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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SMAJ6.0CE3/TR13 | 0.1600 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 齐纳 | SMAJ6.0 | - | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 6V | 6.67V | 11.4V | 43.9a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | MPLAD36KP120CA | 41.2002 | ![]() | 5638 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 187a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | |||
MV1N8172 | 35.9550 | ![]() | 1064 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8172 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.3V | 103V | 1.45a | 150W | 不 | |||||
MQ1N8157 | 30.4050 | ![]() | 4764 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8157 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 17.1V | 25.1V | 5.98a | 150W | 不 | |||||
![]() | 1N6049A/TR | 23.8800 | ![]() | 1682年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6049A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 25.7V | 37.5V | 40a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXSMBG8.0CAE3 | - | ![]() | 9055 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG8.0 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 44.1a | 600W | 不 | 1 | |||
Jan1n6153aus | 19.5000 | ![]() | 6461 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6153 | - | C,SQ-MELF | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22.8V | 28.5V | 41.6V | 36a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
JANS1N6113AUS | 97.1700 | ![]() | 7158 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15.2V | 19v | 27.7V | 18a | 500W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MA5KP48AE3 | 16.2000 | ![]() | 8786 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP48 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 65a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | M5KP60CAE3/tr | 6.7200 | ![]() | 7965 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp60cae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 60V | 66.7V | 97V | 51.7A | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | mplad30kp48cae3 | 45.8700 | ![]() | 3249 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 390a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 15KPA26CAE3/TR13 | 11.4000 | ![]() | 9933 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA26 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 26V | 29.04V | 44V | 343.2a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLPLAD36KP14AE3 | - | ![]() | 9382 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 15.6V | 24V | 1500a(1.5KA) | 36000W(36kW) | 不 | ||||
1N8159USE3 | 25.1400 | ![]() | 3669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20.9V | 30.5V | 4.92a | 150W | 不 | ||||||
![]() | MXP6KE33CAE3 | - | ![]() | 9130 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE33 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 13.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | SMBJ6.5CE3/TR13 | 0.3150 | ![]() | 6751 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ6.5 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 6.5V | 7.22V | 12.3V | 48.7a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | M1.5KE200AE3/tr | 3.4650 | ![]() | 7775 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE200 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE200AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 171V | 190V | 274V | 5.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | MXLSMCG15CA | - | ![]() | 4671 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG15 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 61.5A | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | mplad15kp200ae3/tr | 23.6550 | ![]() | 8103 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MPLAD15KP200AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W(15kW) | 不 | ||
JANS1N6159US/TR | 149.3400 | ![]() | 6718 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANS1N6159US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
JANTXV1N6145US/TR | 25.6350 | ![]() | 5894 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANTXV1N6145US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 82.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
![]() | M1.5KE120CAE3 | 3.4650 | ![]() | 6309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE120 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 102V | 114V | 165V | 9.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MASMBJ120CAE3 | 5.6700 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ120 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 3.1a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MSMLJ130CA | 2.5800 | ![]() | 6802 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ130 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 209V | 14.4a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | maplad18kp7.5a | 43.1850 | ![]() | 5946 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 1396a(1.396KA) | 18000W(18kw) | 不 | ||||
![]() | MADA3KP20AE3 | 81.5100 | ![]() | 6769 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP20AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 8 | 20V | 22.2v | 32.4V | 92.6a | 3000W(3KW) | 不 | ||||
![]() | JANS1N6173A/TR | 139.4500 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6173A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 190V | 273V | 5.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | mxlsmbg6.0a/tr | 11.2800 | ![]() | 7059 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG6.0 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150-MXLSMBG6.0A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 6V | 6.67V | 10.3V | 58.3a | 600W | 不 | ||||
![]() | USB50824C/TR13 | 2.7450 | ![]() | 7504 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50824 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 24V | 26.7V | 57V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | 2 | |||
![]() | MSMCJ13A/TR | 1.7700 | ![]() | 9576 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ13 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ13A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 13V | 14.4V | 21.5V | 69.7a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 |
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