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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N6154US | 22.4700 | ![]() | 7575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6154 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6154USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | 1N6168 | 19.5450 | ![]() | 9536 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | 1N6168 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6168MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 114V | 165.1V | 9.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
1N6129US | 15.8550 | ![]() | 6381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6129 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6129USM | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 69.2V | 86.5V | 125.1V | 4a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | JANTX1N6114A | 21.3600 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6114 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16.7V | 20.9V | 30.5V | 16.4a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | MXLPLAD18KP110CAE3 | - | ![]() | 7758 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 110V | 122V | 177V | 102a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | USBQNM50412E3/TR7 | 3.5700 | ![]() | 6968 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 4-vdfn | 齐纳 | USBQNM50 | 3pf @ 1MHz | QFN-143 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 12V | 13.3V | 26V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | |||
![]() | MRT100KP90CA | 29.1150 | ![]() | 4050 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP90 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 178V | - | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||
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![]() | MASMBJ48CA | 5.6700 | ![]() | 1521年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ48 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 7.7a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | M1.5KE22CAE3 | 3.4650 | ![]() | 4672 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE22 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.8V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXSMCJ7.5A | - | ![]() | 9602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ7.5 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 116.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MSMLJ60CA/TR | 2.7600 | ![]() | 9320 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ60 | - | SMLJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMLJ60CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 60V | 66.7V | 96.8V | 31a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANTXV1N5557/TR | - | ![]() | 6345 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5557 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5557/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 49V | 54V | 78.5V | 19a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTX1N6105US/TR | 15.2801 | ![]() | 2515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | 150-JANTX1N6105US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 6.9V | 8.65V | 13.4V | 37.3a | 500W | 不 | 1 | |||||||
1N8165USE3/tr | 25.2900 | ![]() | 6692 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | |||||||
![]() | JANTXV1N6040A | 105.3000 | ![]() | 3064 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10.5V | 15.6V | 96a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | 15KPA36CE3/TR13 | 13.1550 | ![]() | 7381 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA36 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 36V | 37.89V | - | - | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 15KPA48AE3/TR13 | 11.4000 | ![]() | 3985 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA48 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 48V | 53.6V | 77.7V | 194.3a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | maplad18kp75cae3 | 51.9750 | ![]() | 8382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 1396a(1.396KA) | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | maplad30kp24ca/tr | 59.9250 | ![]() | 1922年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MAPLAD30KP24CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 26.7V | 39.8V | 753a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMCG40CA/TR | 6.9300 | ![]() | 8433 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG40 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MASMCG40CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 40V | 44.4V | 64.5V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXL5KP18CAE3 | - | ![]() | 1719年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP18 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 172a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
MV1N8179US/TR | 33.9500 | ![]() | 9926 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | |||||||
![]() | M1.5KE47CAE3/tr | 3.6450 | ![]() | 9256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE47 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke47cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 40.2V | 44.7V | 64.8V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MSMLJ85CA/TR | 4.3800 | ![]() | 6823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | SMLJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMLJ85CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
1N6466us/tr | 12.4900 | ![]() | 1438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6466us/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 63a(8/20µs) | 500W | 不 | |||||
![]() | 1N5630A | 18.1200 | ![]() | 9463 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5630 | - | do-13 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1n5630ams | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
JANS1N6122AUS/TR | 97.3350 | ![]() | 6656 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6122AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | |||||
1n6116us | 15.8550 | ![]() | 8169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6116 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.6V | 24.42V | 39.27V | 12.73a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMCG11CA | 6.7350 | ![]() | 3502 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG11 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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