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振荡器（（15893）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	输出	电压 -电源	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电流 -供应（最大）	基础谐振器	频率稳定性	（4月）	传播频谱带宽	（（（（（））
DSC6112HI2B-432K000	-	RFQ	1462	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6112	432 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	（（（）	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6311JL1BB-028.6364T	-	RFQ	4382	微芯片技术	DSC63XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6311	28.6364 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6331HE1CB-024.0000	-	RFQ	9333	微芯片技术	DSC63XXB	包	积极的	-20°C〜70°C	-	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6331	24 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	-	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.00％，中心扩展	-
DSC6331JI1CB-027.0000T	0.8800	RFQ	3000	微芯片技术	DSC63XXB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSC6331	27 MHz	lvcmos	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	-	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	±1.00％，中心扩展	-
VCC1-B0D-125M000000	-	RFQ	8784	微芯片技术	VCC1	大部分	过时的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.075“（1.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		125 MHz	CMOS	3.3V	-				150-VCC1-B0D-125M000000	过时的		1	-	50mA	水晶	±50ppm	-	-	30µA
VCC4A-1028-66M6660000TR	-	RFQ	4661	微芯片技术	VCC4A	大部分	积极的	-	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		66.666 MHz	CMOS	-	下载				150-VCC4A-1028-66M6660000TR			1	启用/禁用	-	水晶	-	-	-	10µA
DSC1001DI1-002.0000T	-	RFQ	6854	微芯片技术	DSC1001	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	2 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	6.3mA	mems	±50ppm	-	-	-
MV-9350AE-6F-ENK125M000000	-	RFQ	4531	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	250
DSC1001BI1-125.0000	-	RFQ	2907	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	125 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	8.7mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
DSC1001CI2-004.3000	-	RFQ	1203	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	4.3 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	6.3mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC1221CL2-25M00000	1.1760	RFQ	8876	微芯片技术	DSC12X1	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1221	25 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1221CL2-25M00000	Ear99	8542.39.0001	110	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSA6111JA1B-027.0000VAO	-	RFQ	2100	微芯片技术	DSA61XX	管子	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）	DSA6111	27 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA6111JA1B-027.0000VAO	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1.5µA（）
DSC6083ME2A-032K768	-	RFQ	1834年	微芯片技术	DSC60XX	包	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）		32.768 kHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	100	-	1.3mA ty（类型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC6101MA3B-027.0000	1.5000	RFQ	9519	微芯片技术	DSC61XXB	包	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vflga	XO （标准）	DSC6101	27 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	100	启用/禁用	（3ma （典型）	mems	±20ppm	-	-	-
DSC6183CE2A-455K000	-	RFQ	9416	微芯片技术	DSC61XX	管子	过时的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）		455 kHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	110	-	（3ma （典型）	mems	±25ppm	-	-	-
DSC1103CL3-100.0000	-	RFQ	3625	微芯片技术	DSC1103	管子	积极的	-40°C〜105°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1103	100 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	（（（）	32ma	mems	-	±20ppm	-	95µA
DSA1221CA2-125M0000TVAO	-	RFQ	5410	微芯片技术	DSA12X1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	AEC-Q100	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	CMOS	2.5V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSA1221CA2-125M0000TVAOTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	27ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	23ma （典型）
VCC1-B3D-16M0000000	-	RFQ	3677	微芯片技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000
DSC1203DI2-125M0000	-	RFQ	3510	微芯片技术	DSA12X3	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）		125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1203DI2-125M0000	Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	32ma（类型）	mems	±25ppm	-	-	5µA
DSC1522JI1A-25M00000	-	RFQ	3103	微芯片技术	DSC152X	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-vlga	XO （标准）		25 MHz	lvcmos	2.5V〜3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-DSC1522JI1A-25M00000	Ear99	8542.39.0001	140	启用/禁用	7.5mA	mems	±50ppm	-	-	-
DSC6011HI1A-006.7800T	-	RFQ	1760年	微芯片技术	DSC60XX	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.035“（0.89mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		6.78 MHz	CMOS	1.71V〜3.63V	下载		（1 （无限）			Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	1.3mA ty（类型）	mems	±50ppm	-	-	-
DSC1001DI2-064.5000	-	RFQ	5518	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-40°C〜85°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1001	64.5 MHz	CMOS	1.8V〜3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	140	（（（）	7.2mA	mems	±25ppm	-	-	15µA
DSC1122NI2-156.2500	-	RFQ	9153	微芯片技术	DSC1122	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	DSC1122	156.25 MHz	lvpecl	2.25V〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	50	启用/禁用	58mA	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSC1001BE1-004.0960	-	RFQ	8888	微芯片技术	DSC1001	管子	积极的	-20°C〜70°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSC1001	4.096 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1001BE1-004.0960	Ear99	8542.39.0001	72	（（（）	8mA	mems	±50ppm	-	-	15µA
VC-801-EA7-KAAN-8M00000000	-	RFQ	5816	微芯片技术	VC-801	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		8 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VC-801-EA7-KAAN-8M00000000TR	Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	7ma	水晶	±50ppm	-	-	30µA
MX573EBB125M000	-	RFQ	8682	微芯片技术	MX55	管子	积极的	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.055“（1.40mm）	表面安装	6-SMD，没有铅	XO （标准）	MX573	125 MHz	LVD	2.375V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	43	启用/禁用	90mA	水晶	±50ppm	-	-	-
DSC1033CC1-012.0000T	-	RFQ	1416	微芯片技术	DSC1033，Puresilicon™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	XO （标准）		12 MHz	CMOS	3.3V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	（3ma （典型）	mems	±50ppm	-	-	1µA
DSC1123BL2-125.0000T	3.2000	RFQ	640	微芯片技术	DSC1123	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1123	125 MHz	LVD	2.25V〜3.63V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	启用/禁用	32ma	mems	±25ppm	-	-	22ma
DSA1001DL3-016.0000TVAO	-	RFQ	7470	微芯片技术	DSA1001	大部分	积极的	-40°C〜105°C	AEC-Q100	0.098“ l x 0.079” w（2.50mm x 2.00mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-vdfn	XO （标准）	DSA1001	16 MHz	CMOS	1.7v〜3.6V	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	8mA	mems	±20ppm	-	-	15µA
DSC1201BA3-40M00000T	-	RFQ	3205	微芯片技术	DSC12X1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	6-vdfn	XO （标准）	DSC1201	40 MHz	CMOS	2.25V〜3.63V	下载		（1 （无限）	到达不受影响	150-DSC1201BA3-40M00000TTR	Ear99	8542.39.0001	1,000	（（（）	27ma（类型）	mems	±20ppm	-	-	5µA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

振荡器（（15893）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²