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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙(典型) 电压 -故障(最小) 电压 -夹紧(最大) @ ipp 电流 -10/1000µs) 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道
1N6154US Microchip Technology 1N6154US 22.4700
RFQ
ECAD 7575 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,c 齐纳 1N6154 - C,SQ-MELF 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6154USM Ear99 8541.10.0080 1 25.1V 31.4V 45.7V 32.8a 1500W(1.5kW) 1
1N6168 Microchip Technology 1N6168 19.5450
RFQ
ECAD 9536 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 C,轴向 齐纳 1N6168 - C,轴向 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6168MS Ear99 8541.10.0080 1 91.2V 114V 165.1V 9.1a 1500W(1.5kW) 1
1N6129US Microchip Technology 1N6129US 15.8550
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 1N6129 - B,平方米 下载 Rohs不合规 到达不受影响 1N6129USM Ear99 8541.10.0080 1 69.2V 86.5V 125.1V 4a 500W 1
JANTX1N6114A Microchip Technology JANTX1N6114A 21.3600
RFQ
ECAD 45 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 B,轴向 齐纳 1N6114 - B,轴向 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 16.7V 20.9V 30.5V 16.4a 500W 1
MXLPLAD18KP110CAE3 Microchip Technology MXLPLAD18KP110CAE3 -
RFQ
ECAD 7758 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 PLAD18 - plad 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 110V 122V 177V 102a 18000W(18kw) 1
USBQNM50412E3/TR7 Microchip Technology USBQNM50412E3/TR7 3.5700
RFQ
ECAD 6968 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜125°C(TJ) 以太网 表面安装 4-vdfn 齐纳 USBQNM50 3pf @ 1MHz QFN-143 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12V 13.3V 26V 5a(8/20µs) 500W
MRT100KP90CA Microchip Technology MRT100KP90CA 29.1150
RFQ
ECAD 4050 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204ar,轴向 齐纳 MRT100KP90 - 案例5A(do-204AR) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 90V 100V 178V - 100000W(100kW) 1
MA15KP260AE3 Microchip Technology MA15KP260AE3 45.8100
RFQ
ECAD 9423 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204ar,轴向 齐纳 15KP260 - do-204ar 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 260V 289V 419V 36a 15000W(15kW)
MASMBJ48CA Microchip Technology MASMBJ48CA 5.6700
RFQ
ECAD 1521年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AA,SMB 齐纳 SMBJ48 - SMBJ(DO-214AA) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 48V 53.3V 77.4V 7.7a 600W 1
M1.5KE22CAE3 Microchip Technology M1.5KE22CAE3 3.4650
RFQ
ECAD 4672 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 1.5KE22 - 案例1 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 18.8V 20.9V 30.6V 49a 1500W(1.5kW) 1
MXSMCJ7.5A Microchip Technology MXSMCJ7.5A -
RFQ
ECAD 9602 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AB,SMC 齐纳 SMCJ7.5 - DO-214AB(SMCJ) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 1 7.5V 8.33V 12.9V 116.3a 1500W(1.5kW)
MSMLJ60CA/TR Microchip Technology MSMLJ60CA/TR 2.7600
RFQ
ECAD 9320 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AB,SMC 齐纳 SMLJ60 - SMLJ(do-214ab) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MSMLJ60CA/TRM Ear99 8541.10.0080 400 60V 66.7V 96.8V 31a 3000W(3KW) 1
JANTXV1N5557/TR Microchip Technology JANTXV1N5557/TR -
RFQ
ECAD 6345 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/500 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜175°C(TA) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 1N5557 - DO-13(do-202AA) 下载 到达不受影响 150-JANTXV1N5557/TR Ear99 8541.10.0080 100 1 49V 54V 78.5V 19a 1500W(1.5kW)
JANTX1N6105US/TR Microchip Technology JANTX1N6105US/TR 15.2801
RFQ
ECAD 2515 0.00000000 微芯片技术 MIL-PRF-19500/516 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 下载 150-JANTX1N6105US/TR Ear99 8541.10.0080 100 6.9V 8.65V 13.4V 37.3a 500W 1
1N8165USE3/TR Microchip Technology 1N8165USE3/tr 25.2900
RFQ
ECAD 6692 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,a 齐纳 - a,平方米 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 1 33V 37.1V 53.6V 2.8a 150W
