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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXLPLAD36KP16CAE3 | - |  | 8037 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 27.2v | 1324a（1.324KA） | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXLPLAD36KP100CA | - | | 9240 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 223a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSMBG5371CE3 | 3.9600 | | 1139 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150-MSMBG5371CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
| MXL1.5KE200CAE3 | - | | 8799 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE200 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 171V | 190V | 274V | 5.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | JANS1N6111US/TR | 97.3200 | | 1932年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANS1N6111US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 22.4a | 500W | 不 | 1 | ||||||
| 15KPA120AE3/TR13 | 11.4000 | | 7149 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA120 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 120V | 134V | 192.3v | 78.5A | 15000W（15kW） | 不 | |||
| maplad130kp275cve3 | 69.4800 | | 7268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad130 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 275V | 300V | 400V | 90a（8/20µs） | 40000W（40kW） | 不 | 1 | |||
 | MSMCJLCE7.5AE3 | 8.3100 | | 8395 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE7.5 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| MSMBG9.0CA/TR | 1.5000 | | 1318 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG9.0 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMBG9.0CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 9V | 10V | 15.4V | 39a | 600W | 不 | 1 | |||
 | MXLRT100KP150CAE3 | - | | 6835 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MXLRT100KP15 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 296V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||
 | mxlplad7.5kp33a | - | | 4446 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 141a | 7500W（7.5kW） | 不 | ||||
| MALCE100AE3 | 9.0600 | | 5667 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE100 | 90pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 9.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| M5KP10CAE3/tr | 7.3950 | | 9947 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp10cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 10V | 11.1V | 17V | 294a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||||
| MSMLJ33A | 2.8050 | | 2681 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ33 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 56.2a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| JANS1N6127AUS | 97.1700 | | 8617 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 56V | 71.3V | 103.1V | 4.8a | 500W | 不 | 1 | |||||
| maplad36kp300ae3 | 50.4501 | | 2472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 300V | 333V | 483V | 75a | 36000W（36kW） | 不 | ||||
| MA1.5KE160A | 8.5200 | | 8760 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 1.5KE160 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 136V | 152V | 219V | 6.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| mart100kp78a | 44.7600 | | 5520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | mart100kp78 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 78V | 86.7V | 153V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||
 | MSMBJ58A | 1.1250 | | 1627年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ58 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 6.4a | 600W | 不 | |||
 | MSMCJ130AE3/tr | 1.7700 | | 5342 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ130 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMCJ130AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 130V | 144V | 209V | 7.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||
| MXLSMBJSAC36E3 | 11.9700 | | 3447 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJSAC36 | 30pf @ 1MHz | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 60V | 8.6a | 500W | 不 | |||
| mplad18kp9.0ae3 | - | | 5181 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 1169a（1.169ka） | 18000W（18kw） | 不 | |||
| MADA3KP8.5AE3 | 81.5100 | | 7832 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP8.5AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 8 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 208.4a | 3000W（3KW） | 不 | ||||
 | MS1N8180 | 143.9805 | | 1653 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 152V | 225V | 670mA | 150W | 不 | |||||
| Jan1n6466us/tr | 12.3801 | | 9151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/551 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JAN1N6466US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 11a | 500W | 不 | ||||||
| 1N8161US/TR | 23.4200 | | 4630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | ||||||
| MXPLAD15KP75A | - | | 1312 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 123a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| M15KP160CAE3 | 26.4450 | | 9092 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15KP160 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 178V | 259V | 58a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
| MASMLJ6.0CAE3 | 8.2950 | | 9816 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ6.0 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6V | 6.67V | 10.3V | 291.3A | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MXSMCJ26CAE3 | - | | 5602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ26 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 35.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 |
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