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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
HTM6101JA1B-100.0000T	-	RFQ	6786	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	100 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA1B-100.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-001.2000T	-	RFQ	4426	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	1.2 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA1B-001.2000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M921223NI3-200M0000T	-	RFQ	3371	微芯片技术	M9212x3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	200 MHz	LVD	2.5V，3.3V	下载			150-M921223NI3-200M0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221BI1-40M00000T	-	RFQ	2805	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载			150-M911221BI1-40M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	5µA
HTM6101MA2B-012.0000	-	RFQ	8052	微芯片技术	htm61xx	包	积极的	-40°C〜125°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101MA2B-012.0000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101JA2B-050.0000T	-	RFQ	8246	微芯片技术	htm61xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA2B-050.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
HTM6101JA1B-050.0000	-	RFQ	9448	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载			150-HTM6101JA1B-050.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
M906101JI2B-033.3333T	-	RFQ	1565年	微芯片技术	M9061xx	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	33.3333 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载			150-M906101JI2B-033.333333TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M911201CI3-80M00000	-	RFQ	4137	微芯片技术	M9112x1	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	80 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载			150-M911201CI3-80M00000	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	23ma （典型）
M911221BI3-25M00000T	-	RFQ	7791	微芯片技术	M9112x1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载			150-M911221BI3-25M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA
VCC1-B3C-103M680000	-	RFQ	7596	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	103.68 MHz	CMOS	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VCC1-B3C-103M680000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	50mA	水晶	±100ppm	-	-	30µA
VC-801-DAE-EAAN-18M4320000	-	RFQ	5587	微芯片技术	VC-801	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	18.432 MHz	CMOS	5V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-801-DAE-EAAN-18M4320000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	10mA	水晶	±20ppm	-	-	30µA
VC-801-HAW-FAAN-25M0000000	-	RFQ	3498	微芯片技术	VC-801	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜70°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	25 MHz	CMOS	2.5V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-801-HAW-FAAN-25M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	15mA	水晶	±25ppm	-	-	30µA
VCC1-B3C-10M0000000_SNPB	-	RFQ	3732	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	10 MHz	CMOS	3.3V	-		到达不受影响	150-VCC1-B3C-10M0000000_SNPBTR	Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	7ma	水晶	±100ppm	-	-	30µA
VCC4-H3F-12M0000000	-	RFQ	3644	微芯片技术	VCC4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	12 MHz	CMOS	1.8V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VCC4-H3F-12M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	5mA	水晶	±25ppm	-	-	30µA
VC-709-EDE-FAAN-200M000000	-	RFQ	9872	微芯片技术	VC-709	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.067“（1.70mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	200 MHz	LVD	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-709-EDE-FAAN-200M000000	Ear99	8542.39.0001	250	启用/禁用	45mA	水晶	±25ppm	-	-	-
VCC4-F3D-64M0000000	-	RFQ	5991	微芯片技术	VCC4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	64 MHz	CMOS	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VCC4-F3D-64M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	30mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
VC-708-ECW-KNXN-200M000000	-	RFQ	2898	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.071“（1.80mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	200 MHz	lvpecl	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-708-ECW-KNXN-200M000000TR	Ear99	8542.39.0001	1	-	65mA	水晶	±50ppm	-	-	-
VCC1-B1B-25M0000000TR	-	RFQ	3033	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	25 MHz	CMOS	3.3V	-		到达不受影响	150-VCC1-B1B-25M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	20mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
VCC1-B3E-12M3520000TR	-	RFQ	6292	微芯片技术	VCC1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	12.352 MHz	CMOS	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VCC1-B3E-12M3520000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	7ma	水晶	±25ppm	-	-	30µA
VC-820-EAE-KAAN-66M6660000	-	RFQ	8172	微芯片技术	VC-820	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.047“（1.20mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	66.666 MHz	CMOS	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-820-EAE-KAAN-66M6660000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	9MA	水晶	±50ppm	-	-	5µA
VT-841-EFE-106B-40M0000000	-	RFQ	2381	微芯片技术	VT-841	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	40 MHz	剪裁正弦波	3.3V	-		到达不受影响	150-VT-841-EFE-106B-40M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	-	2.5mA	水晶	±1ppm	-	-	-
VC-840-9005-12M80000000TR	-	RFQ	6535	微芯片技术	VC-840	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	12.8 MHz	lvcmos	-	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-840-9005-12M80000000TR	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	-	水晶	-	-	-	10µA
VT-841-EFE-5070-40M0000000	-	RFQ	1194	微芯片技术	VT-841	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	tcxo	40 MHz	剪裁正弦波	3.3V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VT-841-EFE-5070-40M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	1	-	2.5mA	水晶	±500ppb	-	-	-
VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR	-	RFQ	2752	微芯片技术	VC-820	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.047“（1.20mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	26 MHz	CMOS	2.5V	-	rohs3符合条件	到达不受影响	150-VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR	Ear99	8542.39.0001	3,000	启用/禁用	5.5mA	水晶	±50ppm	-	-	5µA
DSA6001JA2B-003K277VAO	-	RFQ	6875	微芯片技术	DSA60XX	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	3.277 kHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		到达不受影响	150-DSA6001JA2B-003K277VAO	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6011JI1B-024.0000	-	RFQ	3161	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	24 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		到达不受影响	150-DSC6011JI1B-024.0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	80µA（）
DSC6101JE1B-030.0000	-	RFQ	7755	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	30 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		到达不受影响	150-DSC6101JE1B-030.0000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6101JA3B-024.0000T	-	RFQ	6796	微芯片技术	DSC61XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	24 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	到达不受影响	150-DSC6101JA3B-024.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC6003JL3B-004.0960	-	RFQ	3622	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	4.096 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		到达不受影响	150-DSC6003JL3B-004.0960TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²