JANTXV1N6040A Microchip Technology JANTXV1N6040A 105.3000
RFQ
ECAD 3064 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/507 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 - DO-13(do-202AA) - Rohs不合规 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 9V 10.5V 15.6V 96a 1500W(1.5kW) 1
15KPA36CE3/TR13 Microchip Technology 15KPA36CE3/TR13 13.1550
RFQ
ECAD 7381 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 P600,轴向 齐纳 15KPA36 - P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 36V 37.89V - - 15000W(15kW) 1
15KPA48AE3/TR13 Microchip Technology 15KPA48AE3/TR13 11.4000
RFQ
ECAD 3985 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 P600,轴向 齐纳 15KPA48 - P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 48V 53.6V 77.7V 194.3a 15000W(15kW)
MAPLAD18KP75CAE3 Microchip Technology maplad18kp75cae3 51.9750
RFQ
ECAD 8382 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 PLAD18 - plad 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 7.5V 8.33V 12.9V 1396a(1.396KA) 18000W(18kw) 1
MAPLAD30KP24CA/TR Microchip Technology maplad30kp24ca/tr 59.9250
RFQ
ECAD 1922年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 SMD 齐纳 - plad - rohs3符合条件 到达不受影响 150-MAPLAD30KP24CA/TR Ear99 8541.10.0080 1 24V 26.7V 39.8V 753a 30000W(30kW) 1
MASMCG40CA/TR Microchip Technology MASMCG40CA/TR 6.9300
RFQ
ECAD 8433 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 齐纳 SMCG40 - SMCG(do-215ab) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MASMCG40CA/TRM Ear99 8541.10.0080 200 40V 44.4V 64.5V 23.2a 1500W(1.5kW) 1
MXL5KP18CAE3 Microchip Technology MXL5KP18CAE3 -
RFQ
ECAD 1719年 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-204ar,轴向 齐纳 5KP18 - 案例5A(do-204AR) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 18V 20V 29.2V 172a 5000W(5kW) 1
MV1N8179US/TR Microchip Technology MV1N8179US/TR 33.9500
RFQ
ECAD 9926 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,a 齐纳 - a,平方米 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 100 1 120V 138V 208V 720mA 150W
M1.5KE47CAE3/TR Microchip Technology M1.5KE47CAE3/tr 3.6450
RFQ
ECAD 9256 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 齐纳 1.5KE47 - 案例1 - 到达不受影响 150-m1.5ke47cae3/tr Ear99 8541.10.0080 100 40.2V 44.7V 64.8V 23.2a 1500W(1.5kW) 1
MSMLJ85CA/TR Microchip Technology MSMLJ85CA/TR 4.3800
RFQ
ECAD 6823 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 DO-214AB,SMC 齐纳 SMLJ85 - SMLJ(do-214ab) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 MSMLJ85CA/TRM Ear99 8541.10.0080 100 85V 94.4V 137V 20.8a 3000W(3KW) 1
1N6466US/TR Microchip Technology 1N6466us/tr 12.4900
RFQ
ECAD 1438 0.00000000 微芯片技术 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 150-1N6466us/tr Ear99 8541.10.0080 1 1 30.5V 33V 47.5V 63a(8/20µs) 500W
1N5630A Microchip Technology 1N5630A 18.1200
RFQ
ECAD 9463 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -65°C 〜175°C(TJ) 通用目的 通过洞 do-13 齐纳 1N5630 - do-13 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 1n5630ams Ear99 8541.10.0080 1 1 6.4V 7.13V 11.3V 132a 1500W(1.5kW)
JANS1N6122AUS/TR Microchip Technology JANS1N6122AUS/TR 97.3350
RFQ
ECAD 6656 0.00000000 微芯片技术 军事,MIL-PRF-19500/516 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 - B,平方米 - rohs3符合条件 到达不受影响 150-JANS1N6122AUS/TR Ear99 8541.10.0080 1 35.8V 44.7V 64.6V 7.7a 500W 1
1N6116US Microchip Technology 1n6116us 15.8550
RFQ
ECAD 8169 0.00000000 微芯片技术 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通用目的 表面安装 SQ-MELF,b 齐纳 1N6116 - B,平方米 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 20.6V 24.42V 39.27V 12.73a 500W 1
MASMCG11CA Microchip Technology MASMCG11CA 6.7350
RFQ
ECAD 3502 0.00000000 微芯片技术 军事,19500年的MIL-PRF 大部分 积极的 -65°C 〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 do-215ab,SMC Gull机翼 齐纳 SMCG11 - SMCG(do-215ab) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1 11V 12.2v 18.2v 82.4a 1500W(1.5kW) 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库