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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC1123BI5-040.0000T	-	RFQ	4557	微芯片技术	DSC1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	40 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1123BI5-040.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±10ppm	-	-	22ma
DSA1001DI2-019.2000VAO	-	RFQ	3194	微芯片技术	DSA1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	19.2 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1001DI2-019.2000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	6.5mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSA1101DA1-008.0000VAO	-	RFQ	2738	微芯片技术	DSA1101	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		8 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1101DA1-008.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	35mA	mems	±50ppm	-	-	95µA
DSC6011JI3B-012.0000T	-	RFQ	9330	微芯片技术	DSC60XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC6011JI3B-012.0000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±20ppm	-	-	1.5µA
VC-801-EAF-KAAN-125M0000000	-	RFQ	8665	微芯片技术	VC-801	条	积极的	-40°C〜105°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	VC-801	125 MHz	CMOS	3.3V	下载			到达不受影响	150-VC-801-EAF-KAAN-125M0000000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	40mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
VC-840-9005-12M80000000	-	RFQ	4502	微芯片技术	VC-840	条	积极的	-	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	VC-840	12.8 MHz	CMOS	-	下载			到达不受影响	150-VC-840-9005-12M80000000	Ear99	8542.39.0001	100	-	-	水晶	-	-	-	-
VT-803-0061-24M0000000	-	RFQ	2214	微芯片技术	VT-803	条	过时的	-	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.059“（1.50mm）	表面安装	8-SMD，没有铅	tcxo		24 MHz	CMOS	-	下载				150-VT-803-0061-24M0000000	Ear99	8542.39.0001	1	-	3MA	水晶	-	-	-	-
VCC1-B1B-25M0000000	-	RFQ	6893	微芯片技术	VCC1	条	积极的	-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	VCC1-B1	25 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VCC1-B1B-25M0000000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	20mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
VCC1-B3E-12M3520000	-	RFQ	2764	微芯片技术	VCC1	条	积极的	-10°C〜70°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	VCC1-B3	12.352 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VCC1-B3E-12M3520000	Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	7ma	水晶	±25ppm	-	-	30µA
VT-803-GFE-207C-40M0000000	-	RFQ	9107	微芯片技术	VT-803	条	过时的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.059“（1.50mm）	表面安装	8-SMD，没有铅	tcxo		40 MHz	剪裁正弦波	2.8V	下载				150-VT-803-GFE-207C-40M0000000	Ear99	8542.39.0001	1	-	3.4mA	水晶	±200ppb	±10ppm	-	-
VC-820-0010-114M285000	7.2300	RFQ	9853	微芯片技术	VC-820	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.043“ （1.10mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	VC-820	114.285 MHz	CMOS	3.3V	下载			到达不受影响	150-VC-820-0010-114M285000TR	Ear99	8542.39.0001	1	启用/禁用	30mA	水晶	±25ppm	-	-	10µA
DSC1033CI1-012.0000T	-	RFQ	2495	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		12 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1µA
DSC1018DC2-024.0000	-	RFQ	8247	微芯片技术	DSC1018	管子	积极的	0°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1018	24 MHz	CMOS	1.8V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	3MA	mems	±25ppm	-	-	1µA
DSC1522JI2A-50M00000T	-	RFQ	7014	微芯片技术	DSC152X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		50 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						1,000	启用/禁用	7.5mA	mems	±25ppm	-	-	7.8mA
DSC1522JL2A-24M00000	1.0200	RFQ	2119	微芯片技术	DSC152X	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		24 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						140	启用/禁用	7.5mA	mems	±25ppm	-	-	7.8mA
DSC1522ML2A-52M08333	-	RFQ	2947	微芯片技术	DSC152X	包	积极的	-40°C〜105°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		52.08333 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						100	启用/禁用	7.5mA	mems	±25ppm	-	-	7.8mA
DSC1522JL2A-50M00000	1.0200	RFQ	9049	微芯片技术	DSC152X	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		50 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						140	启用/禁用	7.5mA	mems	±25ppm	-	-	7.8mA
DSC15222222MA1A-20M00000T	-	RFQ	2412	微芯片技术	DSC152X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		20 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						1,000	启用/禁用	7.5mA	mems	±50ppm	-	-	7.8mA
DSC1523JI1A-4M000000	-	RFQ	3731	微芯片技术	DSC152X	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		4 MHz	lvcmos	2.5V，3.3V	下载	rohs3符合条件						140	启用/禁用	7.5mA	mems	±50ppm	-	-	7.8mA
DSC6001JI2B-020.0000	0.9000	RFQ	6606	微芯片技术	DSC60XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		20 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6001JI2B-020.0000			140	启用/禁用	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6111BI1B-040.0000	0.9240	RFQ	1041	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		40 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111BI1B-040.0000			72	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111JI1B-012.0000	0.8640	RFQ	9431	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		12 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111JI1B-012.0000			140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111BI2B-020.0000	0.9720	RFQ	2817	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		20 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111BI2B-020.0000			72	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111CI1B-020.0000	0.8760	RFQ	8628	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		20 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111CI1B-020.0000			110	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
HTM6101JA2B-100.0000	-	RFQ	2109	微芯片技术	htm61xx	管子	积极的	-40°C〜125°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	tcxo		100 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-HTM6101JA2B-100.0000			140	启用/禁用	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
M906111CI2B-080.0000	-	RFQ	9666	微芯片技术	M9061xx	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		80 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-M906111CI2B-080.0000			110	（（（）	4ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111JE1B-024.0000	-	RFQ	6322	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-20°C〜70°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		24 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111JE1B-024.0000			140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111HI1B-050.0000	1.0440	RFQ	6180	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	-	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		50 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111HI1B-050.0000			100	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111CI1B-008.0000	0.8760	RFQ	4541	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		8 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111CI1B-008.0000			110	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6111BI1B-033.3330	0.9240	RFQ	3766	微芯片技术	DSC61XXB	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		33.333 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载				150-DSC6111BI1B-033.3330			72	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²