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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | LC8.5A/tr | 44.6003 |  | 2230 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC8.5A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.5V | 9.44V | 14.4V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | EPS8HR2 | 26.8702 | | 3587 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-EPS8HR2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8V | 9V | 13.7V | 62.1a（8/20µs） | 150W | 不 | 1 | ||||
 | JANTX1N6165AUS/TR | 19.7401 | | 7570 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6165AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 69.2V | 86.5V | 125.1V | 12a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| 1N6365/tr | 19.0700 | | 1742年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6365/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8V | 9.4V | 11.6V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| 1N6362/tr | 19.0700 | | 3343 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6362/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 22V | 25.9V | 32V | 40a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | MSMCG33AE3/tr | 1.9050 | | 5377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-msmcg33ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 28.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MSMCG48A/TR | 1.6300 | | 1935年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSMCG48A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 19.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MSMCG5.0AE3/tr | 1.6300 | | 7124 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG5.0AE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 163a | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
| JANS1N6169AUS/TR | 139.3800 | | 9755 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6169AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 98.8V | 123.5V | 178.8V | 8.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MV1N8182/tr | 31.3100 | | 5838 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8182/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 170V | 190V | 294V | 510mA | 150W | 不 | ||||
| JANTX1N6475US/TR | 17.8801 | | 5256 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，G | 齐纳 | - | G-MELF（D-5C） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6475US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40.3V | 43.7V | 63.5V | 135a （8/20µs） | 1500W（1.5kW） | 不 | 军队 | - | ||
 | MXSMBJ13CAE3/tr | 26.7450 | | 4261 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ13CAE3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 27.9a | 600W | 不 | 1 | ||||
| LC7.5A/tr | 37.7702 | | 7355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC7.5A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
 | DLTS-8CA | 131.8009 | | 1177 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 440pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-8CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8V | 8.5V | 15V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | 15 | ||||
 | JANTX1N6111A/TR | 23.6250 | | 5986 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6111A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 22.4a | 500W | 不 | 1 | ||||
 | TVS312E3 | 10.8000 | | 6580 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS312E3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 21V | 7.1a | 150W | 不 | ||||
 | mxp4ke9.1a/tr | 22.7700 | | 6371 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | - | DO-204AL（DO-41） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXP4KE9.1A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 30a | 400W | 不 | ||||
| JANTX1N6462/TR | 11.8500 | | 1326 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6462/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6V | 6.5V | 11V | 258a（8/20µs） | 500W | 不 | ||||
| 1N6037A/tr | 23.8800 | | 8977 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6037A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7V | 7.79V | 12.1V | 124a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | MSATS14S40L/TR | 303.5550 | | 6737 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | Thinkey™3 | 齐纳 | - | Thinkey™3 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MSATS14S40L/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58V | 250a | 14500W（14.5kW） | 不 | ||||
| JANTX1N6070A/TR | 106.8600 | | 1001 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6070A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 181V | 278V | 5.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MXSMBJ17A/TR | 25.6800 | | 2338 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXSMBJ17A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 21.7a | 600W | 不 | ||||
| MSMCG36CA/TR | 2.3900 | | 5320 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG36CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 25.8a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
| JANTXV1N5640A/TR | 62.5500 | | 7499 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N5640A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17.1V | 19v | 27.7V | 54a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MV1N8149/tr | 31.3100 | | 7701 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | - | a，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8149/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.8V | 7.79V | 12.8V | 11.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| LC8.0A/tr | 37.7702 | | 2981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC8.0A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| MASMCJ58A/TR | 5.3901 | | 8082 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MASMCJ58A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58V | 64.4V | 93.6V | 16a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||
| DLTS-12A | 126.2102 | | 8682 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 440pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-12A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15 | 12V | 13.3V | 23.5V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | ||||
 | JANTXV1N6122AUS/TR | 18.6600 | | 4689 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6122AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - | ||
 | maplad30kp33ca/tr | 64.3301 | | 3808 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MAPLAD30KP33CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 564a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | 军队 | MIL-PRF-19500 |
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