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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXLPLAD30KP180CAE3 | - |  | 3533 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 180V | 200V | 291V | 104a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | M1.5KE180AE3/tr | 3.4650 | | 2550 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE180 | - | 案例1 | - | 到达不受影响 | 150-M1.5KE180AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 154V | 171V | 246V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MXLSMBJ120CAE3 | - | | 3911 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ120 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 120V | 133V | 193V | 3.1a | 600W | 不 | 1 | |||
| MXLCE18AE3 | - | | 5041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE18 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 51a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| MLCE51AE3 | 3.4350 | | 2256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE51 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 18.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| mxplad30kp18ca | - | | 2589 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 30.8V | 975a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
| maplad15kp54cae3 | 40.1850 | | 4267 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 171a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
| maplad6.5kp48cae3 | 7.9200 | | 6826 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 85a | 6500W（6.5kW） | 不 | 1 | |||
| MSMBJ13AE3/tr | 1.3050 | | 1118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ13 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMBJ13AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 27.9a | 600W | 不 | ||
| MASMCG18CAE3 | 6.7350 | | 3153 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG18 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 51.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | maplad7.5kp17ca | 9.2850 | | 6095 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 272a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MXSMLJ17A | - | | 7703 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ17 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 106.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
 | UPTB8/TR13 | 0.7500 | | 5728 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB8 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 12,000 | 8V | 9V | 13.7V | 10.9a | 1000W（1kw） | 不 | 1 | |||
 | MX1N8164US | 33.6750 | | 1501 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | 1N8164 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 34.2V | 49.9V | 3.01a | 150W | 不 | ||||
| JANTX1N6166 | - | | 5587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 90.25V | 144.48V | 10.36a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MASMBG160AE3 | 5.7750 | | 2867 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG160 | - | SMBG（DO-215AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 259V | 2.3a | 600W | 不 | |||
 | mart100kp300ca | 47.3700 | | 7147 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | mart100kp300 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 300V | 333V | 590V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||
| JANS1N6133US | 92.9906 | | 1523年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6133US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | ||||||||||||||||||
 | M15KP260CAE3/tr | 26.6250 | | 4520 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-M15KP260CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 260V | 289V | 419V | 36a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | ||||
| MRT100KP45AE3/tr | 27.9300 | | 7339 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-MRT100KP45AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 45V | 50V | 88.5V | 1130a （1.13KA） | 100000W（100kW） | 不 | ||||
| MXLPLAD30KP90CA | - | | 1725年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 90V | 100V | 146V | 204a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
| 5KP43CAE3/TR13 | 1.7500 | | 8503 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5kp43 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 43V | 47.8V | 69.4V | 72a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
 | EPS24 | 27.3000 | | 4478 | 0.00000000 | 微芯片技术 | EPS | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | 到达不受影响 | 150-EPS24 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 28.4V | 43.2V | 22a （8/20µs） | 1000W（1kw） | 不 | 1 | |||||
 | JANTX1N6053A/TR | 85.5600 | | 5838 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6053A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 33V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| mart100kp160ae3 | 44.7600 | | 7852 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MART100KP160 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 315V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||
 | MAP4KE220AE3 | 7.9200 | | 3866 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE220 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 185V | 209V | 328V | 1a | 400W | 不 | |||
| MXLSMLJ85CA | - | | 8185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ85 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 20.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| M5KP60CA | 7.2000 | | 6568 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP60 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 52a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
| 5KP60CAE3/TR13 | 2.0250 | | 7253 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP60 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 60V | 66.7V | 97V | 51.7A | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||
| MX15KP51CAE3 | - | | 9437 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15kp51 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51V | 56.7V | 82.8V | 181a | 15000W（15kW） | 不 | 1 |
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