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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N6042A/TR | 25.8300 |  | 7991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6042A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.4V | 18.2v | 82a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | JANS1N6112AUS/TR | 97.3350 | | 4743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6112AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 19.9a | 500W | 不 | 1 | |||||
| LC110A/TR | 37.7702 | | 8126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC110A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 178V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| Jan1n5639a/tr | 54.4500 | | 8378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5639A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15.3V | 17.1V | 25.2V | 59.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| JANS1N6144US/TR | 139.3800 | | 2786 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6144US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.1V | 11.4V | 16.9V | 88.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | |||
| LC18/tr | 43.5900 | | 5431 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC18/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 32.2V | 46a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| Jan1n5645a/tr | 54.4500 | | 1527年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5645A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 33a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| 1N5660AE3/tr | 22.4700 | | 7833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5660AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | JANS1N6143A/TR | 107.7004 | | 8515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6143A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.4V | 10.45V | 15.6V | 96.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | |||
| 1N6063AE3 | 23.8800 | | 3579 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6063AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 82V | 95V | 137V | 11a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MSMCG15CA/TR | 1.9950 | | 9995 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG15CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 61.5A | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| JANS1N6157A/TR | 115.3950 | | 7626 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6157A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| DLTS-24 | 126.2102 | | 3341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 275pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-24 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 24V | 26.7V | 52.1V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | |||||
| DLTS-30A | 132.5210 | | 3238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 220pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 150-DLTS-30A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 30V | 33.3V | 58.8V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | ||||
| JANTXV1N5665A/TR | 89.0302 | | 4583 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5665A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 171V | 190V | 274V | 5.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | |||
| JANTX1N6158AUS/TR | 22.2500 | | 4614 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6158AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 23.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | |||
| 1N8170/tr | 21.6400 | | 8779 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | 轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N8170/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 53V | 58.9V | 85.3V | 1.76a | 150W | 不 | 1 | |||||
| 1N5557/tr | 18.5001 | | 5309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5557/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 49V | 54V | 78.5V | 19a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | mv1n8149us/tr | 31.5402 | | 1887年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8149US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.8V | 7.79V | 12.8V | 11.7a | 150W | 不 | |||||
 | TVS305E3/tr | 11.0900 | | 9344 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS305E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.7V | 17a | 150W | 不 | |||||
 | mplad6.5kp33cae3/tr | 4.7700 | | 2836 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MPLAD6.5KP33CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 123a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | |||||
| 1N6059A/tr | 20.7100 | | 6492 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6059A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58V | 64.6V | 92V | 16.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| JANTX1N6108US/TR | 22.0950 | | 8781 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6108US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.1V | 10.83V | 17.75V | 28.12a | 500W | 不 | 1 | |||||
 | JANTX1N6146US/TR | 19.6800 | | 7068 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6146US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 14.25V | 21V | 71.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| JANS1N6167AUS/TR | 139.3800 | | 5681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6167AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | |||
| LC9.0/tr | 37.7702 | | 9340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC9.0/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10V | 16.9V | 89a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | 1N6148A/TR | 17.1101 | | 7420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6148A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 59.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| JANS1N6147A/TR | 115.3950 | | 3601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6147A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 67.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| DLTS-17A | 126.2102 | | 6509 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 330pf @ 1MHz （最大） | 16二滴 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-17A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 17V | 19.2v | 33.9V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | |||||
| JANTX1N6153AUS/TR | 22.3201 | | 3610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6153AU/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - |
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