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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | TVS512/tr | 22.8750 | | 3284 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS512/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 21V | 23.8a（8/20µs） | 500W | 不 | ||||
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 | MXL5KP16CAE3 | - | | 8491 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP16 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 192a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
 | mxlupt8e3 | 12.4200 | | 8598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT8E3 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 9V | 13.7V | 10.9a | 1000W（1kw） | 不 | ||||
 | MSMLG9.0AE3 | 2.5950 | | 5963 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG9.0 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 194.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||
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| Jan1n6120us/tr | 14.7000 | | 2217 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JAN1N6120US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 29.7V | 37.1V | 53.6V | 9.3a | 500W | 不 | 1 | ||||||
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| MSMBJ5374BE3 | 3.9600 | | 7909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5374BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
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| LC30 | 37.6203 | | 8574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC30 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 53.5V | 28a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MXLSMCJ12CAE3 | - | | 8293 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ12 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
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| MASMBJ51AE3 | 5.2500 | | 5372 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ51 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 7.3a | 600W | 不 | |||
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| MXLPLAD30KP110A | - | | 9793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 177V | 168a | 30000W（30kW） | 不 | |||
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| MRT100KP180CAE3/tr | 29.2950 | | 4903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP180CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 180V | 200V | 354V | 283a | 100000W（100kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXLPLAD7.5KP45CA | - | | 1536年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 103a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | SMAJ170AE3/TR13 | 0.1800 | | 8853 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac，SMA | 齐纳 | SMAJ170 | - | DO-214AC（SMA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 | 170V | 189V | 275V | 1.8a | 500W | 不 |
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