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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙(典型) | 电压 -故障(最小) | 电压 -夹紧(最大) @ ipp | 电流 -10/1000µs) | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n5630a/tr | 54.4500 | ![]() | 9678 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5630A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.4V | 7.13V | 11.3V | 132a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | mplad6.5kp30ae3/tr | 4.6400 | ![]() | 5205 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | - | plad | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-Mplad6.5kp30ae3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 135a | 6500W(6.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N6051A/TR | 23.8800 | ![]() | 3880 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6051A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 28V | 31.4V | 45.7V | 33a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | 1N5665A/TR | 18.8100 | ![]() | 1277 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5665A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 171V | 190V | 274V | 5.5a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | Jan1n5638a | 54.2850 | ![]() | 4245 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5638A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 13.6V | 15.2V | 22.5V | 67a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTX1N6103AUS/TR | 19.5301 | ![]() | 9060 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6103AU/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 5.7V | 7.13V | 11.2V | 44.6a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - | |||
![]() | mxp4ke10a/tr | - | ![]() | 4821 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 齐纳 | - | DO-204AL(DO-41) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MXP4KE10A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.55V | 9.5V | 14.5V | 28a | 400W | 不 | 军队 | MIL-PRF-19500 | ||
![]() | Jan1n5658a | 54.2850 | ![]() | 3182 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/500 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TA) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N5658A | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 94V | 105V | 152V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTX1N6122AUS/TR | 16.3200 | ![]() | 1867年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6122AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 7.7a | 500W | 不 | 1 | |||||
![]() | MSMCG16A/TR | 1.8600 | ![]() | 1605 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | - | SMCG(do-215ab) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCG16A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 16V | 17.8V | 26V | 57.7A | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JAN1N6108AUS/TR | 14.7001 | ![]() | 1810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6108AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9.1V | 11.4V | 16.9V | 29.6a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - | |||
Jan1n6111aus/tr | 14.7001 | ![]() | 1907年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6111AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 12.2v | 15.2V | 22.3V | 22.4a | 500W | 不 | 1 | |||||
![]() | ICT-10C/TR | 18.2800 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ICT-10C/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 10V | 11.7V | 14.5V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
MV1N8165/tr | 31.3100 | ![]() | 3810 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | a,轴向 | 齐纳 | - | a,轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-MV1N8165/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33V | 37.1V | 53.6V | 2.8a | 150W | 不 | |||||
![]() | 1N5635A/TR | 13.3500 | ![]() | 4956 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5635A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 10.2V | 11.4V | 16.7V | 90a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N5633A/tr | 15.8701 | ![]() | 9874 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5633A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 8.55V | 9.5V | 14.5V | 103a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | JANTXV1N6152US | 27.3000 | ![]() | 5083 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6152US | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 20.6V | 25.7V | 37.4V | 40.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
Jan1n6133us/tr | 14.7001 | ![]() | 9979 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6133US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 98.8V | 117.33V | 187.74V | 2.66a | 500W | 不 | 1 | 军队 | - | |||
![]() | JANTXV1N6068A/TR | 129.5210 | ![]() | 1630 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13(do-202AA) | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6068A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 145V | 162V | 245V | 6.1a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
![]() | ICT-22C/TR | 18.2800 | ![]() | 1579年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-ICT-22C/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 22V | 25.9V | 32V | 40a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | ||||
JANTXV1N6158AUS/TR | 32.9001 | ![]() | 7407 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6158AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 35.8V | 44.7V | 64.6V | 23.2a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | 军队 | - | |||
JANTXV1N6159AUS/TR | 29.6801 | ![]() | 5357 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6159AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 38.8V | 48.5V | 70.1V | 21.4a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
JANTXV1N6166AUS/TR | 32.2950 | ![]() | 7113 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTXV1N6166AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 76V | 95V | 137.6V | 10.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | |||||
![]() | 1N5641A/TR | 26.5500 | ![]() | 6131 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5641A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 18.8V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
![]() | 1N5658A/tr | 22.4700 | ![]() | 1787年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N5658A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 94V | 105V | 152V | 9.9a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JAN1N6154AUS/TR | 17.0401 | ![]() | 3813 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,c | 齐纳 | - | C,SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6154AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 25.1V | 31.4V | 45.7V | 32.8a | 1500W(1.5kW) | 不 | 1 | 军队 | - | |||
![]() | MSMCGLCE6.5A/TR | 4.1501 | ![]() | 7711 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab,SMC Gull机翼 | 齐纳 | 100pf @ 1MHz | SMCG(do-215ab) | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-mSMCGLCE6.5A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 6.5V | 7.22V | 11.2V | 100a | 1500W(1.5kW) | 不 | ||||
JANTX1N6124US/TR | 16.3200 | ![]() | 1570年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事,MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6124US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 42.6V | 50.54V | 80.85V | 6.18a | 500W | 不 | 1 | |||||
JANTX1N6461US/TR | 12.5000 | ![]() | 3923 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF,b | 齐纳 | - | B,平方米 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6461US/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 5V | 5.6V | 9V | 315a(8/20µs) | 500W | 不 | 军队 | - | |||
![]() | JANTX1N6476/TR | 11.6100 | ![]() | 7039 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通用目的 | 通过洞 | g,轴向 | 齐纳 | - | 轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6476/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 51.6V | 54V | 78.5V | 107a (8/20µs) | 1500W(1.5kW) | 不 | 军队 | - |
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