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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | JANTXV1N6465US | - |  | 4938 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 27V | 41.4V | 69a （8/20µs） | 500W | 不 | ||||
 | maplad7.5kp10ca | 8.0400 | | 9295 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 441a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXLP4KE9.1CA | - | | 2636 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE9.1 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 30a | 400W | 不 | 1 | |||
 | MXLPLAD30KP14CAE3 | - | | 9654 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 14V | 15.6V | 24V | 1251A（1.251KA） | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | MSMBJ5345BE3 | 3.9600 | | 2264 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5345BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
| MASMLG36CA | 8.5500 | | 8167 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG36 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 51.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | MAP6KE30CA | 8.9400 | | 3193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE30 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.6V | 28.5V | 41.4V | 14.4a | 600W | 不 | 1 | |||
| Jan1n6110us/tr | 14.6900 | | 5024 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JAN1N6110US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 11.4V | 14.25V | 21V | 23.8a | 500W | 不 | 1 | ||||||
| M5KP30AE3/tr | 7.0200 | | 9214 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp30Ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 103a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
 | MXSMCJ120CAE3 | - | | 6468 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ120 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 7.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | USB50803C-A/TR13 | 2.7450 | | 2651 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | USB50803 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 3.3V | 4V | 11V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | 2 | |||
| MXSMCGLCE14A | - | | 3562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE14 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 65a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | M5KP40CA | 7.2750 | | 1840年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP40 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 78a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
 | mxuptb5 | 22.8750 | | 7459 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB5 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5V | 6V | 9.5V | 15.7a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | ||||
| mxplad6.5kp33a | - | | 4576 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 123a | 6500W（6.5kW） | 不 | |||
 | JANTX1N6056A/TR | 85.5600 | | 3629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6056 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6056A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 43V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| mplad36kp36ca | 47.5500 | | 8574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 620a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | |||
| MSMLJ11A | 2.4450 | | 2963 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ11 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 164.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MASMLJ120CA | 8.2950 | | 8673 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ120 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 15.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| 30KPA72E3/TR13 | 23.4450 | | 7645 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 30KPA72 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 72V | 75.78V | - | - | 30000W（30kW） | 不 | |||
 | MASMBG33CA | 5.3400 | | 3738 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG33 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 11.3a | 600W | 不 | 1 | |||
| mplad18kp7.0cae3 | 39.9000 | | 1863年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 1500a（1.5KA） | 18000W（18kw） | 不 | 1 | |||
| MXSMCJ30A/TR | - | | 2183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | - | SMCJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-MXSMCJ30A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | 1月1N6468 | 13.4400 | | 7442 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6468 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51.6V | 54V | 78.5V | 35A （8/20µs） | 500W | 不 | |||
| MASMLG13AE3 | 7.9500 | | 7660 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG13 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 139.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | MXLSMBJ15A | - | | 9914 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ15 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 24a | 600W | 不 | |||
| 1N5640 | 18.1200 | | 8628 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5640 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5640MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16.2V | 18V | 29.1V | 51.5A | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| MAP4KE75CA | 8.6100 | | 9124 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE75 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64.1V | 71.3V | 103V | 3.9a | 400W | 不 | 1 | |||
| mxplad30kp64cae3 | - | | 7096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 294a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
| MA15KP24AE3 | 36.2250 | | 2347 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp24 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 26.7V | 40.7V | 369a | 15000W（15kW） | 不 |
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