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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | MA5KP26A | 16.2000 | | 9960 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 5KP26 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 119a | 5000W（5kW） | 不 | |||
 | UPT48E3/TR7 | - | | 1810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 48V | 54V | 84.3V | 1.78a | 1000W（1kw） | 不 | ||||
 | MXLP6KE150CA | - | | 8823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE150 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 128V | 143V | 207V | 2.9a | 600W | 不 | 1 | |||
 | SMBJ51AE3/TR13 | 0.3150 | | 5979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ51 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 51V | 56.7V | 82.4V | 7.3a | 600W | 不 | |||
 | MX1N8159 | 33.4500 | | 8519 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | a，轴向 | 齐纳 | 1N8159 | - | a，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18V | 20.9V | 30.5V | 4.92a | 150W | 不 | ||||
| mxplad15kp14cae3 | - | | 3794 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 645a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||
 | MASMLJ100CAE3 | 8.2950 | | 2445 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ100 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 18.6a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| MXSMBJ40AE3 | - | | 7487 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ40 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 9.3a | 600W | 不 | |||
| masmcjlce13a | 8.4600 | | 1978年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE13 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 70a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
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 | maplad30kp100ca | 59.7450 | | 8731 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 100V | 111V | 162V | 186a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||
 | MS1N8179US | 167.3250 | | 7132 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，a | 齐纳 | - | a，平方米 | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 138V | 208V | 720mA | 150W | 不 | |||||
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| MXDA3KP13CA | 93.3703 | | 6569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MDA | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 16-SMD，鸥翼 | 齐纳 | mxda3kp | - | - | 下载 | 到达不受影响 | 150-MXDA3KP13CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 13V | 14.4V | 21.5V | 139.4a | 3000W（3KW） | 不 | 8 | ||||
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| Malce28a | 9.0600 | | 6268 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE28 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 28V | 31.1V | 45.5V | 33a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
| mxplad15kp20a | - | | 2291 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 20V | 22.2v | 32.4V | 462a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| MXLPLAD30KP260A | - | | 2923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 260V | 289V | 419V | 71a | 30000W（30kW） | 不 | |||
| JANTXV1N6071A | 129.3910 | | 3012 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 170V | 190V | 294V | 5.1a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| JANTX1N6046A | 85.4100 | | 3150 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6046 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 17V | 19v | 27.7V | 54a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
 | maplad7.5kp16a | 8.6850 | | 9964 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 288a | 7500W（7.5kW） | 不 | ||||
| mxplad18kp22ca | - | | 1993 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 508a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | ||||
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| MRT100KP260A | 27.7350 | | 8571 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | MRT100KP260 | - | 案例5A（do-204AR） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 260V | 289V | 512V | - | 100000W（100kW） | 不 | |||
 | SMDA05C-4-2E3/TR7 | 1.3500 | | 939 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | 齐纳 | SMDA05 | 200pf @ 1MHz | 8-so | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 5V | 6V | 11V | 5a（8/20µs） | 300W | 不 | 4 | |||
| mplad36kp45a | 38.2200 | | 1931年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 496a | 36000W（36kW） | 不 | |||
| maplad15kp40a | 32.4750 | | 8279 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 40V | 44.4V | 64.5V | 234a | 15000W（15kW） | 不 | |||
 | mplad15kp11cae3 | 23.9000 | | 3477 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11V | 12.2v | 18.2v | 822a | 15000W（15kW） | 不 | 1 |
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