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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MDA3KP14CAE3 | 69.8100 | ![]() | 6218 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MDA3KP14CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 14V | 15.6V | 23.2v | 129.4a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||||
![]() | MXLDA3KP40A | 92.6850 | ![]() | 1415 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | mxlda3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MXLDA3KP40A | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 8 | 40V | 44.4V | 64.5V | 46.4a | 3000W(3KW) | 不 | ||||
![]() | MXDA3KP9.0CA | 107.7300 | ![]() | 1935年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD,鸥翼 | 齐纳 | mxda3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MXDA3KP9.0CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 9V | 10V | 15.4V | 194.8a | 3000W(3KW) | 不 | 8 | ||||
![]() | MSMBG5379CE3 | 3.4300 | ![]() | 8102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5379CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MSMBG5349CE3 | 3.4300 | ![]() | 1309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBG5349CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MSMBG5344A | 3.4300 | ![]() | 4732 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5344A | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
![]() | MSMBG5367CE3 | 3.9600 | ![]() | 7248 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBG5367CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | MSMBG5383A | 3.4300 | ![]() | 2385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5383A | 1 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | |||||||
M15KP260A/TR | 25.4250 | ![]() | 3627 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP260A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 260V | 289V | 419V | 36a | 15000W(15kW) | 不 | |||||
![]() | mp6ke20ae3/tr | 2.6250 | ![]() | 5499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | MP6KE20 | - | T-18 | - | 到达不受影响 | 150-MP6KE20AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 17.1V | 19v | 27.7V | 22a | 600W | 不 | ||||
![]() | MXLSMCG54CA/TR | - | ![]() | 8018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMCG | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG(do-215ab) | - | 到达不受影响 | 150-MXLSMCG54CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 54V | 60V | 87.1V | 17.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | Jan1n5664a/tr | 65.2050 | ![]() | 4903 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5664 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N5664A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 154V | 171V | 246V | 6.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | MSMBJ5363C/TR | 3.9600 | ![]() | 8887 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5363C/TR | 300 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | JANTXV1N6119US | 19.4100 | ![]() | 9361 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6119 | - | B,平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6119US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 27.4V | 34.2V | 49.9V | 10a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | mll1.4kesd15c | 3.1200 | ![]() | 5341 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 1.4kesd | 大部分 | 积极的 | -65°C〜175°C | 通用目的 | 表面安装 | do-213aa | 齐纳 | - | do-213aa | - | 不适用 | 到达不受影响 | 150-mll1.4kesd15c | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 33.4V | 11.98a | 1400W(1.4kW) | 不 | 1 | ||||
M15KP51CAE3/tr | 26.6250 | ![]() | 2758 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP51CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 51V | 56.7V | 82.8V | 181a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | M5KP100A/TR | 7.0200 | ![]() | 8241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-M5KP100A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 100V | 111V | 162V | 30.9a | 5000W(5kW) | 不 | |||||
![]() | MXSMLJ54CAE3/tr | 19.7550 | ![]() | 3687 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ54 | - | SMLJ(do-214ab) | - | 到达不受影响 | 150-MXSMLJ54CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 54V | 60V | 87.1V | 34.4a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MLCE33A/TR | 3.6150 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | MLCE33 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-MLCE33A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 28.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | mplad36kp26ae3/tr | 38.3850 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-Mplad36KP26AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 838a | 36000W(36kW) | 不 | ||||
MA15KP28CA/TR | 38.5050 | ![]() | 5708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MA15KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MA15KP28CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 28V | 31.1V | 47.5V | 316a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | mplad36kp75ae3/tr | 38.3850 | ![]() | 3602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP75AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 298a | 36000W(36kW) | 不 | ||||
MRT100KP78AE3/tr | 27.9300 | ![]() | 4780 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP78AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 78V | 86.7V | 153V | 655a | 100000W(100kW) | 不 | |||||
![]() | MSMBJ5362CE3 | 3.9600 | ![]() | 5797 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | - | SMBJ(DO-214AA) | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5362CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | 1N6060AE3 | 26.1750 | ![]() | 3234 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6060 | - | DO-13(do-202AA) | - | 到达不受影响 | 150-1N6060AE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 64V | 71.3V | 103V | 14.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
JANTX1N6140US | 23.6300 | ![]() | 3896 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | 1N6140 | - | D-5C | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6140US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.2V | 7.79V | 12.1V | 124a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | mart65kp48a | 38.7450 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | - | 案例5A(do-204AR) | - | 到达不受影响 | 150-MART65KP48A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48v (最大) | 53.3V | 77.7V | 836a | 65000W(65kW) | 不 | |||||
![]() | mxlce13a/tr | 25.0950 | ![]() | 7798 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXLCE13A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 70a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANTX1N6171AUS/TR | 22.2500 | ![]() | 6958 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6171AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 121.6V | 152V | 218.4V | 6.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
Jan1n6111aus/tr | 14.7001 | ![]() | 1907年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6111AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 22.4a | 500W | 不 | 1 |
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