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（电视））（21773）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 电容 @频率 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 单向通道 | 电压 -反向对峙（典型） | 电压 -故障（最小） | 电压 -夹紧（最大） @ ipp | 电流 -10/1000µs） | 功率 -峰值脉冲 | 电力线保护 | 双向通道 | 年级 | 资格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | USBQNM50415CE3/TR7 | 2.0800 | | 7 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜125°C（TJ） | 以太网 | 表面安装 | 4-vdfn | 齐纳 | USBQNM50415 | 3pf @ 1MHz | QFN-143 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 15V | 16.7V | 32V | 5a（8/20µs） | 500W | 不 | 1 | |||||
 | MXLSMCJLCE15AE3 | - | | 8596 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJLCE15 | 100pf @ 1MHz | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 15V | 16.7V | 24.4V | 61a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| SMCJ200AE3/TR13 | 1.0500 | | 6991 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ200 | - | DO-214AB（SMCJ） | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 | 200V | - | - | - | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
 | MASMBJ12CA/TR | 5.8500 | | 8857 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AA，SMB | 齐纳 | SMBJ12 | - | SMBJ（DO-214AA） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MASMBJ12CA/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 200 | 12V | 13.3V | 19.9V | 30.2a | 600W | 不 | 1 | |||||
| M1.5KE250CA | 6.2700 | | 2057 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-201aa，do-27，轴向 | 齐纳 | 1.5KE250 | - | 案例1 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 214V | 237V | 344V | 5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
 | MXP4KE11A | - | | 2273 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | 齐纳 | P4KE11 | - | DO-204AL（DO-41） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 9.4V | 10.5V | 15.6V | 26a | 400W | 不 | |||||
| MXLPLAD30KP54CAE3 | - | | 6693 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 54V | 60V | 87.1V | 342a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||||
| MA1.5KE39A | 8.5200 | | 1106 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 1.5KE39 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 33.3V | 37.1V | 53.9V | 28a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| MXSMCG60A/TR | 28.6050 | | 2591 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-215ab，SMC Gull机翼 | 齐纳 | SMCG60 | - | SMCG（do-215ab） | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | MXSMCG60A/TRM | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 60V | 66.7V | 96.8V | 15.5A | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
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 | MXUPT12 | 22.8750 | | 8100 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | do-216aa | 齐纳 | UPT12 | - | PowerMite 1（DO216-AA） | 下载 | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 12V | 13.8V | 21.6V | 6.94a | 1000W（1kw） | 不 | ||||||
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| LC80 | 43.3950 | | 3887 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | LC80 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 80V | 88.7V | 142V | 10.6a | 1500W（1.5kW） | 不 | |||||
| Mxplad15kp9.0ca | - | | 5355 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad15 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 9V | 10V | 15.4V | 975a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||||
| MA1.5KE9.1CAE3 | 9.2250 | | 6568 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-204ar，轴向 | 齐纳 | 1.5KE9.1 | - | do-204ar | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.78V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| maplad30kp78ca | 59.7450 | | 1033 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad30 | - | plad | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 78V | 86.7V | 126V | 240a | 30000W（30kW） | 不 | 1 | |||||
| 15KPA75CAE3/TR13 | 13.1550 | | 7569 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | P600，轴向 | 齐纳 | 15KPA75 | - | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 75V | 83.8V | 122V | 123.8a | 15000W（15kW） | 不 | 1 | |||||
 | JANTXV1N6146US | 75.6750 | | 7238 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 大部分 | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | Rohs不合规 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 14.25V | 21V | 71.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||||
| MXLSMCJ30CAE3 | - | | 1568年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | DO-214AB，SMC | 齐纳 | SMCJ30 | - | DO-214AB（SMCJ） | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 30V | 33.3V | 48.4V | 31a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | |||||
| maplad6.5kp36a | 7.7250 | | 4098 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，19500年的MIL-PRF | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SMD | 齐纳 | plad6.5 | - | 迷你计划 | 下载 | Rohs不合规 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 36V | 40V | 58.1V | 111a | 6500W（6.5kW） | 不 | |||||
 | JANTX1N6146AUS/TR | 22.6950 | | 1566年 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6146AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 11.4V | 14.25V | 21V | 71.4a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| DLTS-19CA | 126.2102 | | 6282 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜150°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | 16-CDIP （0.300英寸，7.62mm） | 齐纳 | 275pf @ 1MHz （最大） | 16-CDIP | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-DLTS-19CA | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 19v | 21.6V | 38.1V | 10a （8/20µs） | 500W | 不 | 15 | ||||||
| JANS1N6173A/TR | 139.4500 | | 7457 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | C，轴向 | 齐纳 | - | C，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANS1N6173A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 152V | 190V | 273V | 5.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
 | Jan1n6038a/tr | 58.1602 | | 9577 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/507 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6038A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 7.5V | 8.65V | 13.4V | 112a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | ||||||
| JAN1N6115AUS/TR | 11.8100 | | 3708 | 0.00000000 | 微芯片技术 | 军事，MIL-PRF-19500/516 | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，b | 齐纳 | 1N6115 | - | B，平方米 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JAN1N6115AUS/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18.2v | 22.8V | 33.3V | 15a | 500W | 不 | 1 | |||||
| JANTX1N6163AUS/TR | 19.6701 | | 2081 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 表面安装 | SQ-MELF，c | 齐纳 | - | C，SQ-MELF | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-JANTX1N6163AU/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 56V | 71.3V | 103.1V | 14.5a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 | 军队 | - | ||||
 | TVS524E3/tr | 14.5950 | | 3637 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TA） | 通用目的 | 通过洞 | B，轴向 | 齐纳 | - | B，轴向 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-TVS524E3/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 24V | 28.4V | 42V | 11.9a | 500W | 不 | ||||||
| LC150A/TR | 43.5900 | | 5180 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -65°C 〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | 90pf @ 1MHz | DO-13（do-202AA） | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-LC150A/TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1 | 150V | 167V | 243V | 6.2a | 1500W（1.5kW） | 不 | ||||||
| 1N6047A/tr | 2000年222日 | | 4756 | 0.00000000 | 微芯片技术 | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | -55°C〜175°C（TJ） | 通用目的 | 通过洞 | do-13 | 齐纳 | - | do-13 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 150-1N6047A/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 18V | 20.9V | 30.6V | 49a | 1500W（1.5kW） | 不 | 1 |
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