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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | MXLSMLG12A | - | | 3403 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG12 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 150.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| maplad36kp26cae3 | 71.7900 | | 7538 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSMCG36AE3/tr | 1.7500 | | 9594 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG36AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 25.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| mplad15kp90cae3 | 29.5800 | | 2858 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 146V | 102a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
| MXLPLAD18KP90CAE3 | - | | 2010 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 1169a（1.169ka） | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||
 | TVS318/tr | 10.8000 | | 3506 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS318/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20.4V | 31V | 4.9A（8/20µs） | 150W | 不 | ||||
 | 1N6117AUS | 15.8550 | | 8340 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | 1N6117 | - | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 12a | 500W | 不 | 1 | |||
 | MSMLJ16A/TR | 2.6550 | | 8050 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ16 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ16A/TRMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 115.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| Jan1n6118us/tr | 14.6900 | | 5258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JAN1N6118US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 10.9a | 500W | 不 | 1 | ||||||
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 | MXP6KE170CA | - | | 5874 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE170 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 161V | 234V | 2.6a | 600W | 不 | 1 | |||
| MX1.5KE9.1A | - | | 9462 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE9.1 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| JANTX1N6166US/TR | 20.7501 | | 1610 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | 下载 | 150-JANTX1N6166US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 76V | 95V | 137.6V | 10.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
 | maplad36kp40cae3 | 62.2204 | | 1406 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 559a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
 | MS1N8177 | 166.1250 | | 9767 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 114V | 168V | 890mA | 150W | 不 | |||||
| MXLSMBG7.5CA/TR | 10.6350 | | 1639年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG7.5 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MXLSMBG7.5CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 46.5A | 600W | 不 | 1 | |||
| MSMBG75A | 1.2000 | | 1352 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG75 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 4.9a | 600W | 不 | |||
| JANS1N6150US | 139.2400 | | 7236 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6150US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
| JANS1N6172AUS | 164.8950 | | 8536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 托盘 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | 1N6172 | - | C，SQ-MELF | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136.8V | 171V | 245.7V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | JANTX1N5612 | - | | 6195 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/434 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | 1N5612 | - | g，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 49V | 54V | 78.5V | 19a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MASMLJ16CAE3 | 8.2950 | | 5629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ16 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 115.4a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MXLPLAD36KP64CAE3 | - | | 8472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 350a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
| MXSMLJ7.5CA/TR | 19.7550 | | 4113 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ7.5 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MXSMLJ7.5CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 232.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | LC75/tr | 37.7702 | | 3661 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC75/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 134V | 11.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MXPlad18KP78CA | - | | 2164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 143a | 18000W（18kw） | 不 | 1 |
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