SIC
close

（电视）（236）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 电容 @频率 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 单向通道 电压 -反向对峙（典型） 电压 -故障（最小） 电压 -夹紧（最大） @ ipp 电流 -10/1000µs） 功率 -峰值脉冲 电力线保护 双向通道
DF2B29FU,H3XHF Toshiba Semiconductor and Storage DF2B29FU，H3XHF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 汽车 表面安装 SC-76，SOD-323 齐纳 9pf @ 1MHz 南加州大学 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 （24V）） 26V 47V 3a （8/20µs） 140W 不 1
DF2S5M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M5CT，L3F 0.3900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 0.6pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.3v （最大） 3.6V 15V 2.5A（8/20µs） 37W 不
CUHZ20V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CuHz20V，H3F 0.3600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 齐纳 180pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 1 20V 18.8V 20.6v （典型） 36a （8/20µs） 2100W（2.1kw） 不
CUHZ6V8,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhz6v8，H3F 0.4600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 齐纳 585pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 6.8V 6.4V 7.2V（类型） 73a（8/20µs） 1800W（1.8kW） 不
CUHZ12V,H3F Toshiba Semiconductor and Storage cuhz12v，h3f 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 cuhz 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，平坦的铅 齐纳 280pf @ 1MHz US2H 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 1 12V 11.4V 13.6V（（） 60a （8/20µs） 2100W（2.1kw） 不
DF2S23P2CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2CTC，L3F 0.4200
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2S23 160pf @ 1MHz CST2C 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 （21V）） 21.5V 35.7V 14a （8/20µs） 500W 不
DF2S23P2FU,H3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S23P2FU，H3F 0.4900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 SC-76，SOD-323 齐纳 DF2S23 160pf @ 1MHz 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 1 （21V）） 21.5V 27.3V（类型） 14a （8/20µs） 500W 不
DF2B26M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B26M4SL，L3F 0.3200
RFQ
 ECAD 84 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2B26 0.2pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0070 10,000 （24V）） 21V 31.5v typ（typ） 500mA（8/20µs） 19w 不 1
DF3A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.8FU，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 通用目的 表面安装 SC-70，SOT-323 齐纳 DF3A6.8 45pf @ 1MHz USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 2 - 6.4V - - - 不
DF5G5M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G5M4N，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 5-XFDFN 齐纳 DF5G5M4 0.2pf @ 1MHz 5-DFN（1.3x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5,000 5 3.6V（（） 4V 15V 2a （8/20µs） 30W 不
DF5G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF5G6M4N，LF 0.3800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 5-XFDFN 齐纳 DF5G6M4 0.2pf @ 1MHz 5-DFN（1.3x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5,000 5 5.5v （最大） 5.6V 15V 2a （8/20µs） 30W 不
DF6A6.8FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF6A6.8FU，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 齐纳 DF6A6.8 45pf @ 1MHz US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 4 - 6.4V - - - 不
DF2B7M3SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SC，L3F -
RFQ
 ECAD 4392 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2B 0.1pf @ 1MHz SC2 下载 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 （5V）） 6V （13V）） 1a （8/20µs） 50W 不 1
DF2B7ASL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7ASL，L3F 0.1800
RFQ
 ECAD 95 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 0201（0603公制） 齐纳 DF2B7 8.5pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5V 5.8V 20V 4a （8/20µs） 80W 不 1
DF2S6M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M4SL，L3F 0.2900
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2S6 0.35pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 5.5v （最大） 5.6V 15V 2a 30W 不
DF2S6M5CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S6M5CT，L3F 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 0.6pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 （5V）） 5.5V 15V 2.5A（8/20µs） 37W 不
DF5A3.6FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6FU（TE85L，F） 0.4300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 齐纳 DF5A3.6 110pf @ 1MHz USV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1V 3.4V - - - 不
DF3A6.2FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A6.2FUTE85LF 0.3400
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SC-70，SOT-323 齐纳 DF3A6.2 55pf @ 1MHz USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3V 5.8V - - - 不
DF2S5M4SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5M4SL，L3F 0.3000
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2S5 0.35pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.6V（（） 3.7V 15V 2a （8/20µs） 30W 不
DF5A3.6CJE,LM Toshiba Semiconductor and Storage DF5A3.6CJE，LM 0.3100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SOT-553 齐纳 DF5A3.6 52pf @ 1MHz ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 4,000 4 1.8V 3.4V - - - 不
DF5A3.6CFU(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage df5a3.6cfu（te85l，f 0.0824
RFQ
 ECAD 5805 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 齐纳 DF5A3.6 52pf @ 1MHz USV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 4 1.8V 3.4V - - - 不
DF2S30CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S30CT，L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2S30 7.2pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 23V 28V - - - 不
DF6F6.8MCTC(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage DF6F6.8MCTC（TE85L） 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 - 通用目的 表面安装 6-xfdfn暴露垫 （（（） DF6F 0.6pf @ 1MHz CST6C - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 5,000 （5V）） 6V 24V 2.5A（8/20µs） - 是的 4
DF3A5.6LFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF3A5.6LFU，LF 0.3000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SC-70，SOT-323 齐纳 DF3A5.6 8pf @ 1MHz USM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 2 3.5V 5.3V - - - 不
DF10G6M4N,LF Toshiba Semiconductor and Storage DF10G6M4N，LF -
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - 通用目的 表面安装 10-UFDFN 齐纳 DF10 0.2pf @ 1MHz 10-DFN（2.5x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 5.5v （最大） 5.6V 25V 2a （8/20µs） 30W 不 4
DF2S8.2CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2S8.2CT，L3F 0.2000
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-882 齐纳 DF2S8.2 20pf @ 1MHz CST2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 6.5V 7.7V - - - 不
DF2S5.6FS,L3M Toshiba Semiconductor and Storage DF2S5.6FS，L3M 0.1700
RFQ
 ECAD 239 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 SOD-923 齐纳 DF2S5.6 40pf @ 1MHz SOD-923 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 1 3.5v （最大） 5.3V - - - 不
DF2B7M3SL,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7M3SL，L3F 0.3400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2B7 0.1pf @ 1MHz SL2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 5.5v （最大） 6V 20V 2.5A（8/20µs） 50W 不 1
DF2B12M2SC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage DF2B12M2SC，L3F 0.0750
RFQ
 ECAD 3966 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 通用目的 表面安装 2-SMD，没有铅 齐纳 DF2B12 0.2pf @ 1MHz SC2 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 10,000 （8V） 10V （18V） 1a （8/20µs） - 不 1
CUZ5V6,H3F Toshiba Semiconductor and Storage CUZ5V6，H3F 0.3500
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 东芝半导体和存储 因为 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 通用目的 表面安装 SC-76，SOD-323 齐纳 125pf @ 1MHz 南加州大学 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0080 3,000 1 5.6V 5.3V （9V） 12a （8/20µs） 155W 不
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