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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | maplad36kp26ca/tr | 71.9700 | ![]() | 4001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MAPLAD36KP26CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
MAP4KE33A | 7.9200 | ![]() | 6246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE33 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 9a | 400W | 不 | ||||
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![]() | mxplad36kp26ae3 | - | ![]() | 7417 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W(36kW) | 不 | ||||
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![]() | MSMCJ54CA | 1.6950 | ![]() | 1695年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ54 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 17.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | maplad18kp30a | 43.1850 | ![]() | 8265 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 372a | 18000W(18kw) | 不 | ||||
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![]() | mxplad15kp51a | - | ![]() | 1029 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 183a | 15000W(15kW) | 不 | |||
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![]() | mplad36kp14cae3 | 47.5500 | ![]() | 2367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 14V | 15.6V | 24V | 1500a(1.5KA) | 36000W(36kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMCJLCE80A | - | ![]() | 5040 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE80 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 80V | 88.7V | 129V | 11.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
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![]() | m5kp6.0ca/tr | 7.3950 | ![]() | 4479 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp6.0ca/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 6V | 6.67V | 10.3V | 485a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||||
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![]() | maplad15kp17ca | 40.1850 | ![]() | 5782 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 543a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMLJ64CAE3 | - | ![]() | 5663 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ64 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 29.2a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | LC140 | 37.6203 | ![]() | 5276 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-LC140 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | mplad15kp160a/tr | 23.6550 | ![]() | 5271 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MPLAD15KP160A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 160V | 178V | 259V | 58a | 15000W(15kW) | 不 |
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