SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙(典型) 电压 -故障(最小) 电压 -夹紧(最大) @ ipp 电流 -10/1000µs) 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道 年级 资格
TVS305SM/TR Microchip Technology TVS305SM/TR 19.8801
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,a 齐纳 - A夫人 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-TVS305SM/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 5V 6V 8.7V 17a (8/20µs) 150W
1N6359/TR Microchip Technology 1N6359/tr 19.0700
RFQ
ECAD 3858 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6359/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 12V 14.1V 16.5V 70a 1500W(1.5kW)
TVS505SME3/TR Microchip Technology TVS505SME3/tr 16.5150
RFQ
ECAD 8793 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 - B,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-TVS505SME3/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 5V 6V 9.3V 53.7a 500W
JANTX1N5646A/TR Microchip Technology JANTX1N5646A/TR 59.5350
RFQ
ECAD 4203 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/500 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5646A/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 30.8V 34.2V 49.9V 30a 1500W(1.5kW)
MXLCE13A/TR Microchip Technology mxlce13a/tr 25.0950
RFQ
ECAD 7798 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 100pf @ 1MHz 案例1 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-MXLCE13A/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 13V 14.4V 21.5V 70a 1500W(1.5kW)
JANTXV1N6471US/TR Microchip Technology JANTXV1N6471US/TR 17.0250
RFQ
ECAD 2946 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/552 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,G 齐纳 - G-MELF(D-5C) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N6471US/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 12V 13.6V 22.6V 374a(8/20µs) 1500W(1.5kW)
MSMCG10AE3/TR Microchip Technology MSMCG10AE3/tr 1.6300
RFQ
ECAD 1546年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 齐纳 - SMCG(do-215ab) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-mSMCG10AE3/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 10V 11.1V 17V 88.2a 1500W(1.5kW) 军队 MIL-PRF-19500
JAN1N6040A/TR Microchip Technology JAN1N6040A/TR 58.1602
RFQ
ECAD 8777 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/507 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N6040A/TR Ear99 8541.10.0080 1 9V 10.5V 15.6V 96a 1500W(1.5kW) 1
JANTXV1N5663A Microchip Technology JANTXV1N5663A 88.9002
RFQ
ECAD 7938 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 DO-202AA,DO-13,轴向 齐纳 - DO-13(do-202AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTXV1N5663A Ear99 8541.10.0080 1 1 145V 162V 234V 6.4a 1500W(1.5kW) 军队 -
JAN1N6063A/TR Microchip Technology Jan1n6063a/tr 72.6005
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/507 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N6063A/TR Ear99 8541.10.0080 1 82V 95V 137V 11a 1500W(1.5kW) 1
TVS310E3 Microchip Technology TVS310E3 10.8000
RFQ
ECAD 5900 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 轴向 齐纳 - a,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-TVS310E3 Ear99 8541.10.0080 1 1 10V 11.1V 16.8V 8.9a 150W
1N6124US/TR Microchip Technology 1N6124US/TR 13.9201
RFQ
ECAD 9424 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6124US/TR Ear99 8541.10.0080 1 42.6V 53.2V 77V 6.5a 500W 1
1N6126AUS/TR Microchip Technology 1N6126AUS/TR 14.6000
RFQ
ECAD 3782 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6126AUS/TR Ear99 8541.10.0080 1 51.7V 64.6V 97.1V 5.1a 500W 1
1N6366/TR Microchip Technology 1N6366/tr 19.0700
RFQ
ECAD 1578年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6366/tr Ear99 8541.10.0080 1 10V 11.7V 14.5V 90a 1500W(1.5kW) 1
1N5629AE3 Microchip Technology 1N5629AE3 15.8701
RFQ
ECAD 7542 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 DO-202AA,DO-13,轴向 齐纳 - DO-13(do-202AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5629AE3 Ear99 8541.10.0080 1 1 5.8V 6.45V 10.5V 143a 1500W(1.5kW)
1N5555/TR Microchip Technology 1N5555/tr 14.1800
RFQ
ECAD 9566 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5555/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 30.5V 33V 47.5V 32a 1500W(1.5kW)
1N5632A/TR Microchip Technology 1N5632A/TR 15.8701
RFQ
ECAD 6708 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5632A/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 7.78V 8.65V 13.4V 112a 1500W(1.5kW)
JAN1N6173US/TR Microchip Technology Jan1n6173us/tr 18.4300
RFQ
ECAD 7701 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,c 齐纳 - C,SQ-MELF - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N6173US/TR Ear99 8541.10.0080 1 152V 180.5V 286.65V 5.23a 1500W(1.5kW) 1
JANTX1N6465/TR Microchip Technology JANTX1N6465/TR 15.4201
RFQ
ECAD 2584 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 - B,轴向 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 150-JANTX1N6465/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 24V 27V 41.4V 69a (8/20µs) 500W 军队 -
JANTX1N6473/TR Microchip Technology JANTX1N6473/TR 13.2750
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/552 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 g,轴向 齐纳 - 轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N6473/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 24V 27V 41.4V 207a (8/20µs) 1500W(1.5kW)
JANTX1N5645A/TR Microchip Technology JANTX1N5645A/TR 58.9650
RFQ
ECAD 4790 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/500 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N5645A/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 28.2v 31.4V 45.7V 33a 1500W(1.5kW)
TVS515/TR Microchip Technology TVS515/tr 12.9750
RFQ
ECAD 1208 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 轴向 齐纳 - 轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-TVS515/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 15V 16.7V 25.2V 19.8a(8/20µs) 500W
JANS1N6105AUS/TR Microchip Technology JANS1N6105AUS/TR 98.2650
RFQ
ECAD 2918 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6105AUS/TR Ear99 8541.10.0080 1 6.9V 8.65V 13.4V 37.3a 500W 1
LC150/TR Microchip Technology LC150/tr 43.5900
RFQ
ECAD 9499 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 90pf @ 1MHz DO-13(do-202AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-LC150/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 150V 167V 268V 5.6a 1500W(1.5kW)
MSATS14S40LV/TR Microchip Technology MSATS14S40LV/TR 307.5600
RFQ
ECAD 2881 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 Thinkey™3 齐纳 - Thinkey™3 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-MSATS14S40LV/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 36V 40V 58V 250a 14500W(14.5kW)
JAN1N5633A Microchip Technology Jan1n5633a 54.2850
RFQ
ECAD 4475 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/500 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JAN1N5633A Ear99 8541.10.0080 1 1 8.55V 9.5V 14.5V 103a 1500W(1.5kW)
JANS1N6137A/TR Microchip Technology JANS1N6137A/TR 77.4750
RFQ
ECAD 8482 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6137A/TR Ear99 8541.10.0080 1 152V 190V 273V 1.8a 500W 1
LC17/TR Microchip Technology LC17/tr 43.5900
RFQ
ECAD 9923 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 100pf @ 1MHz DO-13(do-202AA) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-LC17/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 17V 18.9V 30.5V 49a 1500W(1.5kW)
1N6049A/TR Microchip Technology 1N6049A/TR 23.8800
RFQ
ECAD 1682年 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6049A/TR Ear99 8541.10.0080 1 22V 25.7V 37.5V 40a 1500W(1.5kW) 1
JANTX1N6106A/TR Microchip Technology JANTX1N6106A/TR 15.9401
RFQ
ECAD 7416 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 - B,轴向 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANTX1N6106A/TR Ear99 8541.10.0080 1 7.6V 9.5V 14.5V 34.5a 500W 1 军队 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库