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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MAP6KE51AE3 | 8.1300 | ![]() | 9616 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE51 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43.6V | 48.5V | 70.1V | 8.6a | 600W | 不 | |||
![]() | MASMLJ75A | 7.7400 | ![]() | 6073 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ75 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 24.8a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | 1月1N6138 | - | ![]() | 8018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N6138 | - | C,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.2V | 6.14V | 11.03V | 135.66a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 1N6047A/tr | 2000年222日 | ![]() | 4756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6047A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | JANTX1N6047A | 85.4100 | ![]() | 9383 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6047 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | JANTXV1N6476US | 28.2150 | ![]() | 9226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/552 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,G | 齐纳 | 1N6476 | - | G-MELF(D-5C) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51.6V | 54V | 78.5V | 107a (8/20µs) | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MXL5KP64A | - | ![]() | 7654 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP64 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 64V | 71.1V | 103V | 49a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | mplad36kp17cae3 | 47.5500 | ![]() | 7781 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 28.8V | 1250a(1.25KA) | 36000W(36kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXL1.5KE170CA | - | ![]() | 2737 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE170 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 162V | 234V | 6.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MX5KP20CAE3 | - | ![]() | 1166 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP20 | - | 案例5A(do-204AR) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 154a | 5000W(5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXSMBG5.0AE3 | - | ![]() | 4013 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG5.0 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 65.2a | 600W | 不 | |||
![]() | MXLPLAD18KP100AE3 | - | ![]() | 9756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 112a | 18000W(18kw) | 不 | ||||
![]() | maplad18kp24ae3 | 37.4201 | ![]() | 6879 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 26.7V | 38.9V | 463a | 18000W(18kw) | 不 | ||||
![]() | MSATS14S24L | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | 微芯片技术 | * | 大部分 | 积极的 | - | 到达不受影响 | 150-MSATS14S24L | 100 | |||||||||||||||||||||
LDTS24A | 47.2600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 微芯片技术 | LDTS | 管子 | 积极的 | -50°C〜175°C | 通用目的 | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 齐纳 | LDTS24 | - | TO-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Q5508374 | Ear99 | 8536.30.8000 | 1 | 1 | 24V | 26.5V | 39V | 77a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | MSMBJ28CA/TR | 1.3800 | ![]() | 8575 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ28 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMBJ28CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 28V | 31.1V | 45.4V | 13.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MSMBJ85CA | 1.1850 | ![]() | 5306 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ85 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 4.4a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | maplad15kp22a | 32.4750 | ![]() | 2557 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 423a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MXLSMCJLCE15A | - | ![]() | 5241 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE15 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 61a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | JANTXV1N5610 | - | ![]() | 4207 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/434 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | - | g,轴向 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.6V | 32a (8/20µs) | 1500W(1.5kW) | 不 | |||||
M15KP200CAE3/tr | 26.6250 | ![]() | 3144 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP200CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 200V | 222V | 322V | 47a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | msmcj8.0ca/tr | 1.7400 | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ8.0 | - | SMCJ(do-214ab) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJ8.0CA/TRMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 8V | 8.89V | 13.6V | 110.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MPLAD18KP51CA/TR | 40.0800 | ![]() | 3994 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | - | 到达不受影响 | 150-MPLAD18KP51CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 51V | 56.7V | 82.4V | 219a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | MASMBG8.5CA | 5.3400 | ![]() | 3816 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG8.5 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 41.7A | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | 5KP10E3/TR13 | 2.0400 | ![]() | 1706年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 5kp10 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 10V | 11.1V | 18.8V | 266a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | mplad36kp14ae3 | 38.2200 | ![]() | 9410 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 15.6V | 24V | 1500a(1.5KA) | 36000W(36kW) | 不 | |||
![]() | maplad18kp150cae3 | 51.9750 | ![]() | 5414 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 75a | 18000W(18kw) | 不 | 1 | ||||
![]() | MXLPLAD36KP130CAE3 | - | ![]() | 2916 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 209V | 173a | 36000W(36kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | MSMBG5360C | 3.9600 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG(DO-215AA) | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5360C | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||
![]() | mplad36kp60a | 33.1202 | ![]() | 2637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 372a | 36000W(36kW) | 不 |
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