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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Mxplad7.5kp33ae3 | 21.2400 | ![]() | 2089 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 141a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | mxplad7.5kp33cae3 | 22.0950 | ![]() | 7614 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33V | 36.7V | 53.3V | 141a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | mxplad7.5kp36ae3 | 18.4101 | ![]() | 4142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 129a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXPlad7.5KP40CA | - | ![]() | 2673 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 116a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | Mxplad7.5kp43a | - | ![]() | 2440 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 108a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXPlad7.5KP43CA | - | ![]() | 1392 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 108a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | Mxplad7.5kp45a | - | ![]() | 9981 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 103a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXPlad7.5KP48CAE3 | 22.0950 | ![]() | 8487 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 97a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXUPT10 | 22.8750 | ![]() | 2175 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT10 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11V | 18V | 8.33a | 1000W(1kw) | 不 | ||
![]() | MXUPT10E3 | 22.8750 | ![]() | 5944 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT10 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11V | 18V | 8.33a | 1000W(1kw) | 不 | ||
![]() | MXUPT12E3 | 22.8750 | ![]() | 9470 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT12 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 21.6V | 6.94a | 1000W(1kw) | 不 | ||
![]() | mxupt8e3 | 22.8750 | ![]() | 9374 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT8E3 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8V | 9V | 13.7V | 10.9a | 1000W(1kw) | 不 | ||
![]() | MXUPTB24 | 22.8750 | ![]() | 3134 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB24 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 24V | 28.4V | 43.2V | 3.47a | 1000W(1kw) | 不 | 1 | ||
![]() | mxuptb8 | 22.8750 | ![]() | 3679 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPTB8 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 8V | 9V | 13.7V | 10.9a | 1000W(1kw) | 不 | 1 | ||
![]() | PIP120 | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | 微芯片技术 | pip | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 电信 | 底盘安装 | 模块 | 齐纳 | PIP120 | - | 案例11 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 200V | 319V | 47a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | ||
![]() | PIP24 | - | ![]() | 9810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | pip | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 电信 | 底盘安装 | 模块 | 齐纳 | PIP24 | - | 案例11 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 34V | 40V | 67V | 112a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | PIP250 | - | ![]() | 5645 | 0.00000000 | 微芯片技术 | pip | 大部分 | 积极的 | -65°C〜150°C(TA) | 电信 | 底盘安装 | 模块 | 齐纳 | PIP250 | - | 案例11 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 354V | 418V | 652V | 23a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | ||
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MX1N8175US | 33.6750 | ![]() | 4469 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8175 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 82V | 95V | 137V | 1.09a | 150W | 不 | |||
MX1N8176US | 33.6750 | ![]() | 2515 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8176 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 94V | 104V | 152V | 980mA | 150W | 不 | |||
MX1N8178 | 33.4500 | ![]() | 7115 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8178 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 124V | 183V | 820mA | 150W | 不 | |||
MX1N8182 | 33.4500 | ![]() | 5313 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | 1N8182 | - | a,轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 170V | 190V | 294V | 510mA | 150W | 不 | |||
MX1N8182U | 33.6750 | ![]() | 3185 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,a | 齐纳 | 1N8182 | - | D-5A | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 170V | 190V | 294V | 510mA | 150W | 不 | |||
![]() | MXLPLAD7.5KP10AE3 | 12.3600 | ![]() | 3562 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10V | 11.1V | 17V | 441a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP11AE3 | 12.3600 | ![]() | 8254 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 412a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP11CA | - | ![]() | 8309 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 412a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP11CAE3 | 11.2500 | ![]() | 8489 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 412a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP15AE3 | 12.3600 | ![]() | 5449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 307a | 7500W(7.5kW) | 不 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP15CA | - | ![]() | 1720年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 307a | 7500W(7.5kW) | 不 | 1 | ||
![]() | MXLPLAD7.5KP16AE3 | 10.7100 | ![]() | 5979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 288a | 7500W(7.5kW) | 不 |
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