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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电源线保护 | 双向通道 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MSMLJ7.0CA | 2.5800 |  | 1357 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ7.0 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 250a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
 | UPT48E3/TR7 | - | | 1810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 48V | 54V | 84.3V | 1.78a | 1000W（1kw） | 不 | ||||
 | MXPlad15KP170AE3 | - | | 9932 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 170V | 189V | 275V | 55a | 15000W（15kW） | 不 | |||
| mplad18kp7.0a | 32.8050 | | 3246 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 7V | 7.78V | 12V | 1500a（1.5KA） | 18000W（18kw） | 不 | |||
| MSMLJ15CAE3 | 2.5800 | | 7884 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ15 | - | do-214ab | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 123a | 3000W（3KW） | 不 | 1 | |||
| maplad36kp130ca | 71.7900 | | 4104 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad36 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 130V | 144V | 209V | 173a | 36000W（36kW） | 不 | 1 | ||||
 | Malce16a | 10.6050 | | 3618 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | LCE16 | 100pf @ 1MHz | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 57a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | M1.5KE400A | 5.9600 | | 133 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE400 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 324V | 380V | 548V | 4a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MXLPLAD18KP120AE3 | - | | 6427 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 120V | 133V | 193V | 94a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
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| MXLSMCJ13AE3 | - | | 6751 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ13 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13V | 14.4V | 21.5V | 69.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
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 | JANTX1N6466 | 13.5900 | | 3863 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/551 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | 1N6466 | - | B，轴向 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30.5V | 33V | 47.5V | 63a（8/20µs） | 500W | 不 | |||
| MA1.5KE62CAE3 | 9.2250 | | 2018 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 1.5KE62 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 53V | 58.9V | 85V | 17.7a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||
| msmlj8.0a/tr | 2.6400 | | 3598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMLJ8.0 | - | SMLJ（do-214ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | msmlj8.0a/trms | Ear99 | 8541.10.0080 | 400 | 1 | 8V | 8.89V | 13.6V | 220.6a | 3000W（3KW） | 不 | |||
| UPT10/TR7 | 0.7500 | | 6623 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT10 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 10V | 11V | 18V | 8.33a | 1000W（1kw） | 不 | |||
 | SMAJ180AE3/TR13 | 0.1800 | | 6428 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-214ac，SMA | 齐纳 | SMAJ180 | - | DO-214AC（SMA） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1 | 180V | - | - | - | 500W | 不 | |||
 | Mxplad7.5kp48ca | - | | 1593年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad7.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 48V | 53.3V | 77.4V | 97a | 7500W（7.5kW） | 不 | 1 | ||||
 | JANTXV1N5907 | 99.1200 | | 7846 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 1N5907 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 6V | 8.5V | 120a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||
 | MXLP4KE13AE3 | - | | 9472 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE13 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 11.1V | 12.4V | 18.2v | 22a | 400W | 不 | |||
 | MP6KE200CA | 2.6400 | | 3977 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | T-18，轴向 | 齐纳 | P6KE200 | - | T-18 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 171V | 190V | 274V | 2.2a | 600W | 不 | 1 | |||
| mplad18kp60cae3 | 39.9000 | | 3598 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 60V | 66.7V | 96.8V | 186a | 18000W（18kw） | 不 | 1 | |||
| 5KP15AE3/TR13 | 1.8600 | | 6634 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 5KP15 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 205a | 5000W（5kW） | 不 | |||
| maplad18kp45a | 43.1850 | | 7056 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | PLAD18 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 45V | 50V | 72.7V | 248a | 18000W（18kw） | 不 | ||||
| MXLP4KE16A | - | | 6377 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE16 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 18a | 400W | 不 |
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