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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXL1.5KE27AE3/tr | 10.9950 |  | 1375 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE27 | - | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MXL1.5KE27AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 23.1V | 25.7V | 37.5V | 40a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
 | MXLSMCJLCE7.0A | - | | 1161 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE7.0 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MXL15KP40AE3 | - | | 7877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp40 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 65.8V | 228a | 15000W（15kW） | 不 | |||
 | mxlplad6.5kp26a | - | | 8859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 154a | 6500W（6.5kW） | 不 | |||
| MXLSMLJ70A | - | | 3385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ70 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 26.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MA5KP100AE3 | 16.2000 | | 4695 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP100 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 31a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| MSMLJ15AE3 | 2.4450 | | 3136 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ15 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MSMCGLCE80A | 4.5150 | | 9536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE80 | 90pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 80V | 88.7V | 129V | 11.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| 30KPA170CAE3/TR13 | 20.3301 | | 6163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 30KPA170 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 170V | 189.9V | 275V | 110.2a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | MSMLG15CA | 2.7000 | | 7132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG15 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MSMBG5387A | 3.9600 | | 8003 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5387A | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
 | MA15KP28A/TR | 36.4050 | | 8954 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MA15KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MA15KP28A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 28V | 31.1V | 47.5V | 316a | 15000W（15kW） | 不 | ||||
 | 1N8165E3 | 24.9750 | | 3011 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | |||||
| 5KP160AE3/TR13 | 1.8600 | | 1111 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP160 | - | P600 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 160V | 178V | 259V | 19.7a | 5000W（5kW） | 不 | |||
 | LC75/tr | 37.7702 | | 3661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC75/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 134V | 11.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | SMAJ14CAE3/TR13 | 0.1600 | | 9366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac，SMA | 齐纳 | SMAJ14 | - | DO-214AC（SMA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 14V | 15.6V | 23.2v | 21.5a | 500W | 不 | 1 | |||
| 15KPA90AE3/TR13 | 13.1550 | | 7520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA90 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 90V | 100.5V | 145.6V | 103.7a | 15000W（15kW） | 不 | |||
 | MSMBJ150CA | 1.1800 | | 190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ150 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 2.5a | 600W | 不 | 1 | |||
| MX5KP16AE3 | - | | 3591 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP16 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 192a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| MA5KP8.5CA | 17.3700 | | 2795 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5kp8.5 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 347a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
 | MP6KE24CA | 2.6400 | | 4146 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE24 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 18a | 600W | 不 | 1 | |||
| MXLSMBJ12CAE3 | - | | 1033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ12 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 30.2a | 600W | 不 | 1 | |||
| MDA3KP22AE3 | 69.8100 | | 9572 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MDA3KP22AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 84.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
 | JANTXV1N6464US/TR | 15.9300 | | 9255 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/551 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANTXV1N6464US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 15V | 16.4V | 26.5V | 19a | 500W | 不 | ||||||
| MXLPLAD18KP9.0AE3 | - | | 1562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 90V | 100V | 146V | 124a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
| MXSMLG5.0AE3 | - | | 4086 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG5.0 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 326a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | MP4KE10CA | 2.4450 | | 3918 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE10 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.55V | 9.5V | 14.5V | 28a | 400W | 不 | 1 | |||
| MXP6KE62AE3 | - | | 1561年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE62 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 53V | 58.9V | 85V | 7.1a | 600W | 不 | |||
 | 1月1N6117 | 12.6300 | | 4749 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6117 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 27.08V | 43.68V | 11.4a | 500W | 不 | 1 | |||
| Jan1n6470us | 13.1850 | | 1875年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/552 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | 1N6470 | - | G-MELF（D-5C） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6V | 6.5V | 11V | 775a（8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 |
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