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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N6151US | 22.4700 |  | 7956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | 1N6151 | - | C，SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6151USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | MASMLG58CAE3 | 8.5500 | | 4421 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG58 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 32a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | MP6KE200CAE3 | 2.6400 | | 4006 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE200 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 171V | 190V | 274V | 2.2a | 600W | 不 | 1 | |||
| MSMBG5385C | 3.9600 | | 9473 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5385C | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
| m5kp33a/tr | 7.0200 | | 4918 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp33a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 93.8a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
| JANS1N6147A/TR | 115.3950 | | 3601 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6147A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 67.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | mplad36kp85ae3 | 38.2200 | | 6116 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 263a | 36000W（36kW） | 不 | |||
| 5KP90AE3/TR13 | - | | 8692 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP90 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 90V | 100V | 146V | 34.2a | 5000W（5kW） | 不 | |||
 | JANTXV1N6066A/TR | 149.4450 | | 8121 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6066 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6066A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 110V | 124V | 182V | 8.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MASMLJ20AE3/tr | 7.6050 | | 4041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ20 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMLJ20AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 92.6a | 3000W（3KW） | 不 | ||
 | MXLPLAD18KP180AE3 | - | | 5713 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 180V | 200V | 291V | 62a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
| MXLSMLG70CAE3 | - | | 9908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG70 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 26.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| JANS1N6136 | 77.3100 | | 3089 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 136.8V | 171V | 245.7V | 2a | 500W | 不 | 1 | |||||
| MXLPLAD30KP150CAE3 | - | | 5919 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 124a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | MASMCJ8.0CAE3/tr | 6.7500 | | 3277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ8.0 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMCJ8.0CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 8V | 8.89V | 13.6V | 110.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
| Jan1n6038a/tr | 58.1602 | | 9577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6038A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSMLJ85A | 2.4900 | | 7753 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| MSMCJ22A | 1.5750 | | 4955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ22 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 42.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| mxplad6.5kp12ca | - | | 5966 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 327a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | |||
| mplad15kp90ae3/tr | 23.6550 | | 7668 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | mplad15kp90ae3/trm | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 90V | 100V | 146V | 102a | 15000W（15kW） | 不 | ||
| JANS1N6154A/TR | 115.3950 | | 2743 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6154A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | USB50815CE3/TR13 | 1.3500 | | 2427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | USB50815 | 3pf @ 1MHz | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 15V | 16.7V | 32V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | 2 | |||
| 1N6036A/TR | 20.9850 | | 2985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6036A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MSMBG5356BE3 | 3.9600 | | 1320 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBG5356BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
| Jan1n5642a | - | | 9990 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 在sic中停产 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MRT130KP295CVE3 | 45.2250 | | 4304 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | MRT130KP | - | 案例-5a | - | 到达不受影响 | 150-MRT130KP295CVE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 295V （最大） | 300V | 410V | 282a | 130000W（130kW） | 不 | 1 | ||||
| mxplad36kp110cae3 | - | | 3574 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 110V | 122V | 177V | 204a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
| Jan1n6166us | 21.1050 | | 6459 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | 1N6166 | - | C，SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 90.25V | 144.48V | 10.36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| 1N8180US | 24.9450 | | 7565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | 1N8180 | - | a，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 | ||||
| JANS1N6131US/TR | 90.8300 | | 8026 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANS1N6131US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 3.3a | 500W | 不 | 1 |
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