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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙(典型) 电压 -故障(最小) 电压 -夹紧(最大) @ ipp 电流 -10/1000µs) 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道
MXLPLAD18KP180CAE3 Microchip Technology MXLPLAD18KP180CAE3 -
RFQ
ECAD 1789年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 PLAD18 - plad 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 180V 200V 291V 62a 18000W(18kw) 1
15KPA30E3/TR13 Microchip Technology 15KPA30E3/TR13 11.4000
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 P600,轴向 齐纳 15KPA30 - P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 30V 31.59V - - 15000W(15kW)
MXP4KE150CA Microchip Technology MXP4KE150CA -
RFQ
ECAD 7981 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 齐纳 P4KE150 - DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 128V 143V 207V 1.95a 400W 1
M1.5KE400A Microchip Technology M1.5KE400A 5.9600
RFQ
ECAD 133 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 1.5KE400 - 案例1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 324V 380V 548V 4a 1500W(1.5kW)
MPLAD36KP220CAE3 Microchip Technology mplad36kp220cae3 47.5500
RFQ
ECAD 4701 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 plad36 - plad 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 220V 245V 356V 102a 36000W(36kW) 1
MAPLAD30KP150AE3 Microchip Technology maplad30kp150ae3 47.6850
RFQ
ECAD 1764年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 plad30 - plad 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 150V 167V 243V 124a 30000W(30kW)
MSMBJ18A Microchip Technology MSMBJ18A 1.1250
RFQ
ECAD 1873年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AA,SMB 齐纳 SMBJ18 - SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 18V 20V 29.2V 20.5a 600W
MAPLAD36KP280AE3 Microchip Technology maplad36kp280ae3 58.2000
RFQ
ECAD 4437 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 plad36 - plad 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 280V 311V 451V 80a 36000W(36kW)
M5KP58AE3 Microchip Technology M5KP58AE3 6.8400
RFQ
ECAD 9284 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204ar,轴向 齐纳 5KP58 - do-204ar 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 58V 64.4V 93.6V 53a 5000W(5kW)
TVS305SM/TR Microchip Technology TVS305SM/TR 19.8801
RFQ
ECAD 6006 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,a 齐纳 - A夫人 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-TVS305SM/TR Ear99 8541.10.0080 1 1 5V 6V 8.7V 17a (8/20µs) 150W
1N6168 Microchip Technology 1N6168 19.5450
RFQ
ECAD 9536 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 C,轴向 齐纳 1N6168 - C,轴向 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6168MS Ear99 8541.10.0080 1 91.2V 114V 165.1V 9.1a 1500W(1.5kW) 1
SMAJ64CE3/TR13 Microchip Technology SMAJ64CE3/TR13 0.1600
RFQ
ECAD 5003 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 do-214ac,SMA 齐纳 SMAJ64 - DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 64V 71.1V 114V 4.4a 500W 1
MXLPLAD18KP110CAE3 Microchip Technology MXLPLAD18KP110CAE3 -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 PLAD18 - plad 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 110V 122V 177V 102a 18000W(18kw) 1
MASMCG17AE3 Microchip Technology MASMCG17AE3 6.2400
RFQ
ECAD 5479 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 齐纳 SMCG17 - SMCG(do-215ab) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 17V 18.9V 27.6V 53.3a 1500W(1.5kW)
JANTX1N6132US Microchip Technology JANTX1N6132US 16.1550
RFQ
ECAD 6729 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 1N6132 - B,平方米 - 到达不受影响 150-JANTX1N6132US Ear99 8541.10.0080 1 91.2V 114V 165.1V 3a 500W 1
USBQNM50412E3/TR7 Microchip Technology USBQNM50412E3/TR7 3.5700
RFQ
ECAD 6968 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 以太网 表面安装 4-vdfn 齐纳 USBQNM50 3pf @ 1MHz QFN-143 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12V 13.3V 26V 5a(8/20µs) 500W
M1.5KE51CA/TR Microchip Technology M1.5KE51CA/TR 3.6450
RFQ
ECAD 4996 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 1.5KE51 - 案例1 - 到达不受影响 150-M1.5KE51CA/TR Ear99 8541.10.0080 100 43.6V 48.5V 70.1V 21.4a 1500W(1.5kW) 1
1N6129US Microchip Technology 1N6129US 15.8550
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 1N6129 - B,平方米 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6129USM Ear99 8541.10.0080 1 69.2V 86.5V 125.1V 4a 500W 1
30KPA240CE3/TR13 Microchip Technology 30KPA240CE3/TR13 23.4450
RFQ
ECAD 5416 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 P600,轴向 齐纳 30KPA240 - P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 240V 252.72V - - 30000W(30kW) 1
MRT100KP90CA Microchip Technology MRT100KP90CA 29.1150
RFQ
ECAD 4050 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204ar,轴向 齐纳 MRT100KP90 - 案例5A(do-204AR) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 90V 100V 178V - 100000W(100kW) 1
JANTX1N5637A/TR Microchip Technology JANTX1N5637A/TR 58.9650
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C〜175°C 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) - 到达不受影响 150-JANTX1N5637A/TR Ear99 8541.10.0080 100 1 12.8V 14.3V 21.2V 71a 1500W(1.5kW)
1N6154US Microchip Technology 1N6154US 22.4700
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,c 齐纳 1N6154 - C,SQ-MELF 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6154USM Ear99 8541.10.0080 1 25.1V 31.4V 45.7V 32.8a 1500W(1.5kW) 1
MSMBJ5347CE3 Microchip Technology MSMBJ5347CE3 3.9600
RFQ
ECAD 6559 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AA,SMB 齐纳 - SMBJ(DO-214AA) - 到达不受影响 150-MSMBJ5347CE3 1 - - - - 600W 1
MXLLCE33A Microchip Technology MXLLCE33A -
RFQ
ECAD 8285 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 LCE33 100pf @ 1MHz 案例1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 33V 36.7V 53.3V 28.1a 1500W(1.5kW)
1N5557/TR Microchip Technology 1N5557/tr 18.5001
RFQ
ECAD 5309 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - do-13 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N5557/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 49V 54V 78.5V 19a 1500W(1.5kW)
JANTX1N6114A Microchip Technology JANTX1N6114A 21.3600
RFQ
ECAD 45 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 1N6114 - B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 16.7V 20.9V 30.5V 16.4a 500W 1
MPLAD15KP11CAE3 Microchip Technology mplad15kp11cae3 23.9000
RFQ
ECAD 3477 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 plad15 - plad 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 11V 12.2v 18.2v 822a 15000W(15kW) 1
1N6164A Microchip Technology 1N6164A 21.7500
RFQ
ECAD 3615 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 1N6164 - B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 62.2V 77.9V 112.8V 13.3a 1500W(1.5kW) 1
SMBJ100CE3/TR13 Microchip Technology SMBJ100CE3/TR13 0.3150
RFQ
ECAD 3258 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AA,SMB 齐纳 SMBJ100 - SMBJ(DO-214AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 100V 111V 179V 3.4a 600W 1
MXP4KE13CAE3 Microchip Technology MXP4KE13CAE3 -
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 齐纳 P4KE13 - DO-204AL(DO-41) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 11.1V 12.4V 18.2v 22a 400W 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库