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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXLSMLJ17CA | - |  | 1693年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ17 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 106.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | MSMCJ12AE3/tr | 1.7700 | | 8548 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ12 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMCJ12AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
 | M1.5Ke43a/tr | 3.4650 | | 5579 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE43 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke43a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 36.8V | 40.9V | 59.3V | 25.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MASMBJ170CAE3 | 5.6700 | | 7449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ170 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 189V | 275V | 2.2a | 600W | 不 | 1 | |||
| MSMBJ5345C/TR | 3.9600 | | 9288 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5345C/TR | 300 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
| M1.5KE400A/TR | 6.1500 | | 4566 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE400 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke400a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 324V | 380V | 548V | 4a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MXSMCG70CA | - | | 2377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG70 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 13.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | USB50824E3/TR13 | 1.2000 | | 4755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | USB50824 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 2 | 24V | 26.7V | 57V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | |||
 | MXPlad18KP85AE3 | - | | 7244 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 132a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
 | MSMBG14CA | 1.3050 | | 4050 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG14 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 25.8a | 600W | 不 | 1 | |||
| maplad30kp24ca/tr | 59.9250 | | 1922年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MAPLAD30KP24CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 26.7V | 39.8V | 753a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | ||||
| MASMCG40CA/TR | 6.9300 | | 8433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG40 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMCG40CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 40V | 44.4V | 64.5V | 23.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | MSMLJ85CA/TR | 4.3800 | | 6823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ85CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| M1.5KE47CAE3/tr | 3.6450 | | 9256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE47 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke47cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40.2V | 44.7V | 64.8V | 23.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXL5KP18CAE3 | - | | 1719年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP18 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 172a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
 | JANTX1N5643A/TR | 58.9650 | | 2058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5643 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5643A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 23.1V | 25.7V | 37.5V | 40a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MV1N8179US/TR | 33.9500 | | 9926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | ||||||
| maplad18kp75cae3 | 51.9750 | | 8382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 1396a（1.396KA） | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||
| 15KPA48AE3/TR13 | 11.4000 | | 3985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA48 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 48V | 53.6V | 77.7V | 194.3a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| MASMCJ14CAE3/tr | 6.7500 | | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | - | SMCJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-MASMCJ14CAE3/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 14V | 15.6V | 23.2v | 64.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| MPLAD18KP10AE3 | 32.8050 | | 6986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 1059a（1.059KA） | 18000W（18kw） | 不 | |||
| 1月1N6043A | 62.1450 | | 1736年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6043 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 14.3V | 21.2V | 71a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| mplad15kp200cae3 | 29.2950 | | 7072 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
| m5kp33a/tr | 7.0200 | | 4918 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp33a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 93.8a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
 | MXLPLAD7.5KP12AE3 | 12.3600 | | 2319 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 377a | 7500W（7.5kW） | 不 | ||||
 | MV1N8165/tr | 31.3100 | | 3810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8165/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | ||||
| 1N6151US | 22.4700 | | 7956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | 1N6151 | - | C，SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6151USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| maplad36kp200ca | 71.7900 | | 4351 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 322V | 112a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
| MXLSMLG28AE3 | - | | 4872 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG28 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.4V | 66a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MXLSMBJ8.0AE3 | - | | 6420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ8.0 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 44.1a | 600W | 不 |
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