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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | maplad30kp120cae3 | 59.7450 |  | 9101 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 156a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | MXSMLJ7.5AE3 | - | | 1089 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ7.5 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 232.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | UPTB5/TR13 | 0.6600 | | 1591年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB5 | - | Powermite | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | （5V）） | 6V | 9.5V | 15.7a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | |||
 | MXLSMBJ10A | - | | 3240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ10 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 35.3a | 600W | 不 | |||
 | mplad30kp280ae3 | 30.1001 | | 2865 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 280V | 311V | 451V | 66a | 30000W（30kW） | 不 | |||
 | SMDA03E3/TR7 | 1.3800 | | 8502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | SMDA03 | 600pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 4 | 3.3V | 4V | 9V | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | |||
 | mxplad7.5kp20a | - | | 8577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 231a | 7500W（7.5kW） | 不 | ||||
| MXDLTS-17 | - | | 9797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | DLTS | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 330pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | - | 到达不受影响 | 150-MXDLTS-17 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 15 | 17V | 19.2v | 37.4V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | |||||
| MSMLG7.5A | 2.5950 | | 7956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG7.5 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 232.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MXLSMCJ58A | - | | 2561 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ58 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 16a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | JANS1N6153US/TR | 139.5010 | | 9306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | 下载 | 150-JANS1N6153US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
 | 1N6057A | 23.7900 | | 3535 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6057 | - | do-13 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1n6057am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 47V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
| SMCJ150E3/TR13 | 0.5700 | | 2780 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ150 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 150V | 167V | 268V | 5.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MAP6KE43CAE3 | 8.9400 | | 9434 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE43 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36.8V | 40.9V | 59.3V | 10.1a | 600W | 不 | 1 | |||
| 5KP220CE3/TR13 | - | | 3249 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP220 | - | P600 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 220V | 244V | 410V | 12.2a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
| MXL1.5KE6.8CA | - | | 4815 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE6.8 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.8V | 6.45V | 10.5V | 143a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | JANTX1N6147A | - | | 1044 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 67.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MSMBJ5346BE3 | 3.9600 | | 8002 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5346BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
 | MQ1N8181 | 26.3502 | | 6694 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | 1N8181 | - | a，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 171V | 261V | 570mA | 150W | 不 | ||||
 | 1N6466 | 12.3900 | | 4232 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6466 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 63a（8/20µs） | 500W | 不 | |||
 | MX5KP64A | - | | 6307 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP64 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 49a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| SMLJ22E3/TR13 | 1.7250 | | 7301 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ22 | - | do-214ab | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 22V | 24.4V | 39.4V | 76.2a | 300W | 不 | |||
| MS1N8179US | 167.3250 | | 7132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | |||||
| MPLAD15KP120A | 20.3401 | | 2127 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 133V | 193V | 78a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| MSMCG90CA | 1.8150 | | 3613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG90 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 146V | 10.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | JANTXV1N6470US | 33.6300 | | 3031 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/552 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | 1N6470 | - | G-MELF（D-5C） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6V | 6.5V | 11V | 775a（8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| MXLPLAD18KP64CA | - | | 1061 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 175a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||
| MXLSMLJ6.5AE3 | - | | 1691年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ6.5 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 267.9a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MA15KP260CA | 48.4200 | | 3731 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15KP260 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 260V | 289V | 419V | 36a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
 | JANTXV1N6131US | 19.4100 | | 9190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | 1N6131 | - | B，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6131US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 3.3a | 500W | 不 | 1 |
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