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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | maplad36kp48cae3 | 71.7900 | ![]() | 5383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 466a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MA5KP28CA | 17.3700 | ![]() | 2497 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP28 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 110a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMCJLCE16AE3 | 4.3350 | ![]() | 8541 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE16 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 57a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | PHP208H1 | - | ![]() | 8532 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507A | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C | 电信 | 底盘安装 | 模块 | 齐纳 | PHP208 | - | 案例11 | - | 到达不受影响 | 150-PHP208H1 | Ear99 | 8541.10.0080 | 25 | 295V | 347V | 536V | 28a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXLPLAD15KP200A | - | ![]() | 9033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | maplad36kp28ca | 71.7900 | ![]() | 2892 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31.1V | 46.4V | 776a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | SMAJ11CE3/TR13 | 0.1800 | ![]() | 8915 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 齐纳 | SMAJ11 | - | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 11V | 12.2v | 20.1V | 24.9a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | Jan1n6150us | 19.5000 | ![]() | 7477 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6150 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16.7V | 19.86V | 32.03V | 46.74a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | maplad7.5kp15ca | 9.2850 | ![]() | 3575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 307a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | Mxplad7.5kp45ca | - | ![]() | 6859 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 103a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MSMLJ64CAE3 | 2.5800 | ![]() | 5000 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ64 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 29.2a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | 1N5650 | 18.1200 | ![]() | 7083 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5650 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N5650ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 41.3V | 45.9V | 73.5V | 20.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
MP4KE18CAE3 | 2.4450 | ![]() | 1378 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE18 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15.3V | 17.1V | 25.2V | 16a | 400W | 不 | 1 | ||||
![]() | MXLPLAD30KP90CAE3 | - | ![]() | 6427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 146V | 204a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMCGLCE58AE3 | - | ![]() | 9076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE58 | 100pf @ 1MHz | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 16a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MSMCJ64CAE3/tr | 1.8900 | ![]() | 1055 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ64 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ64CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 64V | 71.1V | 103V | 14.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MSMBG5364AE3 | 3.9600 | ![]() | 3624 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5364AE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | MDA3KP6.5CAE3 | 69.8100 | ![]() | 3904 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MDA3KP6.5CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 267.9a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MX1.5KE62AE3 | - | ![]() | 5524 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE62 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 53V | 58.9V | 85V | 17.7a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MX15KP48A | - | ![]() | 1352 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 15kp48 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48V | 53.3V | 77.7V | 193a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MASMLJ75AE3 | 7.7400 | ![]() | 9135 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ75 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 24.8a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | MA5KP90A | 16.2000 | ![]() | 6020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP90 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 90V | 100V | 146V | 34a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | MXRT100KP200CA | - | ![]() | 5182 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MXRT100KP200 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 392V | - | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 30KPA64AE3/TR13 | 23.4450 | ![]() | 5745 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 30KPA64 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 64V | 71.5V | 104V | 291.3A | 30000W(30kW) | 不 | |||
![]() | MASMBG33CAE3 | 5.3400 | ![]() | 7307 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG33 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 11.3a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MA5KP58CAE3 | 17.3700 | ![]() | 9118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP58 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 53a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MASMBJ28CA | 5.6700 | ![]() | 3961 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ28 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31.1V | 45.4V | 13.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | maplad18kp100ca | 51.9750 | ![]() | 7854 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 112a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXLUPT17E3 | 12.4200 | ![]() | 4628 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT17 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 19v | 29.2V | 5.14a | 1000W(1kw) | 不 | ||||
![]() | 1N6130 | 12.6600 | ![]() | 4409 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6130 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6130ms | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 95V | 137.6V | 3.6a | 500W | 不 | 1 |
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