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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MA5KP12CAE3 | 17.3700 |  | 7787 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP12 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 251a | 5000W（5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MXLSMLJ54A | - | | 4439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ54 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 34.4a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
 | MXPlad18KP8.5A | - | | 7545 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 132a | 18000W（18kw） | 不 | ||||||
 | JANS1N6170AUS/TR | 154.0408 | | 2699 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6170AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 114V | 142.5V | 206.3V | 7.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| mplad30kp15ae3 | 34.7250 | | 3947 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 25.8V | 1164a（1.164KA） | 30000W（30kW） | 不 | |||||
 | 5KP130E3/TR13 | 1.8600 | | 6495 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP130 | - | P600 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 130V | 144V | 231V | 21.6a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
| M5KP48A/TR | 7.0200 | | 6984 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 5kp | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | - | P600 | - | 到达不受影响 | 150-m5kp48a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 64.6a | 5000W（5kW） | 不 | |||||||
 | maplad30kp18ae3 | 41.3302 | | 1118 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 30.8V | 975a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
 | MASMBJ16CA | 5.6700 | | 4451 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ16 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 23.1a | 600W | 不 | 1 | |||||
| MXSMCGLCE12AE3 | - | | 4126 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE12 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.3V | 19.9V | 75a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | M15KP45A/TR | 25.4250 | | 4142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | M15kp | - | do-204ar | - | 到达不受影响 | 150-m15kp45a/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 45V | 50V | 73V | 205a | 15000W（15kW） | 不 | ||||||
| MX1.5KE150AE3 | - | | 6565 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE150 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 128V | 143V | 207V | 7.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | 1N6043A/TR | 23.8800 | | 3955 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6043A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12V | 14.3V | 21.2V | 71a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
 | JANTX1N6109AUS/TR | 17.8401 | | 7178 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | 150-JANTX1N6109AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 9.9V | 12.35V | 18.2v | 27.5a | 500W | 不 | 1 | ||||||||
| MXLPLAD30KP85A | - | | 6748 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 85V | 94.4V | 137V | 216a | 30000W（30kW） | 不 | |||||
| JANTXV1N5630A/TR | 54.2200 | | 1160 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | DO-202AA，DO-13，轴向 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5630A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||||
 | MAP6KE27AE3 | 8.1300 | | 7908 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE27 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 23.1V | 25.7V | 37.5V | 16a | 600W | 不 | |||||
| MX15KP17CA | - | | 4991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 15kp | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | 到达不受影响 | 150-MX15KP17CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 17V | 18.9V | 29.3V | 512a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||||||
 | Mupt24 | 1.6500 | | 8602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 28.4V | 43.2V | 3.47a | 1000W（1kw） | 不 | |||||||
| JANTX1N6068A | 106.7100 | | 2125 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6068 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 162V | 245V | 6.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| M1.5KE24AE3 | 3.2700 | | 2404 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE24 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20.5V | 22.8V | 33.2V | 45a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| 15KPA280E3/TR13 | 13.1550 | | 5155 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA280 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 280V | 294.84V | - | - | 15000W（15kW） | 不 | |||||
| MXSMBJ60CAE3 | - | | 8689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ60 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 6.2a | 600W | 不 | 1 | |||||
| JANTXV1N6041A/TR | 105.4500 | | 3959 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6041 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6041A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 10V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| MXLSMLG60CAE3 | - | | 9816 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG60 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 31a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MXLSMLG15CA | - | | 4102 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG15 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| JANTXV1N6475US | 17.0250 | | 2869 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/552 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | 1N6475 | - | G-MELF（D-5C） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 135a （8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MSMCJ30CA | 1.7100 | | 9666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ30 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| MSMLJ26AE3 | 2.4450 | | 5485 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ26 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 71.2A | 3000W（3KW） | 不 | |||||
 | JANTXV1N6467US | - | | 4586 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 在sic中停产 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 45a （8/20µs） | 500W | 不 |
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