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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | MXUPTB15 | 22.8750 | | 7197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB15 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 26V | 5.77a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | ||||||
 | MSMLJ58AE3/tr | 2.6400 | | 7736 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ58 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ58AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 32a | 3000W（3KW） | 不 | ||||
 | MXSMBJ13A/TR | 22.4700 | | 9331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 27.9a | 600W | 不 | ||||||
 | MXLP4KE91AE3 | - | | 5810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE91 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 77.8V | 86.5V | 125V | 3.2a | 400W | 不 | |||||
| JANTX1N6465US/TR | 14.5600 | | 5619 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6465US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 27V | 41.4V | 12a | 500W | 不 | ||||||||
 | MXLSMCJLCE110A | - | | 5329 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE110 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 178V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | MASMBG130AE3 | 5.7750 | | 9142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG130 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 144V | 209V | 2.9a | 600W | 不 | |||||
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| MSMCGLCE45AE3 | 4.5150 | | 9655 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE45 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 20.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | maplad36kp180cae3 | 71.7900 | | 4614 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 180V | 200V | 291V | 124a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||||
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| mxplad30kp60ae3 | - | | 5020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 312a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
| M1.5KE6.8A/tr | 3.4650 | | 6313 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE6.8 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-m1.5ke6.8a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 5.8V | 6.45V | 10.5V | 143a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
 | MRT100KP40AE3 | 27.7350 | | 1562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP40 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 78.6V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||||
| maplad36kp43ca | 71.7900 | | 2537 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 519a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||||
 | JANTXV1N6150US | 21.9501 | | 2776 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | 1N6150 | - | D-5C | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6150US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16.7V | 20.9V | 30.5V | 49.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| MXP4KE100A | - | | 2686 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE100 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85.5V | 95V | 137V | 2.9a | 400W | 不 | |||||
| MRT100KP280CAE3 | 29.1150 | | 4042 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP280 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 280V | 311V | 552V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||||
| 1N6122AUS/TR | 15.5400 | | 1298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | ||||||||
| MX1.5KE16CAE3 | - | | 9647 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE16 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 67a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| 30KPA180AE3/TR13 | 23.4450 | | 8812 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 30KPA180 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 180V | 201.1V | 290.4V | 104.3a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
| mx5kp33ae3 | - | | 8174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5kp33 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 94a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
| SMDB15C/TR13 | 4.4400 | | 8792 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | SMDB15 | 70pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 15V | 16.7V | 24V | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | 4 | |||||
| Jan1n6133us/tr | 14.7001 | | 9979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6133US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 98.8V | 117.33V | 187.74V | 2.66a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - | ||||
| MASMLJ120AE3 | 7.7400 | | 8219 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ120 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 133V | 193V | 15.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| M1.5KE24CA/TR | 3.6450 | | 4004 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE24 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE24CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| MXLSMBG60CA | - | | 1522 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG60 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | 1 | |||||
| mplad30kp150cae3/tr | - | | 4227 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | mplad30kp150cae3/trms | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 150V | 167V | 243V | 124a | 30000W（30kW） | 不 | 1 |
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