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21786）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MXSMCGLCE45A | - |  | 2423 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE45 | 100pf @ 1MHz | SMCG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 20.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| 5KP51E3/TR13 | 1.6000 | | 4992 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5kp51 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 51V | 56.7V | 91.1V | 54.9a | 5000W（5kW） | 不 | |||||
 | MP6KE91CA | 2.6400 | | 9792 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE91 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 77.8V | 86.5V | 125V | 4.8a | 600W | 不 | 1 | |||||
 | Jan1n6065a/tr | 83.7750 | | 1624年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6065 | - | DO-13（do-202AA） | - | 到达不受影响 | 150-JAN1N6065A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 100V | 114V | 168V | 8.9a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| MXLSMLG78A | - | | 1252 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG78 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 22.8a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
 | MXLPLAD36KP43CA | - | | 9187 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 519a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||||
 | MXLSMCJ18A | - | | 1818年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ18 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20V | 29.2V | 51.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MSMCJ13AE3 | 1.5750 | | 2355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ13 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 69.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | MX1N8174US/TR | 31.5700 | | 8944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | 下载 | （1 （无限） | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | 75V | 86.5V | 125V | 1.2a | 150W | 不 | ||||||||
| MXLSMLG26AE3 | - | | 7439 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG26 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 71.2A | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| MXSMLG26CAE3 | - | | 5909 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG26 | - | SMLG（do-215ab） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 71.2A | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||||
| MSMBJ5387CE3 | 3.4300 | | 7827 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-mSMBJ5387CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||||
| MXLSMLJ15AE3 | - | | 8262 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ15 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | |||||
| MXPlad36KP150AE3 | - | | 8335 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 149a | 36000W（36kW） | 不 | ||||||
| JANTXV1N6130US | 16.8201 | | 1725年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | 1N6130 | - | B，平方米 | - | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6130US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 95V | 137.6V | 3.6a | 500W | 不 | 1 | |||||||
 | MXLRT100KP160AE3 | - | | 9976 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MXLRT100KP16 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 160V | 178V | 315V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||||
 | SMDA12CE3/TR13 | 1.6650 | | 5694 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | SMDA12 | 95pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 12V | 13.3V | 19v | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | 4 | |||||
| LC14A/TR | 51.5700 | | 2941 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC14A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 65a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
| LC7.5A/tr | 37.7702 | | 7355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC7.5A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
 | MX15KP48CA/TR | - | | 4174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX15KP48CA/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.7V | 193a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||||
| MSMBJ5342CE3/tr | 3.9600 | | 1551年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | - | SMBJ（DO-214AA） | - | 到达不受影响 | 150-MSMBJ5342CE3/tr | 300 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||||
 | MSMCJ48AE3/tr | 2.0550 | | 3321 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ48 | - | SMCJ（do-214ab） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MSMCJ48AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 48V | 53.3V | 77.4V | 19.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||
| MRT100KP180CAE3 | 29.1150 | | 5432 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP180 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 180V | 200V | 354V | - | 100000W（100kW） | 不 | 1 | |||||
| MXLPLAD6.5KP13AE3 | 10.9350 | | 4109 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 302a | 6500W（6.5kW） | 不 | |||||
| MADA3KP26CAE3 | 81.5100 | | 4272 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mada3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MADA3KP26CAE3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 26V | 28.9V | 42.1V | 71.2A | 3000W（3KW） | 不 | 8 | ||||||
| MSMCJLCE100A | 4.3350 | | 1618年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE100 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 100V | 111V | 162V | 9.3a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MSMBG5386CE3 | 3.9600 | | 8684 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA，SMB海鸥翼 | 齐纳 | - | SMBG（DO-215AA） | - | 到达不受影响 | 150 MSMBG5386CE3 | 1 | - | - | - | - | 600W | 不 | 1 | |||||||||
| 30KPA168E3/TR13 | 23.4450 | | 1578年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 30KPA168 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 168V | 176.94V | - | - | 30000W（30kW） | 不 | |||||
 | JANTXV1N6126 | 19.3500 | | 5189 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6126 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 51.7V | 61.37V | 101.96V | 4.85a | 500W | 不 | 1 | |||||
| MXLPLAD18KP45CAE3 | - | | 9460 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 248a | 18000W（18kw） | 不 | 1 |
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