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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | mxlupt28 | 12.4200 | ![]() | 3466 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT28 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31V | 47.8V | 3.13a | 1000W(1kw) | 不 | ||||
![]() | JANS1N6125A | 97.1700 | ![]() | 2325 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6125 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 47.1V | 58.9V | 85.3V | 5.9a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | MXPLAD30KP45CA/TR | 112.8600 | ![]() | 1058 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MXPLAD30KP45CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 45V | 50V | 72.7V | 414a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | M5KP90CA/TR | 7.3950 | ![]() | 7736 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-M5KP90CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 90V | 100V | 146V | 34.2a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MXLSMBJ17A | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ17 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 21.7a | 600W | 不 | |||
![]() | MAP6KE36A | 8.1300 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE36 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.8V | 34.2V | 49.9V | 12a | 600W | 不 | |||
![]() | MXLPLAD36KP260CA | - | ![]() | 4308 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 260V | 289V | 419V | 86a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | Jan1n6142a | 43.7400 | ![]() | 5619 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | 1N6142 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.6V | 9.5V | 14.5V | 103.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLP6KE24AE3 | - | ![]() | 7347 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE24 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 18a | 600W | 不 | |||
M15KP75CA/TR | 26.6250 | ![]() | 6932 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP75CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 75V | 83.3V | 122V | 123a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | JANS1N6153AUS/TR | 139.3800 | ![]() | 7366 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6153AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE82A | 8.1300 | ![]() | 1111 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE82 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70.1V | 77.9V | 113V | 5.3a | 600W | 不 | |||
M15KP30CA/TR | 20.6250 | ![]() | 2897 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-m15kp30ca/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 30V | 33.3V | 50.7V | 296a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||||
JANS1N6160AUS | 149.1900 | ![]() | 7907 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||||
![]() | JANS1N6104US/TR | 90.8402 | ![]() | 8790 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6104US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | mplad36kp260cae3/tr | 47.7150 | ![]() | 3163 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP260CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 260V | 289V | 419V | 86a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMCJ8.0A | 6.0150 | ![]() | 9698 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ8.0 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 110.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | USB50805C-AE3/TR13 | 1.3500 | ![]() | 3384 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50805 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 5V | 6V | 13V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | 2 | |||
![]() | MXSMCG150CAE3 | - | ![]() | 1249 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG150 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
MXP4KE36AE3 | - | ![]() | 2164 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE36 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.8V | 34.2V | 49.9V | 8a | 400W | 不 | ||||
![]() | MSMBJ5354AE3 | 3.4300 | ![]() | 5703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5354AE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | MXLSMBJ18CAE3 | - | ![]() | 8723 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ18 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 20.5a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | JANTXV1N6037A | 106.3200 | ![]() | 2716 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7V | 7.79V | 12.1V | 124a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MASMCJ160CA | 6.5700 | ![]() | 4665 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ160 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 178V | 259V | 5.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
MS1N8181US | 167.3250 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 171V | 261V | 570mA | 150W | 不 | ||||||
![]() | mxplad7.5kp22ca | - | ![]() | 9717 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 211a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMBG22CAE3 | 5.3400 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG22 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 16.9a | 600W | 不 | 1 | |||
JANTX1N6112AUS/TR | 17.9400 | ![]() | 5928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6112AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 19.9a | 500W | 不 | 1 | |||||
![]() | MXLCE8.5A | - | ![]() | 6031 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | LCE8.5 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | 1N816 | 30.6902 | ![]() | 3400 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 |
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