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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MA5KP28CA | 17.3700 | ![]() | 2497 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP28 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 110a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||||
MRT100KP45AE3/tr | 27.9300 | ![]() | 7339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP45AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 45V | 50V | 88.5V | 1130a (1.13KA) | 100000W(100kW) | 不 | |||||||
![]() | mplad30kp22ca | 45.4200 | ![]() | 6544 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 36.4V | 822a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MASMBG43A | 5.7750 | ![]() | 3164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG43 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 8.6a | 600W | 不 | |||||
![]() | MAP6KE33AE3 | 8.1300 | ![]() | 6662 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE33 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 13.2a | 600W | 不 | |||||
![]() | mplad36kp30ca | 50.2801 | ![]() | 5649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 33.3V | 48.8V | 738a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | USB50805/TR7 | 2.7450 | ![]() | 7594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50805 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 2 | 5V | 6V | 13V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | |||||
![]() | Jan1n6151aus | 19.5000 | ![]() | 4458 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6151 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 45a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MA1.5KE110CA | 9.2250 | ![]() | 5210 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 1.5KE110 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 94V | 105V | 152V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MA15KP43AE3 | 45.8100 | ![]() | 1277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 15kp43 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.7V | 215a | 15000W(15kW) | 不 | |||||
![]() | JANTX1N6053A/TR | 85.5600 | ![]() | 5838 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6053A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 33V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
![]() | 704-15K36 | 360.3450 | ![]() | 8389 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 模块 | 齐纳 | 704-15 | - | 案例8 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 31.5V | 36V | 51V | 300A | 15000W(15kW) | 不 | ||||||
![]() | USB50803C/TR13 | 2.7450 | ![]() | 5475 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50803 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 3.3V | 4V | 11V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | 2 | |||||
![]() | JANTXV1N6145A | 23.0100 | ![]() | 3229 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | 1N6145 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | mart100kp160ae3 | 44.7600 | ![]() | 7852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MART100KP160 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 315V | - | 100000W(100kW) | 不 | |||||
![]() | MXLSMCJ26CA | - | ![]() | 9983 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ26 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 35.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MSMCG10AE3/tr | 1.6300 | ![]() | 1546年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG10AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 88.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||||
MXLP4KE22CA | - | ![]() | 7830 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE22 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.8V | 20.9V | 30.6V | 13a | 400W | 不 | 1 | ||||||
![]() | lc33a/tr | 51.7050 | ![]() | 1975年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC33A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 28.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||||
MP4KE350AE3 | 4.0800 | ![]() | 2949 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE350 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 300V | 333V | 482V | 1a | 400W | 不 | ||||||
![]() | MSMLJ160AE3 | 2.4450 | ![]() | 3590 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ160 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 259V | 11.6a | 3000W(3KW) | 不 | |||||
MAP4KE20A | 7.9200 | ![]() | 6773 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE20 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17.1V | 19v | 27.7V | 14.5a | 400W | 不 | ||||||
MAP4KE220AE3 | 7.9200 | ![]() | 3866 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE220 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 185V | 209V | 328V | 1a | 400W | 不 | ||||||
![]() | JANTX1N6046A | 85.4100 | ![]() | 3150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6046 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 19v | 27.7V | 54a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MART100KP51AE3 | 44.7600 | ![]() | 5522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | mart100kp51 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 101V | - | 100000W(100kW) | 不 | |||||
![]() | MASMLG36AE3 | 7.9500 | ![]() | 2936 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG36 | - | SMLG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 51.6a | 3000W(3KW) | 不 | |||||
MXLP4KE400A | - | ![]() | 6121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE400 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 342V | 380V | 548V | 1a | 400W | 不 | ||||||
![]() | MXLPLAD18KP28A | - | ![]() | 3143 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 396a | 18000W(18kw) | 不 | ||||||
![]() | 1N5660AE3/tr | 22.4700 | ![]() | 7833 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5660AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||||
![]() | MA1.5KE220CAE3 | 9.2250 | ![]() | 7167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 1.5KE220 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 185V | 209V | 328V | 4.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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