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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | masmcjlce7.0a | 8.5950 |  | 2792 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE7.0 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | JANTX1N6135 | - | | 4087 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 121.6V | 144.4V | 229.32V | 2.19a | 500W | 不 | 1 | ||||||
 | JANTX1N6161A/TR | 16.1200 | | 9194 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | g，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6161A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 47.1V | 58.9V | 85.3V | 17.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||||
 | MASMLG11CAE3 | 8.5500 | | 2285 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG11 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 164.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MXLSMCGLCE22AE3 | - | | 4693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE22 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 42a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | MSMBJSAC7.0 | 3.6300 | | 7897 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJSAC7.0 | 30pf @ 1MHz | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 8.33V | 12.6V | 38a | 500W | 不 | |||||
| MASMLG9.0CA | 8.5500 | | 2770 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG9.0 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 194.8a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MXDA3KP6.0CA | 107.7300 | | 1895年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mxda3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MXDA3KP6.0CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 6V | 6.67V | 10.3V | 291.3A | 3000W（3KW） | 不 | 8 | ||||||
 | MAP4KE33CA | 8.6100 | | 8740 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE33 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28.2v | 31.4V | 45.7V | 9a | 400W | 不 | 1 | |||||
| MASMCJLCE58A | 8.4600 | | 6528 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE58 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 16a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MXLP4KE27AE3 | - | | 7356 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE27 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 23.1V | 25.7V | 37.5V | 11a | 400W | 不 | |||||
| MADA3KP18CAE3 | 81.5100 | | 4726 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP18CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 18V | 20V | 29.2V | 102.8a | 3000W（3KW） | 不 | 8 | ||||||
| msmcjlce6.5a/tr | 4.1250 | | 3294 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE6.5 | 100pf @ 1MHz （最大） | SMCJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-msmcjlce6.5a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
| MSMBJ5349C | 3.9600 | | 3746 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBJ5349C | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||||
 | SMDA15C-5/TR13 | 2.7000 | | 7530 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | SMDA15 | 50pf @ 1MHz | 8-SOIC | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 15V | 16.7V | 30V | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | 5 | |||||
 | 1N6163US/TR | 21.1100 | | 7317 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 56V | 71.3V | 103.1V | 14.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||||
 | MX5KP33A | - | | 1451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5kp33 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 94a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
 | mxplad36kp180a | - | | 5498 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 180V | 200V | 291V | 124a | 36000W（36kW） | 不 | ||||||
| MXLSMCJ6.5CA | - | | 3531 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ6.5 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 133.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | SMLJ130E3/TR13 | 1.5750 | | 1226 | 0.00000000 | 微芯片技术 | SMLJ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | - | SMLJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-SMLJ130E3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 130V | 144V | 231V | 13a | 3000W（3KW） | 不 | |||||||
| MXLSMCJ13CA | - | | 7256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ13 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 69.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| M5KP40AE3/tr | 7.0200 | | 5945 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp40ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 77.5A | 5000W（5kW） | 不 | |||||||
| Jan1n6470us/tr | 11.5600 | | 5649 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | D-5C | 下载 | 150-JAN1N6470US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 6V | 6.5V | 11V | 137a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||||
| SMLJ120AE3/TR13 | 1.5750 | | 3908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ120 | - | SMLJ（do-214ab） | - | 到达不受影响 | 150-SMLJ120AE3/TR13TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 120V | 133V | 193V | 15.6a | 3000W（3KW） | 不 | ||||||
| MX15KP90AE3 | - | | 7959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 15KP90 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 90V | 100V | 146V | 103a | 15000W（15kW） | 不 | |||||
| 1N6128US/TR | 14.9400 | | 4986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 62.2V | 77.9V | 112.8V | 4.4a | 500W | 不 | 1 | ||||||||
| mv1n8153us/tr | 36.3800 | | 9855 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | 100 | 1 | 10V | 11.4V | 16.9V | 8.88a | 150W | 不 | ||||||||||
| LC150A | 43.3950 | | 8712 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC150 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MRT100KP130CAE3 | 29.1150 | | 6805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP130 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 254V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||||
 | mplad36kp160cae3/tr | 47.7150 | | 8438 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 汽车 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | 到达不受影响 | 150-MPLAD36KP160CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 160V | 178V | 259V | 139a | 36000W（36kW） | 不 | 1 |
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