microchip Technology MX553DBG166M666 -
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 微芯片技术 MX55 管子 积极的 -40°C〜85°C - 0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm） 0.055“（1.40mm） 表面安装 6-SMD，没有铅 XO （标准） MX553DBG166M666 166.666 MHz LVD 2.375V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 60 启用/禁用 90mA 水晶 ±50ppm - - -
DSC6001CI2A-004.0000 Microchip Technology DSC6001CI2A-004.0000 -
RFQ
 ECAD 2908 0.00000000 微芯片技术 DSC60XX 管子 过时的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） 4 MHz CMOS 1.71V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 110 启用/禁用 1.3mA ty（类型） mems ±25ppm - - -
DSA6311JL3AB-054.0000VAO Microchip Technology DSA6311JL3AB-054.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8146 0.00000000 微芯片技术 DSA63XX 管子 积极的 -40°C〜105°C AEC-Q100 0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm） 0.035“（0.89mm） 表面安装 4-vlga XO （标准） DSA6311 54 MHz lvcmos 1.71V〜3.63V - rohs3符合条件 到达不受影响 150-DSA6311JL3AB-054.0000VAO Ear99 8542.39.0001 140 （（（） （3ma （典型） mems ±20ppm - ±0.25％，中心扩展 -
DSC1123AI1-150.0000T Microchip Technology DSC1123AI1-150.0000T -
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 微芯片技术 DSC1123 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C AEC-Q100 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 6-SMD，无铅裸垫 XO （标准） DSC1123 150 MHz LVD 2.25V〜3.63V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 DSC1123AI1-150.0000TMCR Ear99 8542.39.0001 1,000 启用/禁用 32ma mems ±50ppm - - 22ma
DSC1033CE1-008.0000T Microchip Technology DSC1033CE1-008.0000T -
RFQ
 ECAD 1864年 0.00000000 微芯片技术 DSC1033，Puresilicon™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜70°C - 0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，没有铅 XO （标准） DSC1033 8 MHz CMOS 3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 1,000 （（（） （3ma （典型） mems ±50ppm - - 1µA
DSC1001AE2-080.0000 Microchip Technology DSC1001AE2-080.0000 1.4000
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 微芯片技术 DSC1001 管子 积极的 -20°C〜70°C AEC-Q100 0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm） 0.035“（0.90mm） 表面安装 4-SMD，无铅裸垫 XO （标准） DSC1001 80 MHz CMOS 1.8V〜3.3V 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 50 （（（） 10.5mA mems ±25ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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