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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | mxlce30a/tr | 30.1200 |  | 1837年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE30A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | JANTXV1N5611/TR | - | | 4109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/434 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | g，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5611/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 24a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | JANTX1N6071A/TR | 106.8600 | | 3726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6071A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 190V | 294V | 5.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSATS14S40LV | - | | 8393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 齐纳 | - | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSATS14S40LV | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58V | 250a | 14500W（14.5kW） | 不 | ||||
| 1N5660A/TR | 19.6800 | | 8566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5660A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MSMCG20A/TR | 1.8900 | | 7347 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-msmcg20a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 46.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MXLPLAD15KP17AE3/tr | - | | 7105 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLPLAD15KP17AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 543a | 15000W（15kW） | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
| LC160/tr | 43.5900 | | 8893 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC160/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 287V | 5.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | JANS1N6157AUS/TR | 150.7800 | | 4839 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6157AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| LC40A/TR | 43.5900 | | 2900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC40A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 23.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | JANS1N6126A/TR | 77.4750 | | 1340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6126A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 5.1a | 500W | 不 | 1 | ||||
 | MXLRT100KP48A/TR | - | | 8403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | - | 案例5A（do-204AR） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLRT100KP48A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48V | 53.3V | 94.3V | - | 100000W（100kW） | 不 | ||||
| Jan1n6036a/tr | 58.1602 | | 1438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6036A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | TVS305SM/TR | 19.8801 | | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | A夫人 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS305SM/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.7V | 17a （8/20µs） | 150W | 不 | ||||
| 1N6359/tr | 19.0700 | | 3858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6359/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 14.1V | 16.5V | 70a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | TVS505SME3/tr | 16.5150 | | 8793 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS505SME3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 9.3V | 53.7a | 500W | 不 | ||||
| JANTX1N5646A/TR | 59.5350 | | 4203 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5646A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.8V | 34.2V | 49.9V | 30a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| mxlce13a/tr | 25.0950 | | 7798 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 70a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| JANTXV1N6471US/TR | 17.0250 | | 2946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/552 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | - | G-MELF（D-5C） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6471US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.6V | 22.6V | 374a（8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MSMCG10AE3/tr | 1.6300 | | 1546年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG10AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 88.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
| JAN1N6040A/TR | 58.1602 | | 8777 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6040A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10.5V | 15.6V | 96a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANTXV1N5663A | 88.9002 | | 7938 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5663A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 145V | 162V | 234V | 6.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
| Jan1n6063a/tr | 72.6005 | | 1485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6063A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 82V | 95V | 137V | 11a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | TVS310E3 | 10.8000 | | 5900 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS310E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 16.8V | 8.9a | 150W | 不 | ||||
 | 1N6124US/TR | 13.9201 | | 9424 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6124US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 6.5a | 500W | 不 | 1 | ||||
| 1N6126AUS/TR | 14.6000 | | 3782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6126AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 5.1a | 500W | 不 | 1 | ||||
| 1N6366/tr | 19.0700 | | 1578年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6366/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10V | 11.7V | 14.5V | 90a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| 1N5629AE3 | 15.8701 | | 7542 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5629AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5.8V | 6.45V | 10.5V | 143a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| 1N5555/tr | 14.1800 | | 9566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5555/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 32a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| 1N5632A/TR | 15.8701 | | 6708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5632A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 |
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