RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体（（483）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	ESR （等效串联电阻）	工作温度	评分	尺寸 /尺寸	高度 -座位（最大）	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	操作模式	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	负载电容	频率稳定性	频率公差
VXM8-1GE-06-40M0000000TR	-	RFQ	1029	微芯片技术	VXM8	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40欧姆	-40°C〜85°C	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		40 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM8-1GE-06-40M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	3,000	6pf	±30ppm	±20ppm
VXM9-9015-52M0859370TR	-	RFQ	4003	微芯片技术	VXM9	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80欧姆	-	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		52.085937 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM9-9015-52M0859370TR	Ear99	8541.60.0060	3,000	-	-	±20ppm
VXM8-1076-40M0000000TR	-	RFQ	4761	微芯片技术	VXM8	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40欧姆	-	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		40 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM8-1076-40M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	3,000	-	-	±20ppm
VXA4-1KJ-18-3M57954500	-	RFQ	1167	微芯片技术	VXA4	条	积极的	150欧姆	-20°C〜70°C	-	0.427“ LX 0.177” W（10.85mm x 4.50mm）	0.138“（3.50mm）	通过洞	HC-49/US	MHz晶体		3.579545 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXA4-1KJ-18-3M57954500	Ear99	8541.60.0030	100	18pf	±50ppm	±10ppm
VXM8-1027-30M0000000TR	-	RFQ	7296	微芯片技术	VXM8	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50欧姆	-	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		30 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM8-1027-30M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	-	-	±20ppm
VXM5-1GE-18-25M0000000TR	-	RFQ	3739	微芯片技术	VXM5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30欧姆	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		25 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM5-1GE-18-25M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	18pf	±30ppm	±20ppm
VMK5-9006-32K7680000	-	RFQ	5938	微芯片技术	VMK5	条	积极的												-			到达不受影响		Ear99	8541.60.0010	100
VXM7-1EE-12-16M0000000	-	RFQ	3409	微芯片技术	VXM7	条	积极的	80欧姆	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		16 MHz	基本的	-			到达不受影响		Ear99	8541.60.0050	3,000	12pf	±20ppm	±20ppm
VXM7-1KE-08-54M0000000	-	RFQ	1812年	微芯片技术	VXM7	条	积极的	40欧姆	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		54 MHz	基本的	-			到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	100	8pf	±50ppm	±20ppm
VXN1-1GE-06-40M0000000	-	RFQ	1666年	微芯片技术	VXN1	条	积极的	80欧姆	-40°C〜85°C	-	0.063“ l x 0.047” W（1.60mm x 1.20mm）	0.018“（0.45mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		40 MHz	基本的	-			到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	100	6pf	±30ppm	±20ppm
VXM8-1EJ-10-24M5760000	-	RFQ	1203	微芯片技术	VXM8	条	积极的	60欧姆	-20°C〜70°C	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		24.576 MHz	基本的	-			到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	100	10pf	±20ppm	±20ppm
VXM8-9015-32M0000000	-	RFQ	6212	微芯片技术	VXM8	条	积极的	50欧姆	-	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		32 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM8-9015-32M0000000	Ear99	8541.60.0060	100	-	-	±20ppm
VXB2-1KJ-18-10M0000000	-	RFQ	3573	微芯片技术	VXB2	条	积极的	40欧姆	-20°C〜70°C	-	0.449“ l x 0.191” W（11.40mm x 4.85mm）	0.173“（4.40mm）	表面安装	HC-49/US	MHz晶体		10 MHz	基本的	下载			到达不受影响		Ear99	8541.60.0080	100	18pf	±50ppm	±20ppm
VXC4-1GE-18-25M0000000TR	-	RFQ	8794	微芯片技术	VXC4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30欧姆	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		25 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXC4-1GE-18-25M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	18pf	±30ppm	±20ppm
VXM1-1KJ-18-24M0000000TR	-	RFQ	5234	微芯片技术	VXM1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50欧姆	-20°C〜70°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	2-SMD，没有铅	MHz晶体		24 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM1-1KJ-18-24M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	18pf	±50ppm	±10ppm
VXM1-1SE-08-8M00000000TR	-	RFQ	1860年	微芯片技术	VXM1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	100欧姆	-40°C〜85°C	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	2-SMD，没有铅	MHz晶体		8 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM1-1SE-08-8M00000000TR	Ear99	8541.60.0050	1,000	8pf	±100ppm	±10ppm
