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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MXSMCG43AE3 | - | ![]() | 6193 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG43 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 21.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | JANTXV1N6047A | 105.3000 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N6047 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | 30KPA72E3/TR13 | 23.4450 | ![]() | 7645 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | P600,轴向 | 齐纳 | 30KPA72 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1 | 72V | 75.78V | - | - | 30000W(30kW) | 不 | |||
![]() | MASMCJ5.0A | 6.3900 | ![]() | 3385 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ5.0 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6.4V | 9.2V | 163a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | mplad30kp200ae3 | 34.7250 | ![]() | 9142 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 200V | 222V | 322V | 94a | 30000W(30kW) | 不 | |||
![]() | MV1N8147 | 35.9550 | ![]() | 1792年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | 轴向 | 齐纳 | 1N8147 | - | 轴向 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | - | - | - | - | 150W | 不 | ||||
![]() | MAP6KE150A | 8.1300 | ![]() | 6350 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE150 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 128V | 143V | 207V | 2.9a | 600W | 不 | |||
![]() | mplad36kp43a | 38.2200 | ![]() | 5174 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 43V | 47.8V | 69.4V | 519a | 36000W(36kW) | 不 | |||
![]() | SMDB12/TR7 | 3.2200 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 微芯片技术 | TVSarray™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 齐纳 | SMDB12 | 185pf @ 1MHz | 8-so | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 4 | 12V | 13.3V | 19v | 5a(8/20µs) | 300W | 不 | |||
![]() | MXLLCE8.0AE3 | - | ![]() | 2434 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | LCE8.0 | 90pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 80V | 88.7V | 129V | 11.6a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | MAP6KE39AE3 | 8.1300 | ![]() | 1470 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE39 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33.3V | 37.1V | 53.9V | 11.2a | 600W | 不 | |||
![]() | MXSMBJ54AE3 | - | ![]() | 2401 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 齐纳 | SMBJ54 | - | SMBJ(DO-214AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 6.9a | 600W | 不 | |||
![]() | SM1615E3/TR13 | 1.7400 | ![]() | 9867 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 齐纳 | SM16 | 400pf @ 1MHz | 16件事 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 8 | 15V | 16.7V | 30V | 5a(8/20µs) | 300W | 不 | |||
![]() | MXLPLAD15KP13AE3 | - | ![]() | 2928 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 696a | 15000W(15kW) | 不 | |||
![]() | mplad36kp110ae3 | 38.2200 | ![]() | 7602 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 110V | 122V | 177V | 204a | 36000W(36kW) | 不 | |||
![]() | Mxlupt15 | 12.4200 | ![]() | 6449 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT15 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 26V | 5.77a | 1000W(1kw) | 不 | ||||
![]() | UPT15/TR7 | 0.7500 | ![]() | 4669 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT15 | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 15V | 16.7V | 26V | 5.77a | 1000W(1kw) | 不 | |||
JANTX1N6143AUS/TR | 19.6701 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | 微芯片技术 | MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | 下载 | 150-JANTX1N6143AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 8.4V | 10.45V | 15.6V | 96.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||||
![]() | MA15KP160CA | 48.4200 | ![]() | 2054 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 15KP160 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 160V | 178V | 259V | 58a | 15000W(15kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMCG22CA | - | ![]() | 3632 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG22 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 24.4V | 35.5V | 42.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
MP4KE16AE3 | 2.3250 | ![]() | 4991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | P4KE16 | - | DO-204AL(DO-41) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 18a | 400W | 不 | ||||
![]() | SMAJ45CAE3/TR13 | 0.2100 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 齐纳 | SMAJ45 | - | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 45V | 50V | 72.7V | 6.9a | 500W | 不 | 1 | |||
![]() | MXSMCJ150CA | - | ![]() | 9376 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJ150 | - | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MASMCJLCE150A | 8.4600 | ![]() | 6884 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 齐纳 | SMCJLCE150 | 90pf @ 1MHz | DO-214AB(SMCJ) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | |||
![]() | mplad7.5kp14a/tr | 6.3000 | ![]() | 5699 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | mplad7.5kp14a/trms | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 1 | 14V | 15.6V | 23.2v | 323a | 7500W(7.5kW) | 不 | |||
![]() | M1.5KE39CAE3 | 3.4600 | ![]() | 200 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 齐纳 | 1.5KE39 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 33.3V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||
![]() | MXLSMBG5.0CA/TR | 10.7400 | ![]() | 3393 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | DO-215AA,SMB海鸥翼 | 齐纳 | SMBG5.0 | - | SMBG(DO-215AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | MXLSMBG5.0CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 5V | 6.4V | 9.2V | 65.2a | 600W | 不 | 1 | |||
![]() | MA5KP26A | 16.2000 | ![]() | 9960 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar,轴向 | 齐纳 | 5KP26 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 26V | 28.9V | 42.1V | 119a | 5000W(5kW) | 不 | |||
![]() | UPT48E3/TR7 | - | ![]() | 1810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT | - | PowerMite 1(DO216-AA) | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 48V | 54V | 84.3V | 1.78a | 1000W(1kw) | 不 | ||||
![]() | MXLP6KE150CA | - | ![]() | 8823 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | T-18,轴向 | 齐纳 | P6KE150 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 128V | 143V | 207V | 2.9a | 600W | 不 | 1 |
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