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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MSMBJ6.5CAE3 | 1.2000 | ![]() | 7611 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ6.5 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 53.6a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MXP6KE39A | - | ![]() | 5268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE39 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33.3V | 37.1V | 53.9V | 11.2a | 600W | 不 | |||
![]() | MSMCJLCE7.5AE3/tr | 8.5050 | ![]() | 8710 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE7.5 | 100pf @ 1MHz | SMCJ(do-214ab) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MSMCJLCE7.5AE3/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 7.5V | 8.33V | 12.9V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||
![]() | MXP6KE56CA | - | ![]() | 9525 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE56 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 47.8V | 53.2V | 77V | 7.8a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | 5KP6.0AE3/TR13 | 2.0400 | ![]() | 7998 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 5KP6.0 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 6V | 6.67V | 10.3V | 485a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | 15KPA17E3/TR13 | 13.1550 | ![]() | 7427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 15KPA17 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 17V | 17.9V | - | - | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | M15KP26AE3 | 19.5150 | ![]() | 9588 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 15KP26 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 44V | 341a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | MXLSMLJ170CAE3 | - | ![]() | 2480 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ170 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 189V | 275V | 11a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMBJ17CAE3 | - | ![]() | 3490 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ17 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 21.7a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | JANTX1N5648A | 59.3850 | ![]() | 7367 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5648 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36.8V | 40.9V | 59.3V | 25.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MXLPLAD30KP54CA | - | ![]() | 1069 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 342a | 30000W(30kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MASMBG70AE3 | 5.7750 | ![]() | 3666 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG70 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 70V | 77.8V | 113V | 5.3a | 600W | 不 | |||
![]() | MSMLJ130AE3 | 2.4450 | ![]() | 7076 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMLJ130 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 130V | 144V | 209V | 14.4a | 3000W(3KW) | 不 | |||
![]() | MXLPLAD15KP11AE3 | - | ![]() | 4956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 822a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | USB50812CE3/TR13 | 1.3500 | ![]() | 2050 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 以太网 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | USB50812 | 3pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 12V | 13.3V | 26V | 5a(8/20µs) | 500W | 不 | 2 | |||
![]() | MXLSMCJ43CA | - | ![]() | 5007 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ43 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 21.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMCG20CAE3 | - | ![]() | 4539 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG20 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 46.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MX1.5KE68A/TR | 23.3302 | ![]() | 4041 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE68 | - | 案例1 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MX1.5KE68A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 58.1V | 64.6V | 92V | 16.3a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MXLPLAD36KP30AE3 | - | ![]() | 7067 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.8V | 738a | 36000W(36kW) | 不 | ||||
![]() | MASMCJLCE17A | 8.4600 | ![]() | 3400 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE17 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 17V | 18.9V | 27.6V | 54a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | Jan1n6134aus | 16.8000 | ![]() | 1151 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6134 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 114V | 142.5V | 206.3V | 2.4a | 500W | 不 | 1 | |||
1N8147US/TR | 23.4200 | ![]() | 3877 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | - | a,平方米 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1 | - | - | - | - | 150W | 不 | |||||||
1N6134AUS | 15.8550 | ![]() | 2912 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | 1N6134 | - | B,平方米 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 114V | 142.5V | 206.3V | 2.4a | 500W | 不 | 1 | ||||
![]() | MXSMCGLCE7.0AE3 | - | ![]() | 7805 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCGLCE7.0 | 100pf @ 1MHz | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MXP6KE43CA | - | ![]() | 1127 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE43 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 36.8V | 40.9V | 59.3V | 10.1a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | JANS1N6157A | 115.2300 | ![]() | 1661年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | C,轴向 | 齐纳 | - | C,轴向 | - | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 32.7V | 40.9V | 59.1V | 25.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||||
![]() | MXSMLG16CAE3 | - | ![]() | 9215 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMLG16 | - | SMLG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 115.4a | 3000W(3KW) | 不 | 1 | |||
![]() | 1N5646A | 21.6800 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5646 | - | do-13 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.8V | 34.2V | 49.9V | 30a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MXLLCE75AE3 | - | ![]() | 6953 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | LCE75 | 90pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 75V | 83.3V | 121V | 12.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | mplad30kp26a | 35.0550 | ![]() | 2801 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 43V | 696a | 30000W(30kW) | 不 |
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