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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | JANTX1N5640A/TR | 51.1101 | | 7842 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N5640A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17.1V | 19v | 27.7V | 54a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||||
 | MXSMBJ13A/TR | 22.4700 | | 9331 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 27.9a | 600W | 不 | ||||||
 | MSMLJ58AE3/tr | 2.6400 | | 7736 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ58 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMLJ58AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 32a | 3000W（3KW） | 不 | ||||
 | MXUPTB15 | 22.8750 | | 7197 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB15 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 26V | 5.77a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | ||||||
 | MXLSMBJ54AE3 | - | | 6655 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ54 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 6.9a | 600W | 不 | |||||
 | M5KP48CA/TR | 7.3950 | | 9795 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp48ca/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 48V | 53.3V | 77.4V | 64.6a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||||||
| mplad18kp90a/tr | 32.9850 | | 2622 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MPLAD18KP90A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 90V | 100V | 146V | 124a | 18000W（18kw） | 不 | ||||||
| 30KPA180AE3/TR13 | 23.4450 | | 8812 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 30KPA180 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 180V | 201.1V | 290.4V | 104.3a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
 | JANTXV1N6158US/TR | 38.1150 | | 7438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6158US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 23.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||||
 | MASMCJ45A | 6.0150 | | 8494 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ45 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 20.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | mx5kp33ae3 | - | | 8174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5kp33 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 94a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
 | MXLSMBG7.0A | - | | 3685 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG7.0 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 50a | 600W | 不 | |||||
| SMLJ160CAE3/TR13 | 1.5750 | | 8112 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ160 | - | SMLJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-SMLJ160CAE3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 160V | 178V | 259V | 11.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | ||||||
| maplad18kp58cae3 | 51.9750 | | 7008 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 193a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||||
| MASMCJ75A | 6.0150 | | 1740年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ75 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 12.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | MXP6KE22AE3 | - | | 7942 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE22 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18.8V | 20.9V | 30.6V | 20a | 600W | 不 | |||||
| msmbg6.0ca/tr | 1.5000 | | 4316 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG6.0 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMBG6.0CA/TRMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 700 | 6V | 6.67V | 10.3V | 58.3a | 600W | 不 | 1 | |||||
| 1N5635A | 15.2250 | | 3126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5635 | - | do-13 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1n5635am | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10.2V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | JANS1N6123US/TR | 90.8300 | | 6341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANS1N6123US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 7.1a | 500W | 不 | 1 | ||||||||
| M1.5KE16AE3/tr | 3.2700 | | 1273 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE16 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE16AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 67a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
| MASMCJ20AE3 | 6.0150 | | 5087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ20 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 46.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MXLSMBJ5.0A | - | | 4520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ5.0 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 65.2a | 600W | 不 | |||||
| MSMBG5370AE3 | 3.9600 | | 3614 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5370AE3 | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||||
| 1N6171AUS/TR | 22.3400 | | 5599 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 121.6V | 152V | 218.4V | 6.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||||
| MXLPLAD30KP100CAE3 | - | | 6339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 186a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||||
| MXSMCGLCE7.5AE3 | - | | 2650 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE7.5 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MA15KP160CA | 48.4200 | | 2054 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15KP160 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 178V | 259V | 58a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||||
| 90ks200CH3 | 1.0000 | | 2936 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | 模块 | 齐纳 | 90ks200 | - | 案例12 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 180V | 200V | 335V | 270a | 90000W（90kW） | 不 | 1 | ||||||
| JANTXV1N6168 | 37.1100 | | 8670 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6168 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 91.2V | 108.3V | 173.36V | 8.65a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 |
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