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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | maplad18kp40cae3 | 51.9750 | ![]() | 8723 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 280a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXRT100KP110AE3 | - | ![]() | 2962 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MXRT100KP110 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 216V | - | 100000W(100kW) | 不 | |||
![]() | mplad18kp24ae3 | 32.8050 | ![]() | 6925 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 26.7V | 38.9V | 463a | 18000W(18kw) | 不 | |||
![]() | MSMBJ5372BE3/tr | 3.9600 | ![]() | 6849 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5372BE3/tr | 300 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | MSMLJ120CA/TR | 2.7600 | ![]() | 5469 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ120 | - | SMLJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMLJ120CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 120V | 133V | 193V | 15.6a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
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![]() | JANTXV1N5660A/TR | 89.0302 | ![]() | 2358 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5660A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 111V | 124V | 179V | 8.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
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![]() | MASMBJ170CAE3 | 5.6700 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ170 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 189V | 275V | 2.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5345C/TR | 3.9600 | ![]() | 9288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5345C/TR | 300 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | M1.5KE400A/TR | 6.1500 | ![]() | 4566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE400 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke400a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 324V | 380V | 548V | 4a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | MXSMCG70CA | - | ![]() | 2377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG70 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 13.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | USB50824E3/TR13 | 1.2000 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50824 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 2 | 24V | 26.7V | 57V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | |||
![]() | MXPlad18KP85AE3 | - | ![]() | 7244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 132a | 18000W(18kw) | 不 | ||||
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![]() | maplad30kp24ca/tr | 59.9250 | ![]() | 1922年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MAPLAD30KP24CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 26.7V | 39.8V | 753a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMCG40CA/TR | 6.9300 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG40 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MASMCG40CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 40V | 44.4V | 64.5V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMLJ85CA/TR | 4.3800 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | SMLJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMLJ85CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | M1.5KE47CAE3/tr | 3.6450 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE47 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke47cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40.2V | 44.7V | 64.8V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXL5KP18CAE3 | - | ![]() | 1719年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP18 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 172a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANTX1N5643A/TR | 58.9650 | ![]() | 2058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5643 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5643A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 23.1V | 25.7V | 37.5V | 40a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
MV1N8179US/TR | 33.9500 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | |||||||
![]() | maplad18kp75cae3 | 51.9750 | ![]() | 8382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 1396a(1.396KA) | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | 15KPA48AE3/TR13 | 11.4000 | ![]() | 3985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA48 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 48V | 53.6V | 77.7V | 194.3a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MASMCJ14CAE3/tr | 6.7500 | ![]() | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MASMCJ14CAE3/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 14V | 15.6V | 23.2v | 64.7a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MPLAD18KP10AE3 | 32.8050 | ![]() | 6986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 1059a(1.059KA) | 18000W(18kw) | 不 | |||
![]() | 1月1N6043A | 62.1450 | ![]() | 1736年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6043 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 14.3V | 21.2V | 71a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | mplad15kp200cae3 | 29.2950 | ![]() | 7072 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W(15kW) | 不 | 1 |
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