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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSMCJ110CA/TR | 1.8900 | ![]() | 3420 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ110 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ110CA/TRMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 110V | 122V | 177V | 8.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5381C | 3.9600 | ![]() | 7056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBJ5381C | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MSMBG5374AE3 | 3.9600 | ![]() | 9995 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5374AE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | MXSMLJ51AE3 | - | ![]() | 1548年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ51 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 36.4a | 3000W(3KW) | 不 | |||
JANTXV1N6163AUS/TR | 22.0901 | ![]() | 3020 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANTXV1N6163AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 56V | 71.3V | 103.1V | 14.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
JANS1N6117US/TR | 90.8300 | ![]() | 2769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | 150-JANS1N6117US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 12a | 500W | 不 | 1 | |||||||
![]() | Jan1n6461/tr | 9.4000 | ![]() | 8233 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/551 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | B,轴向 | 齐纳 | - | B,轴向 | 下载 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6461/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 5V | 5.6V | 9V | 56a | 500W | 不 | |||||
![]() | MX5KP100CA | - | ![]() | 7643 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP100 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 31a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5345CE3/tr | 3.9600 | ![]() | 2675 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5345CE3/tr | 300 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MXLUPT28E3 | 12.4200 | ![]() | 1727年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT28 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31V | 47.8V | 3.13a | 1000W(1kw) | 不 | ||||
![]() | MXSMBJ70CAE3 | - | ![]() | 9724 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ70 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 5.3a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | 1N6163 | 19.5450 | ![]() | 8580 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | 1N6163 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | 1N6163MS | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 56V | 71.3V | 103.1V | 14.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ5388BE3 | 3.4300 | ![]() | 5882 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5388BE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | mxplad36kp16cae3 | - | ![]() | 1339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 27.2v | 1324a(1.324KA) | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXSMBJ51CA/TR | 26.7450 | ![]() | 7870 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ51 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ51CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 51V | 56.7V | 82.4V | 7.3a | 600W | 不 | 1 | ||||
JANTX1N6139US/TR | 22.0401 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANTX1N6139US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 5.7V | 7.13V | 11.2V | 133.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
MQ1N8148US/TR | 28.7400 | ![]() | 9068 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | - | - | - | - | 150W | 不 | |||||||
JANS1N6124A | 77.3100 | ![]() | 2922 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 53.2V | 77V | 6.5a | 500W | 不 | 1 | ||||||
1N6148US/TR | 22.6200 | ![]() | 3750 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 13.7V | 17.1V | 25.1V | 59.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
![]() | JANTX1N5650A/TR | 58.9650 | ![]() | 1962年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5650 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5650A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 43.6V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTX1N6136US/TR | 14.1300 | ![]() | 1925年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | 150-JANTX1N6136US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 136.8V | 171V | 245.7V | 2a | 500W | 不 | 1 | |||||||
MXLP4KE7.5CA | - | ![]() | 2837 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE7.5 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 35a | 400W | 不 | 1 | ||||
JANS1N6145AUS/TR | 139.3800 | ![]() | 5558 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANS1N6145AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
![]() | MXLSMCJLCE11AE3 | - | ![]() | 8612 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE11 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 82a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
MS1N8161US/TR | 156.3100 | ![]() | 5920 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 22V | 25.7V | 37.4V | 4.01a | 150W | 不 | |||||||
![]() | MXSMBJ15CA | - | ![]() | 8864 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ15 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 24a | 600W | 不 | 1 | |||
1N8153US/TR | 25.1000 | ![]() | 3153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 10V | 11.4V | 16.9V | 8.88a | 150W | 不 | |||||||
LDTS14A | 46.8150 | ![]() | 9904 | 0.00000000 | 微芯片技术 | LDTS | 大部分 | 积极的 | -50°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | TO-3 | 齐纳 | LDTS14 | - | TO-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 16V | 23.5V | - | 3000W(3KW) | 不 | ||||
![]() | M5KP24A/tr | 7.0200 | ![]() | 5254 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp24a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 24V | 26.7V | 38.9V | 129a | 5000W(5kW) | 不 | |||||
![]() | Mplad36KP280AE3 | - | ![]() | 5691 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 280V | 311V | 451V | 80a | 36000W(36kW) | 不 |
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