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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | JANTX1N6126AUS/TR | 14.1300 | | 5762 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANTX1N6126AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 51.7V | 64.6V | 97.1V | 5.1a | 500W | 不 | 1 | ||||||
 | mplad18kp30cae3 | 39.9000 | | 7396 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 372a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | |||
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 | JANTX1N6157 | 27.4500 | | 4122 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6157 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| maplad36kp26ae3 | 58.2000 | | 1417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W（36kW） | 不 | ||||
| MXPLAD36KP45CA/TR | 101.3550 | | 5096 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD36KP45CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 45V | 50V | 72.7V | 496a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
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| 1n6106us/tr | 14.9400 | | 4115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 7.6V | 9.5V | 14.5V | 34.5a | 500W | 不 | 1 | ||||||
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| MS1N8176US/TR | 156.3100 | | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 94V | 104V | 152V | 980mA | 150W | 不 | ||||||
| JANTXV1N6147 | 33.5850 | | 6549 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6147 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 14.44V | 23.42V | 63.94a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
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| mplad15kp90ae3/tr | 23.6550 | | 7668 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | mplad15kp90ae3/trm | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 90V | 100V | 146V | 102a | 15000W（15kW） | 不 | ||
| mxplad6.5kp12ca | - | | 5966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 327a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | |||
 | USB50815CE3/TR13 | 1.3500 | | 2427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | USB50815 | 3pf @ 1MHz | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 15V | 16.7V | 32V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | 2 | |||
| MXLPLAD30KP150CAE3 | - | | 5919 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 124a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
| Jan1n6038a/tr | 58.1602 | | 9577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6038A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| JANS1N6154A/TR | 115.3950 | | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6154A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MXLSMLG70CAE3 | - | | 9908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG70 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 26.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MASMCJ8.0CAE3/tr | 6.7500 | | 3277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ8.0 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMCJ8.0CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 8V | 8.89V | 13.6V | 110.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
| MSMLJ85A | 2.4900 | | 7753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||
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 | MASMLJ20AE3/tr | 7.6050 | | 4041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ20 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMLJ20AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 92.6a | 3000W（3KW） | 不 | ||
 | MXLPLAD18KP180AE3 | - | | 5713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 180V | 200V | 291V | 62a | 18000W（18kw） | 不 |
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