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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | Rohs状态 | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| JANTXV1N6066A | 129.3910 | | 7260 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 110V | 124V | 182V | 8.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
| JANTXV1N6068A | 149.2950 | | 5251 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 162V | 245V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
 | JANTXV1N6507 | - | | 9669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/474 | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C | 通过洞 | 14-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 14-CDIP | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||
 | 1N8148USE3 | 21.8101 | | 4334 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | D-5A | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | （6V）） | 7.13V | 12.1V | 12.4a | 150W | 不 | ||
 | 1N8149E3 | 24.9750 | | 1982 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.8V | 7.79V | 12.8V | 11.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||
 | 1N8149USE3 | 25.3350 | | 8736 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.8V | 7.79V | 12.8V | 11.7a | 150W | 不 | ||
| 1N8150E3 | 24.9750 | | 3005 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.5V | 11.1a | 150W | 不 | ||
| 1N8151USE3 | 25.1400 | | 7468 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.5V | 9.5V | 14.5V | 10.3a | 150W | 不 | ||
| 1N8154USE3 | 25.1400 | | 8772 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.4V | 18.2v | 8.24a | 150W | 不 | ||
| 1N8155E3 | 24.9750 | | 5066 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 20.2V | 7.42a | 150W | 不 | ||
| 1N8157USE3 | 25.1400 | | 7437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.1V | 25.1V | 5.98a | 150W | 不 | ||
| 1N8161E3 | 24.9750 | | 5234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | ||
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| 1N8162USE3 | 21.8001 | | 4349 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 25V | 28.5V | 41.6V | 3.6a | 150W | 不 | ||
| 1N8165E3 | 24.9750 | | 3011 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | ||
| 1N8165USE3 | 21.8001 | | 9502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | ||
| 1N8166E3 | 24.9750 | | 9753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40.9V | 59.1V | 2.54a | 150W | 不 | ||
| 1N8168E3 | 24.9750 | | 1426 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 48.5V | 70.1V | 2.14a | 150W | 不 | ||
| 1N8168USE3 | 25.1400 | | 6670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 48.5V | 70.1V | 2.14a | 150W | 不 | ||
| 1N8171E3 | 24.9750 | | 4013 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.6V | 93.7V | 1.6a | 150W | 不 | ||
| 1N8173USE3 | 21.8001 | | 1924年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.9V | 113V | 1.32a | 150W | 不 | ||
| 1N8174E3 | 24.9750 | | 9839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 86.5V | 125V | 1.2a | 150W | 不 | ||
| 1N8175E3 | 21.6400 | | 3042 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 82V | 95V | 137V | 1.09a | 150W | 不 | ||
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| 1N8178USE3 | 21.8001 | | 1068 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 124V | 183V | 820mA | 150W | 不 | ||
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| 1N8180E3 | 24.9750 | | 5935 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 | ||
| 1N8180USE3 | 25.1400 | | 5277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 |
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