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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TVS305SM/TR | 19.8801 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | A夫人 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS305SM/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.7V | 17a (8/20µs) | 150W | 不 | ||||||
![]() | 1N6359/tr | 19.0700 | ![]() | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6359/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 14.1V | 16.5V | 70a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | TVS505SME3/tr | 16.5150 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS505SME3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 9.3V | 53.7a | 500W | 不 | |||||
![]() | JANTX1N5646A/TR | 59.5350 | ![]() | 4203 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5646A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.8V | 34.2V | 49.9V | 30a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | mxlce13a/tr | 25.0950 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 70a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | JANTXV1N6471US/TR | 17.0250 | ![]() | 2946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/552 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,G | 齐纳 | - | G-MELF(D-5C) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6471US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.6V | 22.6V | 374a(8/20µs) | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | MSMCG10AE3/tr | 1.6300 | ![]() | 1546年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG10AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 88.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | |||
![]() | JAN1N6040A/TR | 58.1602 | ![]() | 8777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6040A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10.5V | 15.6V | 96a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | JANTXV1N5663A | 88.9002 | ![]() | 7938 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA,DO-13,轴向 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5663A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 145V | 162V | 234V | 6.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 军队 | - | |||
![]() | Jan1n6063a/tr | 72.6005 | ![]() | 1485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6063A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 82V | 95V | 137V | 11a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
TVS310E3 | 10.8000 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS310E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 16.8V | 8.9a | 150W | 不 | ||||||
1N6124US/TR | 13.9201 | ![]() | 9424 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6124US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 6.5a | 500W | 不 | 1 | ||||||
1N6126AUS/TR | 14.6000 | ![]() | 3782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6126AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 5.1a | 500W | 不 | 1 | ||||||
![]() | 1N6366/tr | 19.0700 | ![]() | 1578年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6366/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10V | 11.7V | 14.5V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | 1N5629AE3 | 15.8701 | ![]() | 7542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA,DO-13,轴向 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5629AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5.8V | 6.45V | 10.5V | 143a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | 1N5555/tr | 14.1800 | ![]() | 9566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5555/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 32a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | 1N5632A/TR | 15.8701 | ![]() | 6708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5632A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | Jan1n6173us/tr | 18.4300 | ![]() | 7701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6173US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 180.5V | 286.65V | 5.23a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | JANTX1N6465/TR | 15.4201 | ![]() | 2584 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6465/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 27V | 41.4V | 69a (8/20µs) | 500W | 不 | 军队 | - | ||
![]() | JANTX1N6473/TR | 13.2750 | ![]() | 5002 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/552 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | - | 轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6473/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 27V | 41.4V | 207a (8/20µs) | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | JANTX1N5645A/TR | 58.9650 | ![]() | 4790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5645A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 33a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | TVS515/tr | 12.9750 | ![]() | 1208 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | 轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS515/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 25.2V | 19.8a(8/20µs) | 500W | 不 | |||||
JANS1N6105AUS/TR | 98.2650 | ![]() | 2918 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6105AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.9V | 8.65V | 13.4V | 37.3a | 500W | 不 | 1 | ||||||
![]() | LC150/tr | 43.5900 | ![]() | 9499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC150/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 268V | 5.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | MSATS14S40LV/TR | 307.5600 | ![]() | 2881 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 齐纳 | - | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSATS14S40LV/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58V | 250a | 14500W(14.5kW) | 不 | |||||
![]() | Jan1n5633a | 54.2850 | ![]() | 4475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5633A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.55V | 9.5V | 14.5V | 103a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
JANS1N6137A/TR | 77.4750 | ![]() | 8482 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6137A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 190V | 273V | 1.8a | 500W | 不 | 1 | ||||||
![]() | LC17/tr | 43.5900 | ![]() | 9923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC17/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 30.5V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
![]() | 1N6049A/TR | 23.8800 | ![]() | 1682年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6049A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 25.7V | 37.5V | 40a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | JANTX1N6106A/TR | 15.9401 | ![]() | 7416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6106A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.6V | 9.5V | 14.5V | 34.5a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - |
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