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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MXPlad15KP17A | - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 543a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MXLPLAD36KP15A | - | ![]() | 9371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 25.8V | 1396a(1.396KA) | 36000W(36kW) | 不 | ||||
![]() | MXLSMCJ9.0AE3 | - | ![]() | 4303 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ9.0 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 97.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MX1.5KE150A | - | ![]() | 2917 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE150 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 128V | 143V | 207V | 7.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
MS1N8181 | 166.1250 | ![]() | 3163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | - | a,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 171V | 261V | 570mA | 150W | 不 | ||||||
![]() | MXL5KP51CAE3 | - | ![]() | 3971 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5kp51 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 61a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBG28AE3 | 1.2000 | ![]() | 7346 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG28 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.4V | 13.2a | 600W | 不 | |||
![]() | JANTX1N6071A/TR | 106.8600 | ![]() | 3726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6071A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 190V | 294V | 5.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | SMLJ45AE3/TR13 | 1.7250 | ![]() | 8465 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ45 | - | do-214ab | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 41.2A | 300W | 不 | |||
![]() | M15KP70CA | 26.7000 | ![]() | 2988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 15KP70 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 114V | 132a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 1N5665A | 18.8100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5665 | - | do-13 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1N5665am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 171V | 190V | 274V | 5.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | MSMBJ5352BE3 | 3.9600 | ![]() | 9098 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5352BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | JANS1N6107 | 77.3100 | ![]() | 8827 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.4V | 9.93V | 16.38V | 30.4a | 500W | 不 | 1 | |||||
![]() | maplad15kp130a | 32.4750 | ![]() | 6594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 144V | 209V | 71a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MAP6KE39CAE3 | 8.9400 | ![]() | 9400 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE39 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33.3V | 37.1V | 53.9V | 11.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBG60CA | 1.3050 | ![]() | 2286 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG60 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MXLPLAD15KP64AE3 | - | ![]() | 8385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 147a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MA5KP64A | 16.2000 | ![]() | 4160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP64 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 49a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | SMBJ60AE3/TR13 | 0.3000 | ![]() | 3271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ60 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | |||
![]() | M5KP78A/TR | 7.0200 | ![]() | 4637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp78a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 39.7a | 5000W(5kW) | 不 | |||||
![]() | MXSMCJ58CA | - | ![]() | 6851 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ58 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 16a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MRT100KP200CAE3 | 29.1150 | ![]() | 2587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP200 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 392V | - | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
![]() | mxplad30kp350ca/tr | 101.3550 | ![]() | 2190 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD30KP350CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 350V | 389V | 564V | 53a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXLSMLJ70CA | - | ![]() | 1040 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ70 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 26.6a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | mxl1.5ke68a | - | ![]() | 6249 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE68 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58.1V | 64.6V | 92V | 16.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MASMCJLCE15AE3/tr | 8.6400 | ![]() | 9082 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE15 | 100pf @ 1MHz | SMCJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MASMCJLCE15AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 61a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | JANTXV1N6148AUS | 25.3350 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6148 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 59.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLRT100KP200A | - | ![]() | 3069 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MXLRT100KP20 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 200V | 222V | 392V | - | 100000W(100kW) | 不 | |||
![]() | MXSMBJ100CAE3 | - | ![]() | 2152 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ100 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 3.7a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MXLP6KE68CA | - | ![]() | 5360 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE68 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58.1V | 64.6V | 92V | 6.5a | 600W | 不 | 1 |
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