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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1月1N6463 | 9.6750 | ![]() | 7778 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | 1N6463 | - | B,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.6V | 22.6V | 125a (8/20µs) | 500W | 不 | |||
![]() | JANS1N6167 | 115.2300 | ![]() | 4169 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 86.6V | 104.5V | 151.3V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MSMCJ24AE3 | 2.7150 | ![]() | 7612 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ24 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 26.7V | 38.9V | 38.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | mxlplad6.5kp20a | - | ![]() | 5465 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 202a | 6500W(6.5kW) | 不 | |||
![]() | 15KPA54AE3/TR13 | 13.1550 | ![]() | 4644 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA54 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 54V | 60.3V | 87.7V | 172.2a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MASMLG58A | 7.9500 | ![]() | 5991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG58 | - | SMLG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 32a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | MSMCJLCE8.5AE3/tr | 3.8900 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE8.5 | 100pf @ 1MHz | SMCJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJLCE8.5AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | MSMCG150A | 3.9300 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG150 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MASMBJ8.5CA | 5.6700 | ![]() | 7699 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ8.5 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 41.7A | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | Jan1n6160a | 18.4500 | ![]() | 1080 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | 1N6160 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 19.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMCJ11CAE3/tr | 1.6300 | ![]() | 2686 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ11 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ11CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 11V | 12.2v | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||
JANS1N6132US/TR | 90.8300 | ![]() | 7277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | 150-JANS1N6132US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 91.2V | 114V | 165.1V | 3a | 500W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MA5KP12AE3 | 16.2000 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP12 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 251a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | JANTXV1N6124AUS/TR | 25.8900 | ![]() | 4407 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6124 | - | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6124AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 42.6V | 53.2V | 77V | 6.5a | 500W | 不 | 1 | ||||
MV1N8168US/TR | 31.5402 | ![]() | 7956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8168US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 48.5V | 70.1V | 2.14a | 150W | 不 | |||||
![]() | MXPlad36KP200CAE3 | - | ![]() | 5877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 200V | 222V | 322V | 112a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | maplad18kp10cae3 | 51.9750 | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 1059a(1.059KA) | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | JANTX1N6168A/TR | 23.0850 | ![]() | 3298 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | 1N6168 | - | C,轴向 | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6168A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 91.2V | 114V | 165.1V | 9.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | ICT-5E3 | - | ![]() | 8765 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | ICT-5 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-ICT-5E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 5V | 6V | 7.5V | 160a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | MASMBJ60AE3 | 5.2500 | ![]() | 3529 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ60 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | |||
![]() | MSMCJ17CAE3/tr | 1.7700 | ![]() | 1041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | - | SMCJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-mSMCJ17CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 17V | 18.9V | 27.6V | 53.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
mart100kp54cae3/tr | 47.3700 | ![]() | 4629 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | mart100kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MART100KP54CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 54V | 60V | 106V | 943a | 100000W(100kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | JANS1N6173AUS/TR | 154.0408 | ![]() | 7371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6173AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 190V | 273V | 5.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | mplad15kp64ae3 | 23.7000 | ![]() | 8808 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 147a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MADA3KP10CA | 81.5100 | ![]() | 9844 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP10CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 10V | 11.1V | 17V | 176.4a | 3000W(3KW) | 不 | 8 | ||||
![]() | MXLPLAD6.5KP14AE3 | - | ![]() | 7569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 280a | 6500W(6.5kW) | 不 | |||
![]() | MSMBG5.0CAE3/tr | 1.5000 | ![]() | 2891 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG5.0 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMBG5.0CAE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 5V | 6.4V | 9.2V | 65.2a | 600W | 不 | 1 | ||
1N8173USE3/tr | 23.6000 | ![]() | 8988 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 70V | 77.9V | 113V | 1.32a | 150W | 不 | |||||||
mv1n8172us/tr | 36.3800 | ![]() | 5493 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | 100 | 1 | 64V | 71.3V | 103V | 1.45a | 150W | 不 | |||||||||
Jan1n6159aus/tr | 17.0300 | ![]() | 8276 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JAN1N6159AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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