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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | MXRT100KP58AE3 | - | | 7576 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MXRT100KP58 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 114V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||||
 | 1N6156A | - | | 9348 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 29.7V | 37.1V | 53.6V | 28a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
 | JANTX1N6157 | 27.4500 | | 4122 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6157 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| maplad36kp26ae3 | 58.2000 | | 1417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W（36kW） | 不 | ||||||
| MXPLAD36KP45CA/TR | 101.3550 | | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD36KP45CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 45V | 50V | 72.7V | 496a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||||
 | MXLPLAD18KP26CAE3 | - | | 5994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 428a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||||
 | MRT130KP275CA/TR | 45.2250 | | 4072 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜150°C | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | 案例-5a | - | 到达不受影响 | 150-MRT130KP275CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 275v （最大） | 300V | 445V | 292a | 130000W（130kW） | 不 | 1 | |||||||
 | 1n6106us/tr | 14.9400 | | 4115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 7.6V | 9.5V | 14.5V | 34.5a | 500W | 不 | 1 | ||||||||
| maplad15kp43ca | 40.1850 | | 7355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 216a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||||
 | MXSMLJ6.5A | - | | 7869 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ6.5 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 267.9a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| MXLSMLG12AE3 | - | | 2345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG12 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 150.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| MS1N8176US/TR | 156.3100 | | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 94V | 104V | 152V | 980mA | 150W | 不 | ||||||||
| JANTXV1N6147 | 33.5850 | | 6549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6147 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 14.44V | 23.42V | 63.94a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MSMBG13CAE3 | 1.3050 | | 4719 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG13 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 27.9a | 600W | 不 | 1 | |||||
 | UPT24/TR7 | 0.7500 | | 2213 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT2 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 24V | 28.4V | 43.2V | 3.47a | 1000W（1kw） | 不 | |||||
 | MSMCJ10A/TR | 2.8950 | | 4620 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ10 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMCJ10A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 10V | 11.1V | 17V | 88.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| M1.5KE82CA | 3.4650 | | 8931 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE82 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70.1V | 77.9V | 113V | 13.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MXSMBJ30AE3 | - | | 1895年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ30 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 12.4a | 600W | 不 | |||||
 | MSMCGLCE18AE3/TR | 4.0800 | | 6712 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCGLCE18AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 51a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||||
 | 1N6036A/TR | 20.9850 | | 2985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6036A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| JANS1N6136 | 77.3100 | | 3089 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136.8V | 171V | 245.7V | 2a | 500W | 不 | 1 | |||||||
| mplad15kp90ae3/tr | 23.6550 | | 7668 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | mplad15kp90ae3/trm | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 90V | 100V | 146V | 102a | 15000W（15kW） | 不 | ||||
| MXLSMBJ6.0A | - | | 7319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ6.0 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6V | 6.67V | 10.3V | 58.3a | 600W | 不 | |||||
| mxplad6.5kp12ca | - | | 5966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 327a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | USB50815CE3/TR13 | 1.3500 | | 2427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | USB50815 | 3pf @ 1MHz | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 15V | 16.7V | 32V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | 2 | |||||
| MXLPLAD30KP150CAE3 | - | | 5919 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 124a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||||
| Jan1n6038a/tr | 58.1602 | | 9577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6038A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| JANS1N6154A/TR | 115.3950 | | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6154A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| maplad18kp9.0cae3 | 51.9750 | | 1746年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 1169a（1.169ka） | 18000W（18kw） | 不 | 1 |
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