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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MXLPLAD18KP180CAE3 | - | ![]() | 1789年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 180V | 200V | 291V | 62a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | 15KPA30E3/TR13 | 11.4000 | ![]() | 6183 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA30 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 30V | 31.59V | - | - | 15000W(15kW) | 不 | |||
MXP4KE150CA | - | ![]() | 7981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE150 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 128V | 143V | 207V | 1.95a | 400W | 不 | 1 | ||||
![]() | M1.5KE400A | 5.9600 | ![]() | 133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE400 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 324V | 380V | 548V | 4a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | mplad36kp220cae3 | 47.5500 | ![]() | 4701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 220V | 245V | 356V | 102a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | |||
![]() | maplad30kp150ae3 | 47.6850 | ![]() | 1764年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 124a | 30000W(30kW) | 不 | |||
![]() | MSMBJ18A | 1.1250 | ![]() | 1873年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ18 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 20.5a | 600W | 不 | |||
![]() | maplad36kp280ae3 | 58.2000 | ![]() | 4437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 280V | 311V | 451V | 80a | 36000W(36kW) | 不 | ||||
![]() | M5KP58AE3 | 6.8400 | ![]() | 9284 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP58 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 53a | 5000W(5kW) | 不 | |||
TVS305SM/TR | 19.8801 | ![]() | 6006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | A夫人 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS305SM/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.7V | 17a (8/20µs) | 150W | 不 | |||||
![]() | 1N6168 | 19.5450 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | 1N6168 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6168MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 9.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | SMAJ64CE3/TR13 | 0.1600 | ![]() | 5003 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 齐纳 | SMAJ64 | - | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 64V | 71.1V | 114V | 4.4a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | MXLPLAD18KP110CAE3 | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 110V | 122V | 177V | 102a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMCG17AE3 | 6.2400 | ![]() | 5479 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG17 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 53.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | JANTX1N6132US | 16.1550 | ![]() | 6729 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6132 | - | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6132US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 3a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | USBQNM50412E3/TR7 | 3.5700 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 4-vdfn | 齐纳 | USBQNM50 | 3pf @ 1MHz | QFN-143 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 12V | 13.3V | 26V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | |||
![]() | M1.5KE51CA/TR | 3.6450 | ![]() | 4996 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE51 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE51CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 43.6V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
1N6129US | 15.8550 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6129 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6129USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 69.2V | 86.5V | 125.1V | 4a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | 30KPA240CE3/TR13 | 23.4450 | ![]() | 5416 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 30KPA240 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 240V | 252.72V | - | - | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MRT100KP90CA | 29.1150 | ![]() | 4050 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP90 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 178V | - | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANTX1N5637A/TR | 58.9650 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5637A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 12.8V | 14.3V | 21.2V | 71a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
1N6154US | 22.4700 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6154 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6154USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MSMBJ5347CE3 | 3.9600 | ![]() | 6559 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5347CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MXLLCE33A | - | ![]() | 8285 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | LCE33 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 28.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | 1N5557/tr | 18.5001 | ![]() | 5309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5557/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 49V | 54V | 78.5V | 19a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANTX1N6114A | 21.3600 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6114 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16.7V | 20.9V | 30.5V | 16.4a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | mplad15kp11cae3 | 23.9000 | ![]() | 3477 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 822a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 1N6164A | 21.7500 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6164 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 62.2V | 77.9V | 112.8V | 13.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | SMBJ100CE3/TR13 | 0.3150 | ![]() | 3258 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ100 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 100V | 111V | 179V | 3.4a | 600W | 不 | 1 | |||
MXP4KE13CAE3 | - | ![]() | 8615 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE13 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.1V | 12.4V | 18.2v | 22a | 400W | 不 | 1 |
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