VXM8-9014-12M0000000TR	-	RFQ	5724	微芯片技术	VXM8	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-	-	0.100“ l x 0.081” W（2.55mm x 2.05mm）	0.028“（0.70mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		12 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXM8-9014-12M0000000TR	Ear99	8541.60.0050	3,000	-	-	±20ppm
VXM7-9039-25M0000000	-	RFQ	3918	微芯片技术	VXM7	条	积极的	60欧姆	-	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体	VXM7-9039	25 MHz	基本的	下载			到达不受影响	150-VXM7-9039-25M0000000	Ear99	8541.60.0060	100	-	-	±20ppm
VXC1-1EE-13-25M0000000	-	RFQ	1201	微芯片技术	-	条	积极的	30欧姆	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体	VXC1-1	25 MHz	基本的	下载			到达不受影响	150-VXC1-1EE-13-25M0000000	Ear99	8541.60.0060	100	13pf	±20ppm	±20ppm
VMK3-9001-32K7680000Tr	1.4500	RFQ	17	微芯片技术	VMK3	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.059” w（3.20mm x 1.50mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	2-SMD，没有铅	KHz 水晶（调谐叉）	VMK3	32.768 kHz	基本的	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0010	3,000	-	-	±20ppm
VXM9-9011-51M8400000TR	0.8375	RFQ	3	微芯片技术	VXM9	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80欧姆	-30°C 〜85°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体	VXM9-9011	51.84 MHz	基本的	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-VXM9-9011-51M8400000TR	Ear99	8541.60.0060	3,000	-	-	±20ppm
VXM9-9012-66M6666660TR	1.0900	RFQ	4	微芯片技术	VXM9	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-30°C 〜85°C	-	0.079“ l x 0.063” W （2.00mm x 1.60mm）	0.022“（0.55mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体	VXM9-9012	66.666666 MHz	基本的	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	3,000	-	-	±20ppm
VXB1-1B2-6M00000000	-	RFQ	7564	微芯片技术	VXB1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80欧姆	-20°C〜70°C	-	0.449“ l x 0.191” W（11.40mm x 4.85mm）	0.126“ 3.20mm）	表面安装	HC-49/US	MHz晶体		6 MHz	基本的	-			到达不受影响	150-VXB1-1B2-6M00000000TR	Ear99	8541.60.0050	1	20pf	±50ppm	±20ppm
VXA4-1B5-40M0000000	-	RFQ	9814	微芯片技术	VXA4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30欧姆	-20°C〜70°C	-	0.427“ LX 0.177” W（10.85mm x 4.50mm）	0.138“（3.50mm）	通过洞	HC-49/U。	MHz晶体		40 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXA4-1B5-40M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	100	10pf	±50ppm	±10ppm
VXC4-1EE-20-24M0000000TR	-	RFQ	6746	微芯片技术	VXC4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30欧姆	-40°C〜85°C	-	0.276“ l x 0.197” W（7.00mm x 5.00mm）	0.051“（1.30mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		24 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXC4-1EE-20-24M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	20pf	±20ppm	±20ppm
VXB1-1KE-18-25M0000000	-	RFQ	7690	微芯片技术	VXB1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	25欧姆	-40°C〜85°C	-	0.449“ l x 0.191” W（11.40mm x 4.85mm）	0.126“ 3.20mm）	表面安装	HC-49/US	MHz晶体		25 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXB1-1KE-18-25M0000000TR	Ear99	8541.60.0060	1,000	18pf	±50ppm	±20ppm
VXA4-100-10M2450000	-	RFQ	3363	微芯片技术	VXA4	胶带和卷轴（（tr）	积极的	50欧姆	-	-	0.427“ LX 0.177” W（10.85mm x 4.50mm）	0.138“（3.50mm）	通过洞	HC-49/U。	MHz晶体		10.245 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXA4-100-10M2450000TR	Ear99	8541.60.0050	1,000	系列	-	±10ppm
VXM7-1355-25M0000000_SNPB	-	RFQ	4312	微芯片技术	VXM7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	60欧姆	-	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		25 MHz	-	-			到达不受影响	150-VXM7-1355-25M0000000_SNPBTR	Ear99	8541.60.0060	3,000	-	-	±20ppm
VXM7-1SE-6-16M0000000	-	RFQ	3083	微芯片技术	VXM7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	80欧姆	-40°C〜85°C	-	0.126“ l x 0.098” w 3.20mm x 2.50mm）	0.031“（0.80mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		16 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-VXM7-1SE-6-16M0000000TR	Ear99	8541.60.0050	50,000	6pf	±100ppm	±20ppm
VXM5-9005-25M0000000	-	RFQ	9305	微芯片技术	VXM5	条	积极的	30欧姆	-	-	0.197“ LX 0.126” W（5.00mm x 3.20mm）	0.035“（0.90mm）	表面安装	4-SMD，没有铅	MHz晶体		25 MHz	基本的	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.60.0060	100	-	-	±20ppm

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体（（483）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²